公开(公告)号：CN118679284A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202280091084.7

申请日：2022-09-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  斋藤吉广 ,  星名丰 ,  中山阳次郎

IPC: C30B29/42

Abstract: 本发明提供一种砷化镓单晶基板，其具有圆形的主表面，并且具有第一积分强度比或第二积分强度比。第一积分强度比和第二积分强度比能够基于规定的X射线光电子能谱法通过砷和镓的图谱求出。第一积分强度比是作为一氧化二镓存在的镓元素的积分强度与作为三氧化二镓存在的镓元素的积分强度的和相对于作为砷化镓存在的镓元素的积分强度的比率，为12以下。第二积分强度比是作为一氧化二镓存在的镓元素的积分强度与作为三氧化二镓存在的镓元素的积分强度的和相对于作为五氧化二砷存在的砷元素的积分强度与作为三氧化二砷存在的砷元素的积分强度的和的比率，为1.2以下。长径为0.16μm以上的颗粒的个数在每1cm2的主表面中为2个以下。

公开(公告)号：CN106536794B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201580039559.8

申请日：2015-04-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  弘田龙 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  C30B33/06

Abstract: 一种氮化镓衬底，具有直径不小于100mm的表面，在边均具有2mm长度的各正方形区域处在微拉曼散射映射测量中的对应于E2H光子模式的峰值的最大峰值处的波数的最大值和最小值之间的差异不小于0.1cm‑1且不大于2cm‑1，正方形区域位于氮化镓衬底的表面上的包括中心位置和四个周边边缘位置的总共五个位置处，在这五个位置中的所有测量点处的对应于E2H光子模式的峰值的最大峰值处的波数的最大值和最小值之间的差异不大于2cm‑1。

公开(公告)号：CN104835856A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510064603.2

申请日：2015-02-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  松浦尚 ,  岛津充

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明涉及一种二极管。二极管(1)包括碳化硅衬底(11)、停止层(12)、漂移层(13)、保护环(14)、肖特基电极(15)、欧姆电极(16)和表面保护膜(17)。在25℃的测量温度下，二极管(1)的正向导通电阻R和二极管(1)的响应电荷Q的乘积R·Q满足R·Q≤0.24×V阻断2的关系。正向导通电阻R表示当在向二极管(1)施加正向电压时产生的指定电流密度(Jf)时的电压与电流的变化率。将反向阻断电压V阻断定义为产生与指定电流密度(Jf)的10-5倍一样高的电流密度Jr时的二极管(1)的反向电压。响应电荷Q通过在从0V至V阻断的范围中对二极管(1)的反向电容-电压特性中得到的电容(C)积分来获得。

公开(公告)号：CN102822998A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201280001044.5

申请日：2012-01-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  石原邦亮 ,  八乡昭广 ,  吉田乔久 ,  上野昌纪 ,  木山诚

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/02 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/025

Abstract: 半导体器件（5），其包括支撑衬底（60）、置于支撑衬底（60）上的导电层（50）以及置于导电层（50）上的至少一个III族氮化物半导体层（200）。在III族氮化物半导体层（200）之中，导电层邻接III族氮化物半导体层（200c）具有n型导电类型、至多为1×107cm-2的位错密度和至多为5×1018cm-3的氧浓度。因此，可以提供具有高结晶度的半导体层的n向下型器件。

公开(公告)号：CN102648527A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201080045199.X

申请日：2010-06-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈田政也 ,  木山诚

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789

Abstract: 公开了一种用于大电流的半导体器件，该半导体器件在具有低导通电阻、增加的迁移率和改进的夹断特性之后，即使漏电压增加也不会产生翘曲现象。还公开了该半导体器件的制造方法。该半导体器件具有：具有开口(28)的GaN叠层体(15)；包括沟道的再生长层(27)；栅电极(G)；源电极(S)；以及漏电极(D)。再生长层(27)包括电子传输层(22)和电子供给层(26)，GaN叠层体包括p型GaN层(6)，其端表面在开口中被再生长层覆盖，并且p型GaN层被设置有与该p型GaN层欧姆接触的p侧电极(11)。

公开(公告)号：CN100555659C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200510099023.3

申请日：2005-08-31

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  冈久拓司 ,  樱田隆

IPC: H01L29/38 ,  H01L29/417 ,  H01L29/861 ,  H01L29/772 ,  H01L29/732

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 在肖特基二极管11中，氮化镓支撑底板13包括第一表面13a和与第一表面相反的第二表面13b，其载流子浓度大于1×1018cm-3。氮化镓外延层15放置在第一表面13a上。欧姆电极17放置在第二表面13b上。肖特基电极19放置在氮化镓外延层15上。氮化镓外延层15的厚度D1至少是5微米，但不大于1000微米。另外，氮化镓外延层15的载流子密度至少是1×1014cm-3，但不大于1×1017cm-3。

公开(公告)号：CN100555657C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200680000348.4

申请日：2006-03-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本信 ,  木山诚 ,  田边达也 ,  三浦广平 ,  樱田隆

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L21/205 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 提供用于垂直氮化镓半导体器件的外延衬底，具有其中在n-型的氮化镓衬底上可以设置具有希望的低载流子浓度的n-型氮化镓层的结构。在氮化镓衬底(63)上设置氮化镓外延膜(65)。在氮化镓衬底(63)和氮化镓外延膜65中设置层区(67)。氮化镓衬底(43)和氮化镓外延膜(65)之间的界面位于层区(67)中。在层区(67)中，沿从氮化镓衬底(63)至氮化镓外延膜(65)的轴的施主杂质的峰值是1×1018cm-3以上。该施主杂质是硅和锗中的至少一个。

公开(公告)号：CN100414724C

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200480009899.8

申请日：2004-08-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  木山诚 ,  中村孝夫 ,  樱田隆 ,  秋田胜史 ,  上松康二 ,  池田亚矢子 ,  片山浩二 ,  吉本晋

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/45099

Abstract: 公开了一种发光器件，该发光器件由于其简单结构而容易制造，并且能够长期稳定地保持高发光效率。这种发光器件在氮化物半导体衬底(1)第一主表面侧包含：n-型氮化物半导体层(2)，安置在离氮化物半导体衬底(1)比n-型氮化物半导体层(2)更远处的p-型氮化物半导体层(6)，以及安置在n-型氮化物半导体层(2)和p-型氮化物半导体层(6)之间的发光层(4)。氮化物半导体衬底的电阻率不超过0.5Ω·cm。发光器件是以p-型氮化物半导体层侧向下的方式安装的，从而使光从氮化物半导体衬底的第二主表面(1a)发出，所述的第二主表面位于第一主表面的另一侧。

公开(公告)号：CN101192520A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200710194088.5

申请日：2007-11-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  樱田隆 ,  木山诚 ,  善积祐介

IPC: H01L21/20 ,  C30B25/02

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 提供一种半导体器件制造方法，从而以高成品率制造具有优异特性的半导体器件。该半导体器件制造方法包括：制备GaN衬底(10)的步骤，该GaN衬底具有反向域(10t)聚集面积(Stcm2)与GaN衬底(10)的主面(10m)的总面积(Scm2)的比率St/S，该比率不大于0.5，在沿着作为GaN衬底(10)主面(10m)的(0001)Ga面的反向域(10t)的密度为Dcm－2，其中在[0001]方向上的极性相关于矩阵(10s)反向的情况下的所述反向域的表面面积为1μm2或更大；以及在GaN衬底(10)的主面10m上生长至少单层半导体层(20)以形成半导体器件(40)的步骤，其中半导体器件(40)的主面40m的面积Sc和反向域(10t)的密度D的乘积Sc×D小于2.3。

公开(公告)号：CN1295772C

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN03800627.8

申请日：2003-01-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  山下正史 ,  木山诚

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L22/34

Abstract: 一种方便测量半导体外延晶片击穿电压的测量方法，以及一种实现较高耐受电压的半导体外延晶片。在根据本发明的半导体外延晶片(10)的耐受电压测量方法中，仅仅使用肖特基触点来测量触点(14、18)之间的耐受电压，而不需要使用电阻触点。由于相应地省略了形成电阻触点的制造过程，从而半导体外延晶片可以方便地用于耐受电压测量的测试。因此，可以方便地测量晶片(10)的耐受电压。另外，因为在由晶片(10)制造成实际装置之前可以对电极之间的耐受电压进行测量，从而可以在不合格晶片(10)进入实际装置制造过程之间将其去除。因此，与在实际装置制作后测量触点间的击穿电压V2的传统测量方法相比，所产生的损失得以降低。