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公开(公告)号：CN107919314B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201710940342.5
申请日：2017-10-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/683 , C09J161/12 , C09J183/06
Abstract: 本文公开了适合于制备薄晶片的晶片层合体和用于制备晶片层合体的方法。可以容易地通过载体和晶片之间的结合形成晶片层合体并且其可以容易地彼此分离。其促进了薄晶片的生产率。晶片层合体包括载体、在载体上形成的粘合剂层和在粘合剂层上以使得具有电路表面的晶片的表面朝向粘合剂层的方式层合的晶片，其中粘合剂层为由树脂A和树脂B组成的粘合剂组合物的固化产物，树脂A具有光阻隔效果和树脂B具有硅氧烷骨架。
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公开(公告)号：CN106800909B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201611052097.6
申请日：2016-11-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09J183/06 , C09J161/08 , C09J161/12 , H01L21/683
Abstract: 晶片层合体具有夹在透明基底(1)和晶片(2)之间的粘合剂层(3)，其中晶片的形成电路的表面朝向所述粘合剂层。所述粘合剂层(3)包括邻近基底设置并具有遮光性质的第一固化树脂层(3a)和邻近晶片设置并包括热固性树脂组合物的固化物的第二固化树脂层(3b)。
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公开(公告)号：CN105733498B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201510994277.5
申请日：2015-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09J183/07 , C09J183/04 , C09J7/30
Abstract: 本发明提供一种晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料、以及使用所述材料进行的薄型晶片的制造方法，容易暂时粘着和剥离，在化学气相沉积的晶片热工艺中的耐性优异，能够提高薄型晶片的生产性。为此，本发明提供一种具备复合暂时粘着材料层的晶片加工用暂时粘着材料，其用于将表面具有电路面且背面需加工的晶片暂时粘着于支持体上，所述复合暂时粘着材料层具有由热固化性硅氧烷聚合物层(A)构成的第一暂时粘着层、由积层于所述第一暂时粘着层的一面上的热固化性聚合物层(B)构成的第二暂时粘着层、以及由积层于所述第一暂时粘着层的另一面上的热可塑性树脂层(C)构成的第三暂时粘着层。
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公开(公告)号：CN106165086B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201580018116.0
申请日：2015-03-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L23/12 , C25D5/02 , C25D7/00 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52 , H01L23/522 , H01L25/10 , H01L25/11 , H01L25/18 , H05K1/11 , H05K3/28 , H05K3/40
Abstract: 本发明是一种半导体装置，其具有半导体元件和与半导体元件电连接的半导体元件上金属焊盘和金属配线，金属配线与贯穿电极和焊料凸块电连接，其中，所述半导体装置，具有载置有半导体元件的第一绝缘层、形成于半导体元件上的第二绝缘层以及形成于第二绝缘层上的第三绝缘层；金属配线，在第二绝缘层的上表面，通过半导体元件上金属焊盘而与半导体元件电连接，并且自第二绝缘层的上表面贯穿第二绝缘层并在第二绝缘层的下表面与贯穿电极电连接；并且，在第一绝缘层与半导体元件之间配置有半导体元件下金属配线，半导体元件下金属配线，在第二绝缘层的下表面与金属配线电连接。据此，提供一种半导体装置，容易载置于配线基板上和积层半导体装置，即便在金属配线的密度较大的情况下，也可以抑制半导体装置翘曲。
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公开(公告)号：CN108656662A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810254962.8
申请日：2018-03-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L23/49838 , C08G8/04 , C08L63/00 , C09D161/12 , C23C14/205 , C23C14/34 , C25D3/38 , H01L21/4846 , H01L21/683 , H01L21/6835 , H01L23/49866 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/32 , H01L24/50 , H01L24/73 , H01L2221/68318 , H01L2221/68345 , H01L2224/02311 , H01L2224/0239 , H01L2224/16225 , H01L2224/2402 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/82005 , H01L2924/00 , B32B15/00 , B32B15/08 , B32B15/092 , B32B27/06 , B32B27/28 , B32B27/281 , B32B27/38
Abstract: 提供层合体，其包括支撑体、树脂层、金属层、绝缘层和重布线层。树脂层包含具有遮光性质的光分解性树脂并且具有至多20％的对于波长355nm的光透射率。所述层合体易于制造并且具有耐热加工性，容易分离所述支撑体，并且有效生产半导体封装体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106165086A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580018116.0
申请日：2015-03-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L23/12 , C25D5/02 , C25D7/00 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52 , H01L23/522 , H01L25/10 , H01L25/11 , H01L25/18 , H05K1/11 , H05K3/28 , H05K3/40
Abstract: 本发明是一种半导体装置，其具有半导体元件和与半导体元件电连接的半导体元件上金属焊盘和金属配线，金属配线与贯穿电极和焊料凸块电连接，其中，所述半导体装置，具有载置有半导体元件的第一绝缘层、形成于半导体元件上的第二绝缘层以及形成于第二绝缘层上的第三绝缘层；金属配线，在第二绝缘层的上表面，通过半导体元件上金属焊盘而与半导体元件电连接，并且自第二绝缘层的上表面贯穿第二绝缘层并在第二绝缘层的下表面与贯穿电极电连接；并且，在第一绝缘层与半导体元件之间配置有半导体元件下金属配线，半导体元件下金属配线，在第二绝缘层的下表面与金属配线电连接。据此，提供一种半导体装置，容易载置于配线基板上和积层半导体装置，即便在金属配线的密度较大的情况下，也可以抑制半导体装置翘曲。
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公开(公告)号：CN105733498A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510994277.5
申请日：2015-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09J183/07 , C09J183/04 , C09J7/02
Abstract: 本发明提供一种晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料、以及使用所述材料进行的薄型晶片的制造方法，容易暂时粘着和剥离，在化学气相沉积的晶片热工艺中的耐性优异，能够提高薄型晶片的生产性。为此，本发明提供一种具备复合暂时粘着材料层的晶片加工用暂时粘着材料，其用于将表面具有电路面且背面需加工的晶片暂时粘着于支持体上，所述复合暂时粘着材料层具有由热固化性硅氧烷聚合物层(A)构成的第一暂时粘着层、由积层于所述第一暂时粘着层的一面上的热固化性聚合物层(B)构成的第二暂时粘着层、以及由积层于所述第一暂时粘着层的另一面上的热可塑性树脂层(C)构成的第三暂时粘着层。
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公开(公告)号：CN110498926B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201910405687.X
申请日：2019-05-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08G77/60
Abstract: 本发明涉及含有硅亚苯基和聚醚结构的聚合物，将在主链中含有硅亚苯基和聚醚结构的新型聚合物用于配制具有改善的可靠性的感光组合物。
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公开(公告)号：CN106065182B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201610258375.7
申请日：2016-04-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及树脂组合物、树脂膜、半导体器件及其制造方法。用于封装大直径薄膜晶片的成膜树脂组合物包括(A)具有3,000‑500,000的重均分子量且含有式(1)的重复单元的有机硅树脂：其中R1‑R4为一价烃基，但R3和R4不都为甲基，m和n为0‑300的整数，R5‑R8为二价烃基，a和b为正数以致a+b＝1，和X为特定的二价有机基团；(B)式(7)的酚化合物：其中Y为碳原子或2‑20个碳原子的四价烃基，和R13‑R16为一价烃基或氢原子；和(C)填料。
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公开(公告)号：CN105470188B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201510624839.7
申请日：2015-09-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/683 , C09J7/10 , C09J7/30 , C09J183/04
Abstract: 本发明提供一种对于超过300℃的高温热工序具有耐受性且容易进行暂时粘着及剥离的晶片加工用暂时粘着材料、以及可以提高薄型晶片的生产性的晶片加工体。为此，本发明提供一种晶片加工体，其是在支撑体上形成暂时粘着材料层，且将晶片积层在暂时粘着材料层上而成，晶片的表面具有电路面且背面需要加工，并且，粘着材料层是具有以下的两层结构的复合暂时粘着材料层：第一暂时粘着层，是由膜厚不足100nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A)构成，且是以能够剥离的方式积层于晶片的表面；以及，第二暂时粘着层，是由热固化性硅氧烷改性聚合物层(B)构成，且是以能够剥离的方式积层于第一暂时粘着层，并且以能够剥离的方式积层于支撑体上。
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