晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料及薄型晶片的制造方法

    公开(公告)号:CN106952854B

    公开(公告)日:2021-12-14

    申请号:CN201610912284.0

    申请日:2016-10-19

    Abstract: 对超过300℃的高温热工序具有耐受性且能提高薄型晶片的生产性的晶片加工体,其在支撑体上形成暂时粘着材料层,在该暂时粘着材料层上积层有晶片,该晶片的表面具有电路面且背面需要加工,所述暂时粘着材料层具备包括以下三层结构的复合暂时粘着材料层:第一暂时粘着层,由膜厚不足100nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A)构成,以能剥离的方式积层于所述晶片的表面;第二暂时粘着层,由热固化性硅氧烷改性聚合物层(B)构成,以能剥离的方式积层于该第一暂时粘着层;第三暂时粘着层,由膜厚不足100nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A’)构成,以能剥离的方式积层于该第二暂时粘着层,并以能剥离的方式积层于所述支撑体。

    晶片临时接合方法和薄晶片制造方法

    公开(公告)号:CN105742194B

    公开(公告)日:2019-08-27

    申请号:CN201510982698.6

    申请日:2015-12-24

    Abstract: 本发明提供经由临时接合配置体将晶片与支承体临时接合的方法。该配置体是复合临时粘合层,其由与晶片可脱离地接合的非有机硅热塑性树脂层(A)、在其上设置的热固性硅氧烷聚合物层(B)、和与支承体可脱离地接合的热固性硅氧烷改性聚合物层(C)组成。该方法包括下述步骤:提供晶片层叠体,该晶片层叠体具有已在晶片上形成的树脂层(A)上形成的热固性有机硅组合物层(B');提供支承体层叠体,该支承体层叠体具有在支承体上形成的含硅氧烷组合物层(C');和在真空中将层(B')和层(C')连接和加热以使这些层彼此接合和固化。

    晶片临时接合方法和薄晶片制造方法

    公开(公告)号:CN105742194A

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201510982698.6

    申请日:2015-12-24

    Abstract: 本发明提供经由临时接合配置体将晶片与支承体临时接合的方法。该配置体是复合临时粘合层,其由与晶片可脱离地接合的非有机硅热塑性树脂层(A)、在其上设置的热固性硅氧烷聚合物层(B)、和与支承体可脱离地接合的热固性硅氧烷改性聚合物层(C)组成。该方法包括下述步骤:提供晶片层叠体,该晶片层叠体具有已在晶片上形成的树脂层(A)上形成的热固性有机硅组合物层(B');提供支承体层叠体,该支承体层叠体具有在支承体上形成的含硅氧烷组合物层(C');和在真空中将层(B')和层(C')连接和加热以使这些层彼此接合和固化。

    层叠体的制造方法及基板的制造方法

    公开(公告)号:CN111146133B

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN201911047453.9

    申请日:2019-10-30

    Abstract: 本发明提供一种层叠体的制造方法,其能够介由临时粘合材料容易地接合基板与支撑体,热工序耐受性优异,也容易剥离,能够提高薄型基板的生产率。所述制造方法介由临时粘合材料接合应加工背面的基板的非加工面与支撑体,其特征在于,其具有:在基板的非加工面及支撑体中的任意一者或两者上层叠临时粘合材料的工序(a);在开始接合前预先加热基板与支撑体的工序(b);介由临时粘合材料接合基板与支撑体的工序(c),在工序(b)中,将基板加热至50℃以上250℃以下的温度、将支撑体加热至50℃以上250℃以下且与所述基板不同的温度,同时在工序(c)中,以预先加热的基板的温度与支撑体的温度不同的状态开始接合。

    暂时粘着方法以及薄型晶片的制造方法

    公开(公告)号:CN106992133B

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN201610878936.3

    申请日:2016-10-08

    Abstract: 本发明提供一种暂时粘着方法,隔着暂时粘着材料将晶片暂时粘着至支撑体上,使用具备复合暂时粘着材料层的晶片加工用暂时粘着材料作为所述材料。所述材料层具有:热塑性树脂层(A),在25℃时储存弹性模量E’是1~500MPa,拉伸断裂强度是5~50MPa;热固化性聚合物层(B),在25℃时固化后的E’是1~1000MPa,拉伸断裂强度是1~50MPa。所述方法包含:贴合步骤,将在表面使用液状组合物(A’)形成层(A)的晶片和通过层压薄膜状树脂(B’)形成层(B)的支撑体在减压下加热贴合,或将在表面形成层(A)且在层(A)上形成层(B)的晶片与所述支撑体在减压下加热贴合;热固化步骤,使所述层(B)热固化。

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