带电路基板加工体及带电路基板的加工方法

    公开(公告)号:CN110391167B

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN201910299633.X

    申请日:2019-04-15

    Abstract: 本发明为以可剥离的方式在支撑体上层叠暂时粘合材料层且该暂时粘合材料层以可剥离的方式层叠于表面具有电路面且需对背面进行加工的带电路基板的表面的、带电路基板加工体,其特征在于,暂时粘合材料层由热固化性硅氧烷聚合物层(A)形成,聚合物层(A)在固化后使其从支撑体上表面剥离时的剥离力在180°剥离试验中为10~500mN/25mm,且在固化后使其从带电路基板上表面剥离时的剥离力在180°剥离试验中为50~1000mN/25mm。由此提供能够构建简易且低成本的加工,对形成TSV、基板背面布线工序的工序适应性高,热加工耐性优异,能够提高薄型基板的生产率的带电路基板加工体及带电路基板的加工方法。

    半导体器件、制备方法和层合体

    公开(公告)号:CN108666224B

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN201810254959.6

    申请日:2018-03-27

    Abstract: 提供了半导体器件,其包括支撑体、粘合树脂层、绝缘层、重布线层、芯片层和模塑树脂层。粘合树脂层树脂层(A)和树脂层(B)组成,所述树脂层(A)包含在其主链中含有稠环的光分解性树脂,所述树脂层(B)包含非有机硅系热塑性树脂并且具有在25℃为1‑500MPa的储能弹性模量E’和5至50MPa的拉伸断裂强度。所述半导体器件易于制造并且具有耐热加工性,容易分离所述支撑体并且有效地生产半导体封装。

    晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料及薄型晶片的制造方法

    公开(公告)号:CN106952854B

    公开(公告)日:2021-12-14

    申请号:CN201610912284.0

    申请日:2016-10-19

    Abstract: 对超过300℃的高温热工序具有耐受性且能提高薄型晶片的生产性的晶片加工体,其在支撑体上形成暂时粘着材料层,在该暂时粘着材料层上积层有晶片,该晶片的表面具有电路面且背面需要加工,所述暂时粘着材料层具备包括以下三层结构的复合暂时粘着材料层:第一暂时粘着层,由膜厚不足100nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A)构成,以能剥离的方式积层于所述晶片的表面;第二暂时粘着层,由热固化性硅氧烷改性聚合物层(B)构成,以能剥离的方式积层于该第一暂时粘着层;第三暂时粘着层,由膜厚不足100nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A’)构成,以能剥离的方式积层于该第二暂时粘着层,并以能剥离的方式积层于所述支撑体。

    晶片临时接合方法和薄晶片制造方法

    公开(公告)号:CN105742194B

    公开(公告)日:2019-08-27

    申请号:CN201510982698.6

    申请日:2015-12-24

    Abstract: 本发明提供经由临时接合配置体将晶片与支承体临时接合的方法。该配置体是复合临时粘合层,其由与晶片可脱离地接合的非有机硅热塑性树脂层(A)、在其上设置的热固性硅氧烷聚合物层(B)、和与支承体可脱离地接合的热固性硅氧烷改性聚合物层(C)组成。该方法包括下述步骤:提供晶片层叠体,该晶片层叠体具有已在晶片上形成的树脂层(A)上形成的热固性有机硅组合物层(B');提供支承体层叠体,该支承体层叠体具有在支承体上形成的含硅氧烷组合物层(C');和在真空中将层(B')和层(C')连接和加热以使这些层彼此接合和固化。

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