公开(公告)号：CN103068793A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201180041257.6

申请日：2011-07-01

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  独立行政法人日本原子力研究开发机构

Inventor： 榊一晃 ,  须原泰人 ,  久米哲也 ,  大桥正树 ,  长绳弘亲 ,  下条晃司郎

IPC: C07C231/02 ,  C07C235/06 ,  C22B3/26 ,  C22B7/00 ,  C22B59/00

CPC classification number: C07C231/02 ,  C07C235/06 ,  C22B3/08 ,  C22B3/44 ,  C22B47/00 ,  C22B59/00 ,  Y02P10/234 ,  Y02W30/54

Abstract: 稀土金属萃取剂，其包含作为萃取组分的极好地分解轻稀土元素的二烷基二甘醇酰胺酸，所述二烷基二甘醇酰胺酸以二甘醇酸(X mol)和酯化剂(Y mol)在70℃或更高的反应温度以及一小时或更长的反应时间反应，使得Y/X的摩尔比为2.5或更高；并且使其进行真空浓缩。接下来，通过除去未反应的产物和反应残余物获得反应中间产物。然后添加非极性和低极性溶剂作为反应溶剂，所述溶剂是在稀土金属的溶剂萃取期间形成有机相的有机溶剂并且能够溶解二烷基二甘醇酰胺酸，以及将反应中间产物与二烷基胺(Z mol)反应，使得Z/X的摩尔比为0.9或更高。结果，以低成本和高收率而不必使用昂贵的二甘醇酸酐和有害的二氯甲烷高效地合成稀土金属萃取剂。

公开(公告)号：CN120020644A

公开(公告)日：2025-05-20

申请号：CN202411622559.8

申请日：2024-11-14

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 畠山润 ,  大桥正树

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039

Abstract: 本发明涉及抗蚀剂材料及图案形成方法。本发明的课题是提供无论正型或负型皆为高感度，且LWR、CDU经改善的抗蚀剂材料及使用其的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂材料，含有：经碘化的苯酚化合物的锍盐。

公开(公告)号：CN119431206A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411046998.9

申请日：2024-08-01

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 福岛将大 ,  大桥正树 ,  畠山润

IPC: C07C381/12 ,  C07C309/24 ,  C07C25/18 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明涉及鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供：在使用高能射线的光学光刻中，溶剂溶解性优异、高感度，且高对比度，又曝光裕度、线宽粗糙度等光刻性能优异的化学增幅抗蚀剂组成物中使用的鎓盐；包含该鎓盐作为光酸产生剂的化学增幅抗蚀剂组成物；以及使用该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。本发明的解决手段为下式(1)表示的鎓盐。#imgabs0#式中，R13及R14中的一者是具有下式(1a)表示的部分结构的基团；#imgabs1#式中，Q1～Q3各自独立地为氢原子、氟原子或碳数1～6的氟化饱和烃基，但当Q1及Q2皆为氢原子时，Q3为氟原子或碳数1～6的氟化饱和烃基。又，Q1～Q3中的氟原子的数量的合计为2以上。

公开(公告)号：CN114924463B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202210127488.9

申请日：2022-02-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 增永惠一 ,  渡边聪 ,  小竹正晃 ,  大桥正树

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/038

Abstract: 本发明涉及化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供可获得改善图案形成时的分辨率且减少LER及LWR的图案的化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段为一种化学增幅负型抗蚀剂组成物，含有：(A)硫烷(sulfurane)或硒烷(selenurane)化合物，以下式(A1)表示，及(B)基础聚合物，包含含有下式(B1)表示的重复单元的聚合物。#imgabs0#式中，M为硫原子或硒原子。#imgabs1#

公开(公告)号：CN110554569B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN201910465811.1

申请日：2019-05-31

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 畠山润 ,  大桥正树 ,  藤原敬之

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30

Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组合物及图案化方法。抗蚀剂组合物，包含基础聚合物和具有碘化苯环的N‑羰基磺酰胺的 盐，其提供高灵敏度、最小的LWR和改善的CDU，与其是正调色剂还是负调色剂无关。

公开(公告)号：CN117055289A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202310522136.8

申请日：2023-05-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 大桥正树 ,  菊地骏 ,  橘诚一郎

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在使用高能射线的光学光刻中，感度及分辨性优异的抗蚀剂组成物、及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。解决手段为一种抗蚀剂组成物，包含具有至少2个酰氧基的超原子价碘化合物、羧酸化合物、及溶剂。

公开(公告)号：CN110824839B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201910728721.7

申请日：2019-08-08

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 畠山润 ,  大桥正树

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组合物和图案化方法，其中，包含具有碘化的或溴化的芳环的羰氧基酰亚胺化合物的抗蚀剂组合物具有高的感光度并且形成具有改进的LWR或CDU的图案。

公开(公告)号：CN111522198A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010078997.8

申请日：2020-02-03

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 藤原敬之 ,  及川健一 ,  大桥正树 ,  小林知洋

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明提供在以KrF准分子激光、ArF准分子激光、电子束、极端紫外线等高能射线作为光源的光刻中，光透射性、酸扩散抑制能力优异，DOF、LWR、MEF等光刻性能优异的抗蚀剂组成物、及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。一种抗蚀剂组成物，包含(A)由下列式(1)表示的锍盐构成的光酸产生剂、(B)对显影液的溶解性会因酸的作用而变化的基础聚合物、及(C)有机溶剂。

公开(公告)号：CN110878038A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910836697.9

申请日：2019-09-05

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 井上直也 ,  大桥正树 ,  土门大将 ,  增永惠一 ,  小竹正晃

IPC: C07C381/12 ,  G03F7/039 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明涉及锍化合物、正型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法。本发明中新的锍化合物具有式(A)，包含聚合物和含有锍化合物的猝灭剂的正型抗蚀剂组合物在图案形成期间的分辨率和LER方面得以改进并且具有储存稳定性。在式(A)中，R1、R2、R3和R4独立地为C1-C20一价烃基，p为0-5的整数，q为0-5的整数，和r为0-4的整数。

公开(公告)号：CN110824838A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910728707.7

申请日：2019-08-08

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 畠山润 ,  大桥正树 ,  藤原敬之

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组合物和图案化方法，其中，包含基础聚合物和具有经由二价烃基键合至氮原子的碘取代的芳环的胺化合物形式的猝灭剂的抗蚀剂组合物提供高感光度和最小的LWR或改进的CDU，而不管其具有正色调还是负色调。