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公开(公告)号：CN120059017A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411710771.X
申请日：2024-11-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08F212/14 , G03F7/20 , C08F220/38 , C08F212/32 , C08F220/30 , C08F220/58 , C08F220/20 , C08F220/28 , C08F220/22 , C08F220/18 , C08F220/40 , C08F218/12 , G03F7/004
Abstract: 本发明涉及聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明提供一种聚合物，使用在化学增幅抗蚀剂组成物中，该化学增幅抗蚀剂组成物于使用高能射线的光学光刻中，溶剂溶解性优异、高感度、高对比度，EL、LWR、CDU、DOF等光刻性能优异，而且于微细图案形成时抗图案崩塌、蚀刻耐性也优良。并提供含该聚合物的化学增幅抗蚀剂组成物、及使用该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。一种聚合物，含有下式(a)表示的重复单元、及来自含有具有聚合性基团及经碘原子取代的芳香环结构的氟磺酸阴离子的鎓盐化合物且因曝光产生酸的重复单元。
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公开(公告)号：CN119912335A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411515272.5
申请日：2024-10-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 福岛将大
IPC: C07C67/62 , C07C67/20 , C07C69/76 , C07C69/007 , C07C69/013 , C07C69/767
Abstract: 本发明涉及含叔酯的芳香族乙烯单体的制造方法。本发明的课题是提供尤其适于EB光刻用抗蚀剂组成物及波长13.5nm的EUV光刻用抗蚀剂组成物的含叔酯的乙烯基芳香族单体的制造方法，其是比起已知配方更高效率且高品质的新颖制造方法。该课题的解决手段为使用金属烷氧化物作为反应促进剂的含叔酯的芳香族乙烯单体的制造方法。
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公开(公告)号：CN119882347A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411473525.7
申请日：2024-10-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂材料及图案形成方法。本发明的课题是提供无论为正型或负型皆为高感度且LWR及CDU经改善的抗蚀剂材料、以及使用其的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂材料，含有：基础聚合物，具有被碘原子取代的芳基磺酸阴离子键结于主链的锍盐或錪盐结构。
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公开(公告)号：CN119735511A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411356440.0
申请日：2024-09-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 福岛将大
IPC: C07C69/76 , C07C67/08 , C07D307/00 , G03F7/004 , G03F1/56
Abstract: 本发明涉及单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明提供一种单体，是化学增幅抗蚀剂组成物使用的单体，该化学增幅抗蚀剂组成物在使用高能射线的光学光刻中，溶剂溶解性优异、且感度高/对比度高，曝光裕度(EL)、LWR等光刻性能、及图案形状、显影后的蚀刻耐性优异。本发明还提供使用该单体获得的聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物、及使用该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。下式(A)表示的单体、含有来自该单体的重复单元的聚合物、及包含含有该聚合物的基础聚合物的化学增幅抗蚀剂组成物。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118732396A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410371770.0
申请日：2024-03-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 福岛将大
Abstract: 提供化学增幅负型抗蚀剂组合物和抗蚀图案形成方法。提供能够获得提高了形成图案时的分辨率且改善了LER、分辨率、图案忠实性和剂量裕度的抗蚀图案的化学增幅负型抗蚀剂组合物和抗蚀图案形成方法。一种化学增幅负型抗蚀剂组合物，其包含(A)淬灭剂和(B)基础聚合物，所述(A)淬灭剂包含下述式(A1)所示的鎓盐，所述(B)基础聚合物包含含有下述式(B1)所示的重复单元的聚合物。#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118724863A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410366369.8
申请日：2024-03-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 福岛将大
IPC: C07D327/08 , C07C381/12 , C07C309/73 , C07C309/24 , C07C25/18 , C07C43/225 , G03F7/00 , G03F7/039 , G03F7/004
Abstract: 本发明涉及鎓盐、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供可产生具有适当的酸强度且扩散小的酸的鎓盐、含有其的化学增幅正型抗蚀剂组成物、及使用该抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段是一种鎓盐，以下式(A)表示。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118530151A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410188280.7
申请日：2024-02-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 福岛将大
IPC: C07C381/12 , C07D211/62 , C07D211/46 , C07D207/16 , C07D221/14 , C07D327/06 , C07C211/63 , G03F7/004
Abstract: 本发明涉及鎓盐、抗蚀剂组成物、及图案形成方法。本发明的课题是提供在远紫外线光刻及EUV光刻中，LWR、分辨度优良，而且可抑制抗蚀剂图案的崩塌的化学增幅抗蚀剂组成物，以及提供该化学增幅抗蚀剂组成物使用的鎓盐及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段是一种鎓盐，以下式(1)表示。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117903029A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311342145.5
申请日：2023-10-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 福岛将大
IPC: C07C381/12 , G03F7/004 , G03F7/038 , C07C309/73 , C07C309/71 , C07C309/66 , C07C309/65 , C07D333/76 , C07D333/54 , C07D327/06 , C07C211/63 , C07C25/18
Abstract: 本发明涉及鎓盐、抗蚀剂组成物、及图案形成方法。本发明的课题是提供在光刻中，无论正型或负型，皆为高感度且分辨度优良，可改善LWR、CDU，且可抑制抗蚀剂图案的崩塌的抗蚀剂组成物所使用的新颖鎓盐。该课题的解决手段为一种鎓盐，其特征为：是下述通式(1)表示者。#imgabs0#式中，n1为0或1的整数。n2为0～3的整数。R1a为卤素原子、或也可含有杂原子的碳数1～20的烃基。n3为0～3的整数。R1b为也可含有杂原子的碳数1～36的烃基。n4为1或2的整数。Z+表示鎓阳离子。
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公开(公告)号：CN117736128A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311209276.6
申请日：2023-09-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C381/12 , G03F7/004 , C08F212/14 , C08F220/22 , C08F220/18 , C08F220/20 , G03F1/56 , G03F7/20 , C07C309/12 , C07C303/32 , C07C25/18 , C07C17/00 , C07D333/76 , C07D307/93
Abstract: 本发明涉及鎓盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题是提供在使用高能射线的光学光刻中，溶剂溶解性优良且为高感度、高对比度、EL、LWR等光刻性能优良同时即使在微细图案形成时图案崩塌耐性仍强且蚀刻耐性亦优良的化学增幅抗蚀剂组成物所使用的鎓盐型单体，以及提供含有来自该鎓盐型单体的重复单元的聚合物、含有该聚合物的化学增幅抗蚀剂组成物、及使用该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段是一种鎓盐型单体，以下式(a1)或(a2)表示。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117229188A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310689226.6
申请日：2023-06-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 福岛将大
IPC: C07C381/12 , G03F7/004 , C07D333/54 , C07D333/76 , C07C211/63 , C07C19/07 , C07C69/38 , C07C59/347 , C07C62/18
Abstract: 本发明涉及鎓盐、抗蚀剂组成物、及图案形成方法。本发明的课题是提供：于远紫外线光刻、EB光刻及EUV光刻中，LWR、分辨性优异且能够抑制抗蚀剂图案的崩塌的抗蚀剂组成物、该抗蚀剂组成物中使用的鎓盐、及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。本发明的解决手段是一种鎓盐，其通过酸及热的作用而阴离子部的共轭酸会分解成二氧化碳及碳数12以下的有机化合物。
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