基板加工用暂时粘着薄膜卷、薄型基板的制造方法

    公开(公告)号:CN108977117B

    公开(公告)日:2021-11-05

    申请号:CN201810569688.3

    申请日:2018-06-05

    Abstract: 一种基板加工用暂时粘着薄膜卷,其特征在于,具备卷芯和复合薄膜状暂时粘着材料,该复合薄膜状暂时粘着材料卷绕在所述卷芯上且用以将应加工的基板暂时粘着在支撑体上,该复合薄膜状暂时粘着材料具有由热塑性树脂构成的第一暂时粘着材料层(A)、由热固性树脂构成的第二暂时粘着材料层(B)及由与第二暂时粘着材料层不同的热固性树脂构成的第三暂时粘着材料层(C)。一种薄型基板的制造方法,其使用所述基板加工用暂时粘着薄膜卷,该基板加工用暂时粘着薄膜卷能供给一种暂时粘着材料,该暂时粘着材料容易暂时粘着基板与支撑体,且在基板或支撑体上形成暂时粘着层的速度快,对于CVD等热工艺的耐性优异,容易剥离,能提高薄型基板的生产性。

    晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料及薄型晶片的制造方法

    公开(公告)号:CN105733498B

    公开(公告)日:2020-07-28

    申请号:CN201510994277.5

    申请日:2015-12-25

    Abstract: 本发明提供一种晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料、以及使用所述材料进行的薄型晶片的制造方法,容易暂时粘着和剥离,在化学气相沉积的晶片热工艺中的耐性优异,能够提高薄型晶片的生产性。为此,本发明提供一种具备复合暂时粘着材料层的晶片加工用暂时粘着材料,其用于将表面具有电路面且背面需加工的晶片暂时粘着于支持体上,所述复合暂时粘着材料层具有由热固化性硅氧烷聚合物层(A)构成的第一暂时粘着层、由积层于所述第一暂时粘着层的一面上的热固化性聚合物层(B)构成的第二暂时粘着层、以及由积层于所述第一暂时粘着层的另一面上的热可塑性树脂层(C)构成的第三暂时粘着层。

    晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料及薄型晶片的制造方法

    公开(公告)号:CN105733498A

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201510994277.5

    申请日:2015-12-25

    Abstract: 本发明提供一种晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料、以及使用所述材料进行的薄型晶片的制造方法,容易暂时粘着和剥离,在化学气相沉积的晶片热工艺中的耐性优异,能够提高薄型晶片的生产性。为此,本发明提供一种具备复合暂时粘着材料层的晶片加工用暂时粘着材料,其用于将表面具有电路面且背面需加工的晶片暂时粘着于支持体上,所述复合暂时粘着材料层具有由热固化性硅氧烷聚合物层(A)构成的第一暂时粘着层、由积层于所述第一暂时粘着层的一面上的热固化性聚合物层(B)构成的第二暂时粘着层、以及由积层于所述第一暂时粘着层的另一面上的热可塑性树脂层(C)构成的第三暂时粘着层。

    基板加工用临时粘合材料及层叠体的制造方法

    公开(公告)号:CN114096633A

    公开(公告)日:2022-02-25

    申请号:CN202080049294.0

    申请日:2020-07-09

    Abstract: 本发明为一种基板加工用临时粘合材料,其用于将应加工背面的基板临时粘合于支撑体,所述基板加工用临时粘合材料的特征在于,所述临时粘合材料相对于总质量100份含有10质量份以上100质量份以下的含硅氧烷键聚合物,该含硅氧烷键聚合物的利用GPC测定的重均分子量为3,000以上700,000以下,所述临时粘合材料具有第一临时粘合材料层和与所述第一临时粘合材料层不同的第二临时粘合材料层,所述第一临时粘合材料层与所述第二临时粘合材料层中的至少一层的剪切粘度的最小值在130℃以上250℃以下的范围内为1Pa·s以上10,000Pa·s以下。由此,提供一种基板加工用临时粘合材料、及使用该临时粘合材料的层叠体的制造方法,该基板加工用临时粘合材料容易将基板与支撑体临时粘合及剥离,临时粘合材料层形成工序快,尺寸稳定性、对热处理的耐性也优异,能够提高薄型基板的生产率。

    层叠体的制造方法及基板的制造方法

    公开(公告)号:CN111146133A

    公开(公告)日:2020-05-12

    申请号:CN201911047453.9

    申请日:2019-10-30

    Abstract: 本发明提供一种层叠体的制造方法,其能够介由临时粘合材料容易地接合基板与支撑体,热工序耐受性优异,也容易剥离,能够提高薄型基板的生产率。所述制造方法介由临时粘合材料接合应加工背面的基板的非加工面与支撑体,其特征在于,其具有:在基板的非加工面及支撑体中的任意一者或两者上层叠临时粘合材料的工序(a);在开始接合前预先加热基板与支撑体的工序(b);介由临时粘合材料接合基板与支撑体的工序(c),在工序(b)中,将基板加热至50℃以上250℃以下的温度、将支撑体加热至50℃以上250℃以下且与所述基板不同的温度,同时在工序(c)中,以预先加热的基板的温度与支撑体的温度不同的状态开始接合。

    晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料以及薄型晶片的制造方法

    公开(公告)号:CN106104765B

    公开(公告)日:2019-05-14

    申请号:CN201580014475.9

    申请日:2015-03-03

    Abstract: 本发明是一种晶片加工用暂时粘着材料,其用于将表面具有电路面且背面需加工的晶片暂时粘着于支撑体上,所述晶片加工用暂时粘着材料的特征在于,具备复合暂时粘着材料层,所述复合暂时粘着材料层具有以下三层结构:第一暂时粘着层,其能够可剥离地粘着于所述晶片的表面上,由非硅酮热塑性树脂层(A)构成;第二暂时粘着层,其积层于该第一暂时粘着层上,由热固化性硅氧烷聚合物层(B)构成;以及,第三暂时粘着层,其积层于该第二暂时粘着层上,并能够可剥离地粘着于所述支撑体上,由热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)构成。由此,提供一种晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料以及使用它们的薄型晶片的制造方法,所述晶片加工体,暂时粘着和剥离较为容易,CVD耐受性优异,能够提高薄型晶片的生产率。

Patent Agency Ranking