公开(公告)号：CN104956464B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201380071248.0

申请日：2013-12-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林德弘 ,  横川功 ,  阿贺浩司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L29/34

Abstract: 本发明涉及一种制作SOI晶圆的SOI晶圆的制造方法，其特征在于，在对接合晶圆的贴合面和基底晶圆的贴合面中至少一个表面实施等离子处理后，通过氧化膜进行贴合，在剥离热处理中，通过进行第一步骤，即以250℃以下的温度进行2小时以上的热处理，以及第二步骤，即以400℃以上450℃以下的温度进行30分钟以上的热处理，由此在离子注入层剥离接合晶圆。由此，能够提供一种SOI层膜厚范围小，SOI层表面的表面粗糙度小，平台部形状平滑，并且SOI层没有空隙、泡等缺陷的SOI晶圆的制造方法。

公开(公告)号：CN106233426A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580020540.9

申请日：2015-03-05

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 目黑贤二 ,  若林大士 ,  小林德弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76251 ,  B32B7/12 ,  B32B9/04 ,  B32B2250/02 ,  B32B2255/20 ,  B32B2307/206 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/12

Abstract: 一种贴合式SOI晶圆的制造方法，为关于均以单晶硅构成的贴合晶圆及基底晶圆借由绝缘膜贴合的贴合式SOI晶圆的制造方法，包含下列步骤：堆积多晶硅层于该基底晶圆的贴合面侧，研磨该多晶硅层的表面，于该贴合晶圆的贴合面形成该绝缘膜，透过该绝缘膜将该基底晶圆的该多晶硅层的研磨面与该贴合晶圆贴合，以及将经贴合的该贴合晶圆薄膜化而形成SOI层，其中，该基底晶圆使用电阻率100Ω·cm以上的单晶硅晶圆，该堆积多晶硅层的步骤进一步包含于贴合晶圆的堆积该多晶硅层的表面预先形成氧化膜，该多晶硅层的堆积以900℃以上的温度进行。借此能够堆积多晶硅层而使其即使经过SOI晶圆制造步骤的热处理步骤或装置制造步骤的热处理步骤也不会进行单晶化。

公开(公告)号：CN104115255A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201280067455.4

申请日：2012-12-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林德弘 ,  石塚徹 ,  阿贺浩司

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3247

Abstract: 本发明是一种贴合SOI晶片的制造方法，该贴合SOI晶片的制造方法其特征在于，对于利用离子注入剥离法所得到的剥离后的贴合SOI晶片进行RTO处理，去除通过该RTO处理而形成于上述SOI层表面的氧化膜之后，进行使上述SOI层表面的硅原子产生迁移的平坦化热处理，而使上述SOI层表面平坦化，其后，进行牺牲氧化处理而调整上述SOI层的膜厚。由此，提供一种贴合SOI晶片的制造方法，该贴合SOI晶片的制造方法能够有效地制造具有充分降低了SOI层表面的表面粗糙度且减少了SOI层表面的较深的凹坑的高质量的SOI层的SOI晶片。

公开(公告)号：CN105283943B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201480032979.9

申请日：2014-05-19

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林德弘 ,  阿贺浩司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02032 ,  H01L21/324 ,  H01L21/7813 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明是一种贴合晶圆的制造方法，其向接合晶圆的表面离子注入氢离子和稀有气体离子的至少一种气体离子而形成离子注入层，将接合晶圆的离子注入后的表面与基底晶圆的表面直接贴合或隔着绝缘膜贴合之后，施加热处理，在离子注入层使接合晶圆的一部分剥离，由此制作在基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆，其中，在将接合晶圆与基底晶圆贴合之前，测量接合晶圆和基底晶圆的厚度，选择两晶圆的厚度之差小于5μm的由接合晶圆与基底晶圆构成的组合来进行贴合。由此，能抑制在薄膜上产生的大理石花纹的膜厚不均，制造薄膜的膜厚均匀性高的贴合晶圆。

公开(公告)号：CN107112204A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201680004325.4

申请日：2016-01-07

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石塚彻 ,  小林德弘 ,  中野正刚

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L27/12

Abstract: 一种贴合式SOI晶圆的制造方法，将皆以单晶硅所构成的贴合晶圆及基底晶圆透过绝缘膜贴合而制造贴合式SOI晶圆，包含下列步骤，将多晶硅层堆积于基底晶圆的贴合面侧，研磨多晶硅层的表面，于贴合晶圆的贴合面形成绝缘膜，透过绝缘膜将基底晶圆的多晶硅层的研磨面与贴合晶圆贴合，以及将经贴合的贴合晶圆薄膜化而形成SOI层，其中于堆积多晶硅层的步骤中，作为基底晶圆使用具有化学蚀刻面的晶圆，于化学蚀刻面进行一次研磨后，于经一次研磨的面堆积多晶硅层，于研磨多晶硅层表面的步骤中，于多晶硅层表面进行二次研磨，或进行二次研磨及精研磨。

公开(公告)号：CN106062924A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580011892.8

申请日：2015-02-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林德弘 ,  阿贺浩司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26533 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种贴合式晶圆的制造方法，关于自贴合晶圆的表面以氢离子、惰性气体离子的至少一种气体离子进行离子注入而于晶圆内部形成离子注入层，将该贴合晶圆经离子注入的表面与基底晶圆的表面直接或是透过绝缘膜贴合后，借由以该离子注入层使贴合晶圆剥离，制造于该基底晶圆上具有薄膜的贴合式晶圆，而对于该贴合式晶圆，透过在含有氢气的氛围下进行RTA处理而将该薄膜表面平坦化，其中，于自该RTA处理的最高温降温而自热处理炉取出该贴合式晶圆之间，在该热处理炉内于该薄膜的表面形成保护膜，之后将形成有该保护膜的贴合式晶圆自该热处理炉取出，之后使用蚀刻该保护膜及该薄膜的洗净液以洗净。借此能够在RTA处理及进行其后的洗净后亦能良好维持薄膜的膜厚度的面内均匀性。

公开(公告)号：CN106062923A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580011152.4

申请日：2015-02-09

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司 ,  小林德弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明为一种贴合式SOI晶圆的制造方法，其中将硅氧化膜使用批次式热处理炉，借由进行至少含有升温中的热氧化及降温中的热氧化中的任一种的热氧化处理，使剥离后的贴合式SOI晶圆的内嵌氧化膜形成为同心圆状的氧化膜厚度分布，进一步借由于贴合晶圆剥离后的贴合式SOI晶圆进行还原性热处理，将内嵌氧化膜的膜厚度范围缩小至小于还原性热处理前的膜厚度范围。借此提供一种贴合示SOI晶圆的制造方法，能够抑制由SOI层剥离后的还原性热处理而产生的埋入氧化膜厚度的面内分布的变动。

公开(公告)号：CN104115255B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280067455.4

申请日：2012-12-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林德弘 ,  石塚徹 ,  阿贺浩司

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3247

Abstract: 本发明是一种贴合SOI晶片的制造方法，该贴合SOI晶片的制造方法其特征在于，对于利用离子注入剥离法所得到的剥离后的贴合SOI晶片进行RTO处理，去除通过该RTO处理而形成于上述SOI层表面的氧化膜之后，进行使上述SOI层表面的硅原子产生迁移的平坦化热处理，而使上述SOI层表面平坦化，其后，进行牺牲氧化处理而调整上述SOI层的膜厚。由此，提供一种贴合SOI晶片的制造方法，该贴合SOI晶片的制造方法能够有效地制造具有充分降低了SOI层表面的表面粗糙度且减少了SOI层表面的较深的凹坑的高质量的SOI层的SOI晶片。

公开(公告)号：CN105283943A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201480032979.9

申请日：2014-05-19

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林德弘 ,  阿贺浩司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02032 ,  H01L21/324 ,  H01L21/7813 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明是一种贴合晶圆的制造方法，其向接合晶圆的表面离子注入氢离子和稀有气体离子的至少一种气体离子而形成离子注入层，将接合晶圆的离子注入后的表面与基底晶圆的表面直接贴合或隔着绝缘膜贴合之后，施加热处理，在离子注入层使接合晶圆的一部分剥离，由此制作在基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆，其中，在将接合晶圆与基底晶圆贴合之前，测量接合晶圆和基底晶圆的厚度，选择两晶圆的厚度之差小于5μm的由接合晶圆与基底晶圆构成的组合来进行贴合。由此，能抑制在薄膜上产生的大理石花纹的膜厚不均，制造薄膜的膜厚均匀性高的贴合晶圆。

公开(公告)号：CN1276484C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN01803971.5

申请日：2001-12-11

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 速水善范 ,  户部敏视 ,  小林德弘

IPC: H01L21/322

CPC classification number: H01L21/3225

Abstract: 提供可抑制主要是直径300mm以上的柴氏硅单晶片在进行高温热处理时的滑动转位的发生，且能充分地消除表面附近的内生(Grown-in)缺陷，并提供在单晶片表层部具有DZ层，且基体中可获得具有高除气效果的高密度的氧析出物的退火单晶片。针对以柴可劳斯基(Czochralski)法制作的硅单晶片，以600-1100℃的温度范围进行第一热处理以使基质中形成氧析出物后，再以1150-1300℃的温度范围进行第二热处理。