公开(公告)号：CN103619538A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280031139.1

申请日：2012-05-31

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 桝村寿

IPC: B24B37/30 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/32 ,  B24B37/30

Abstract: 本发明是一种研磨头，至少具备：环形刚性环；以均匀的张力粘贴于该刚性环上的橡胶膜；与上述刚性环结合，并与上述橡胶膜和上述刚性环一起形成空间部的背板；以及与上述刚性环同心地设置于上述橡胶膜的下表面部的周边部，并保持工件的边缘部的环形模板，在上述橡胶膜的下表面部保持上述工件的背面，并使该工件的表面与粘贴于平台上的砂布滑动接触而进行研磨，上述研磨头，其特征在于，进一步具有已充入上述空间部内的不可压缩性流体。由此，提供一种研磨头及研磨装置，该研磨头在橡胶膜上保持工件的背面，并利用模板保持工件的边缘部，不仅能够进行工件的完工研磨，而且能够将整个工件研磨成均匀而不会由模板的厚度所限。

公开(公告)号：CN1217387C

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN01803238.9

申请日：2001-10-22

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 祢津茂义 ,  桝村寿

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04

CPC classification number: H01L21/02024 ,  B24B37/345

Abstract: 本发明提供一种单晶片的制造方法及研磨装置以及单晶片，控制单晶片外周部的塌边，特别是使近年来所要求的毫微米拓朴的数值变佳。为了解决此课题，本发明的手段为：对于使单晶片表面镜面化的研磨工序中，为了产生单晶片的基准面，而进行单晶片的背面研磨。

公开(公告)号：CN1561538A

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：CN02819209.5

申请日：2002-09-27

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 桝村寿 ,  铃木文夫 ,  北川幸司

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04

CPC classification number: B24B37/30

Abstract: 本发明提供工件保持盘，具有用于保持工件的一主面、将另一主面镜面研磨的工件保持盘本体，在前述工件保持盘的工件保持面形成微小的孔。本发明的工件研磨装置，具备具有将工件真空吸附保持的贯通孔的工件保持盘本体的用于研磨的工件保持盘，该工件研磨装置具备覆盖前述保持面的树脂的热膨胀系数是3×10－5/K以下的用于研磨的工件保持盘、及本发明用于研磨的工件保持盘；本发明的工件研磨方法，用于研磨的工件保持盘的保持面上覆盖热膨胀系数是3×10－5/K以下的树脂，通过将该保持面的工件的背面真空吸附保持，接着将该工件与研磨布接触来将工件的表面研磨。由此提供毫微表面状态等级的凹凸不发生地研磨晶片的研磨装置及研磨方法、及工件保持盘。