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公开(公告)号：CN109661715A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201780054077.9
申请日：2017-07-06
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/455
Abstract: 气相生长装置1包括反应炉2、导入通路8、多条流路15a、分支路14a、及分割通路16b。反应炉2通过原料气体使外延层气相生长于基板W。导入通路8包括：入口8a，其通往反应炉2内；出口8b，其位于入口8a的上方且较入口8a靠反应炉2侧并且到达反应炉2内；及阶部8c，其位于导入通路8内。多条流路15a为32条以上，且自入口8a延伸至入口8a的外侧。分支路14a使多条流路15a自入口8a侧朝向原料气体的上游侧呈竞赛状合流。分割通路16b为将导入通路8与多条流路15a对应地分割而成的通路，且分别与多条流路15a连接并相通。由此，提供一种气相生长装置，其能够使生长于基板上的外延层的膜厚的均匀性良好。
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公开(公告)号：CN116325083A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180067367.3
申请日：2021-09-13
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明是一种外延晶圆的清洗方法，用于清洗正面形成有外延膜的晶圆，包括：第1清洗工序，对所述晶圆的正面、背面及端面的所有面供给含有O3的清洗液而进行旋转清洗；第2清洗工序，在所述第1清洗工序之后，对所述晶圆的背面及端面供给清洗液，通过辊型刷进行清洗；第3清洗工序，在所述第2清洗工序之后，对所述晶圆的正面供给含有O3的清洗液而进行旋转清洗；以及第4清洗工序，在所述第3清洗工序之后，对所述晶圆的正面供给含有HF的清洗液而进行旋转清洗。由此，提供一种外延晶圆的清洗方法，其在形成外延膜后进行，且用于在半导体器件制造程序中制造从晶圆的背面及边缘部的微粒附着为最小限度的外延晶圆。
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公开(公告)号：CN1579014A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN02821402.1
申请日：2002-10-25
Applicant: 信越半导体株式会社 , 罗代尔霓塔股份有限公司
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02024 , B24B37/042 , B24B37/24 , Y10T428/249955
Abstract: 本发明提供一种有效防止晶片的外周塌边的晶片研磨方法及非常适合该晶片研磨方法的晶片研磨用研磨垫。在使树脂浸渍在无纺布中的研磨垫上，滑接晶片主面而进行镜面研磨的晶片研磨方法中，将上述研磨垫的表粗糙度和压缩率的比{表粗糙度Ra(μm)/压缩率(％)}设定在3.8以上进行研磨。
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公开(公告)号：CN1394355A
公开(公告)日：2003-01-29
申请号：CN01803238.9
申请日：2001-10-22
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: H01L21/02024 , B24B37/345
Abstract: 本发明提供一种单晶片的制造方法及研磨装置以及单晶片，控制单晶片外周部的塌边，特别是使近年来所要求的毫微米拓朴的数值变佳。为了解决此课题，本发明的手段为：对于使单晶片表面镜面化的研磨工序中，为了产生单晶片的基准面，而进行单晶片的背面研磨。
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公开(公告)号：CN104114323B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201380009156.X
申请日：2013-01-28
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 桝村寿
IPC: B24B37/30 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/32 , H01L21/02024 , H01L21/304 , H01L2221/683
Abstract: 本发明是一种研磨头，其具备第一密封空间部，该第一密封空间部由环形刚性环、粘贴于上述刚性环的弹性膜、以及相对于上述刚性环能够在上下方向移动地连结的中板形成，且能够充入不可压缩性流体，上述研磨头进一步具备调整上述中板的上下方向的位置的中板位置调整单元，利用平台上的砂布研磨保持于上述弹性膜的下表面部的工件，上述研磨头通过利用上述中板位置调整单元来调整上述中板的上下方向的位置，能够调整上述弹性膜的下表面部的形状。由此，能够均匀地研磨至工件的最外周部而不会在工件表面产生缺陷，且在研磨后能够从砂布容易地剥离工件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103702798A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201280029952.5
申请日：2012-05-28
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 桝村寿
CPC classification number: B23Q3/107 , B24B37/30 , H01L21/02024 , H01L22/12 , H01L22/20 , Y10T29/49998
Abstract: 本发明是一种用于在使工件(W)的表面与粘贴于平台(3)上的砂布(2)滑动接触而进行研磨时保持上述工件的研磨头(1)，该研磨头的特征是，至少具有：用于保持上述工件的背面的、由陶瓷构成且具有挠性的工件保持盘(12)；形成于该工件保持盘的与保持上述工件侧相反的面上的密封空间(14)；以及控制该密封空间内的压力的压力控制单元(15)，通过利用上述压力控制单元控制上述密封空间内的压力，能够将上述具有挠性的工件保持盘的形状调节成中凸形状或中凹形状。由此，提供一种能够抑制背衬膜(13a)的使用期限初期的外周部的上翘，并能够将工件研磨成高平坦而不受工件的研磨前的形状所限的研磨头、研磨装置、以及工件的研磨方法。
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公开(公告)号：CN1312740C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN02819209.5
申请日：2002-09-27
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: B24B37/30
Abstract: 本发明提供工件保持盘，具有用于保持工件的一主面、将另一主面镜面研磨的工件保持盘本体，在前述工件保持盘的工件保持面形成微小的孔。本发明的工件研磨装置，具备具有将工件真空吸附保持的贯通孔的工件保持盘本体的用于研磨的工件保持盘，该工件研磨装置具备覆盖前述保持面的树脂的热膨胀系数是3×10-5/K以下的用于研磨的工件保持盘、及本发明用于研磨的工件保持盘；本发明的工件研磨方法，用于研磨的工件保持盘的保持面上覆盖热膨胀系数是3×10-5/K以下的树脂，通过将该保持面的工件的背面真空吸附保持，接着将该工件与研磨布接触来将工件的表面研磨。由此提供毫微表面状态等级的凹凸不发生地研磨晶片的研磨装置及研磨方法、及工件保持盘。
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公开(公告)号：CN1299335C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN02821402.1
申请日：2002-10-25
Applicant: 信越半导体株式会社 , 罗代尔霓塔股份有限公司
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02024 , B24B37/042 , B24B37/24 , Y10T428/249955
Abstract: 本发明提供一种有效防止晶片的外周塌边的晶片研磨方法及非常适合该晶片研磨方法的晶片研磨用研磨垫。在使树脂浸渍在无纺布中的研磨垫上，滑接晶片主面而进行镜面研磨的晶片研磨方法中，将上述研磨垫的表粗糙度和压缩率的比{表粗糙度Ra(μm)/压缩率(%)}设定在3.8以上进行研磨。
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公开(公告)号：CN109661715B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201780054077.9
申请日：2017-07-06
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/455
Abstract: 气相生长装置1包括反应炉2、导入通路8、多条流路15a、分支路14a、及分割通路16b。反应炉2通过原料气体使外延层气相生长于基板W。导入通路8包括：入口8a，其通往反应炉2内；出口8b，其位于入口8a的上方且较入口8a靠反应炉2侧并且到达反应炉2内；及阶部8c，其位于导入通路8内。多条流路15a为32条以上，且自入口8a延伸至入口8a的外侧。分支路14a使多条流路15a自入口8a侧朝向原料气体的上游侧呈竞赛状合流。分割通路16b为将导入通路8与多条流路15a对应地分割而成的通路，且分别与多条流路15a连接并相通。由此，提供一种气相生长装置，其能够使生长于基板上的外延层的膜厚的均匀性良好。
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公开(公告)号：CN104114323A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201380009156.X
申请日：2013-01-28
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 桝村寿
IPC: B24B37/30 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/32 , H01L21/02024 , H01L21/304 , H01L2221/683
Abstract: 本发明是一种研磨头，其具备第一密封空间部，该第一密封空间部由环形刚性环、粘贴于上述刚性环的弹性膜、以及相对于上述刚性环能够在上下方向移动地连结的中板形成，且能够充入不可压缩性流体，上述研磨头进一步具备调整上述中板的上下方向的位置的中板位置调整单元，利用平台上的砂布研磨保持于上述弹性膜的下表面部的工件，上述研磨头通过利用上述中板位置调整单元来调整上述中板的上下方向的位置，能够调整上述弹性膜的下表面部的形状。由此，能够均匀地研磨至工件的最外周部而不会在工件表面产生缺陷，且在研磨后能够从砂布容易地剥离工件。
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