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公开(公告)号：CN1394355A
公开(公告)日：2003-01-29
申请号：CN01803238.9
申请日：2001-10-22
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: H01L21/02024 , B24B37/345
Abstract: 本发明提供一种单晶片的制造方法及研磨装置以及单晶片，控制单晶片外周部的塌边，特别是使近年来所要求的毫微米拓朴的数值变佳。为了解决此课题，本发明的手段为：对于使单晶片表面镜面化的研磨工序中，为了产生单晶片的基准面，而进行单晶片的背面研磨。
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公开(公告)号：CN1188326A
公开(公告)日：1998-07-22
申请号：CN97119991.4
申请日：1997-10-30
Applicant: 普雷帝克股份有限公司 , 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/02 , B08B3/10 , B08B3/12 , B08B2203/0288 , G11B23/505 , H01L21/67051 , Y10S134/902
Abstract: 一种清洗装置,包括一夹持待清洗的基片(1)的基片夹持装置以及把清洗液喷射到基片上的清洗液喷射装置(2)。该清洗液喷射装置包括一生成原子团激活或电离化纯水的电解离子生成件和一超声波发生器,从而把载于超声波上的原子团激活或电离化的纯水喷射到基片上。该清洗液喷射装置本身产生OH－离子化水和H+离子化水并把它们作为清洗液喷射到待清洗的一基片上并能把OH－离子化水和H+离子化水之一选择性地用作一种清洗液。
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公开(公告)号：CN1217387C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN01803238.9
申请日：2001-10-22
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: H01L21/02024 , B24B37/345
Abstract: 本发明提供一种单晶片的制造方法及研磨装置以及单晶片，控制单晶片外周部的塌边，特别是使近年来所要求的毫微米拓朴的数值变佳。为了解决此课题，本发明的手段为：对于使单晶片表面镜面化的研磨工序中，为了产生单晶片的基准面，而进行单晶片的背面研磨。
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公开(公告)号：CN1084525C
公开(公告)日：2002-05-08
申请号：CN97119991.4
申请日：1997-10-30
Applicant: 普雷帝克股份有限公司 , 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/02 , B08B3/10 , B08B3/12 , B08B2203/0288 , G11B23/505 , H01L21/67051 , Y10S134/902
Abstract: 一种清洗装置，包括一夹持待清洗的基片(1)的基片夹持装置以及把清洗液喷射到基片上的清洗液喷射装置(2)。该清洗液喷射装置包括一生成原子团激活或电离化纯水的电解离子生成件和一超声波发生器，从而把载于超声波上的原子团激活或电离化的纯水喷射到基片上。该清洗液喷射装置本身产生OH-离子化水和H+离子化水并把它们作为清洗液喷射到待清洗的一基片上并能把OH-离子化水和H+离子化水之一选择性地用作一种清洗液。
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