一种高速低成本光谱共焦位移测量方法及装置

    公开(公告)号:CN113074644B

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202110355600.X

    申请日:2021-04-01

    Abstract: 本发明公开了一种高速低成本光谱共焦位移测量方法及装置,装置包括控制器、照明模块、Y型光纤、探测模块、色散镜头、待测元件、标定模块;照明模块电动控制多组LED,提供覆盖全部可见光波段的光源;光源耦合入Y型光纤,出射光进入色散镜头被聚焦至待测元件表面,波长不同时聚焦光点位置不同,待测元件表面反射光返回Y型光纤;探测模块测量待测元件表面上时反射光光强;标定模块用于标定色散镜头位置与探测模块模拟电压信号之间的关系;控制器根据不同LED照明时的光强数据计算聚焦光点波长及其对应的待测元件表面位置信息。本发明通过使用多波长光源照明及高速点探测器方法,克服了传统光谱共焦技术使用光谱仪速度慢且成本高的缺陷。

    一种高速低成本光谱共焦位移测量方法及装置

    公开(公告)号:CN113074644A

    公开(公告)日:2021-07-06

    申请号:CN202110355600.X

    申请日:2021-04-01

    Abstract: 本发明公开了一种高速低成本光谱共焦位移测量方法及装置,装置包括控制器、照明模块、Y型光纤、探测模块、色散镜头、待测元件、标定模块;照明模块电动控制多组LED,提供覆盖全部可见光波段的光源;光源耦合入Y型光纤,出射光进入色散镜头被聚焦至待测元件表面,波长不同时聚焦光点位置不同,待测元件表面反射光返回Y型光纤;探测模块测量待测元件表面上时反射光光强;标定模块用于标定色散镜头位置与探测模块模拟电压信号之间的关系;控制器根据不同LED照明时的光强数据计算聚焦光点波长及其对应的待测元件表面位置信息。本发明通过使用多波长光源照明及高速点探测器方法,克服了传统光谱共焦技术使用光谱仪速度慢且成本高的缺陷。

    一种孤立ZnO微米棒的制备方法

    公开(公告)号:CN112158875A

    公开(公告)日:2021-01-01

    申请号:CN202011070427.0

    申请日:2020-10-09

    Abstract: 一种孤立ZnO微米棒的制备方法,包括如下步骤:清洗单晶硅衬底,吹干后放入衬底托盘;将衬底载入真空室,对真空室腔体抽真空;对Au和Ti靶材进行预处理;采用电子束沉积法沉积Au/Ti薄膜,衬底温度为室温,沉积电压为10KV,沉积Au和Ti的厚度分别为50nm和20nm;采用水热法在衬底上生长ZnO微米棒,前驱体为硝酸锌和六次甲基四胺,溶剂为去离子水,生长温度为70‑90摄氏度;生长结束后取出样品用去离子水清洗干净后晾干。采用本发明方法制备的ZnO微米棒在金属表面生长,易于剥离,是制备单微纳米光电子器件的理想材料。

    一种高检测效率高分辨率的光滑表面质量测量装置及方法

    公开(公告)号:CN109765242A

    公开(公告)日:2019-05-17

    申请号:CN201910036386.4

    申请日:2019-01-15

    Abstract: 本发明公开了一种高检测效率高分辨率的光滑表面质量测量装置,包括上位机、电子控制模块、低倍成像模块、调焦机构、高倍成像模块、样件夹持装置、Y轴电动平移台及X轴电动平移台;低倍成像模块对待测样件表面进行高速低倍成像,定位缺陷位置;高倍成像模块用于精确测量缺陷尺寸;调焦机构在由低倍放大镜头切换为高倍放大镜头时开始工作,保证测量平面位于镜头的景深范围内。本发明通过拍摄表面缺陷图片进行图像处理的方式获得缺陷的规格,相比人工检测技术显著提高了测量结果的准确性及重复性。本发明通过首先使用低倍镜头定位缺陷,然后使用高倍镜头测量缺陷尺寸的方式显著提高了测量的速度,相比一般机器视觉的方法效率更高。

    一种基于色差的自动对焦机器视觉测量装置及方法

    公开(公告)号:CN109714535A

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201910036331.3

    申请日:2019-01-15

    Abstract: 本发明公开了一种基于色差的自动对焦机器视觉测量装置及方法,装置包括上位机、标定板、成像模块、照明模块、电动平移台、照明驱动模块、电机驱动模块和电源模块;待测物体放置于电动平移台上,电动平移台控制待测物体位置;照明模块轮流点亮不同中心波长处的LED,照明待测物体;上位机采集成像模块拍摄的图像信息;上位机在多幅图像中选择对比度最高的图像作为聚焦图像并进行后续图像处理。本发明通过控制光源波长代替电机移动,消除了聚焦过程中的震动,速度更快,可靠性更高,结构及控制简单,且成本较低,只需更换原装置中的镜头及照明光源即可,无需增加额外元器件,易于改进现有设备实现,有助于推广该技术的应用。

    一种ZnS碳量子点日盲紫外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN108649082A

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201810347600.3

    申请日:2018-04-18

    Abstract: 本发明公开了一种ZnS碳量子点日盲紫外探测器及其制备方法,所述日盲紫外探测器包括ZnS量子点-碳量子点混合层。其制备方法是先分别制备ZnS量子点溶液和碳量子点溶液,然后将其按一定比例混合后通过印刷、滴涂或旋涂的方式在印有金属电极的基底上制成ZnS量子点-碳量子点混合层。本发明解决了基于ZnS量子点的日盲紫外探测器中,由于ZnS量子点载流子迁移率低而导致器件光电流、响应度和探测度偏低的问题,提供了一种ZnS碳量子点日盲紫外探测器及其制备方法,利用碳量子点作为载流子传输层,可以极大程度的提高探测器的光响应电流,从而提高响应度,达到提高器件性能的目的。

    一种非接触光学元件表面面形测量装置及方法

    公开(公告)号:CN109974583B

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN201910287491.5

    申请日:2019-04-11

    Abstract: 一种非接触光学元件表面面形测量装置及方法,包括上位机、电子控制模块、探头支撑结构、光学探头、待测元件、元件夹持装置、Z轴电动平移台、千分表及XY轴电动平移台。光学探头向待测元件表面投影聚焦光点,光点反射回物镜后通过三孔光阑形成三孔亮斑。由于亮斑之间距离与光点高度位置有关,因此实时采集图像计算亮斑之间距离可获得表面厚度。为了增加高度测量范围,使用Z轴电动平移台上下移动待测元件并使用千分表测量元件位置。相比传统的接触式面形测量系统,本发明具有非接触的优点,可避免影响元件表面并同时获得大测量范围及高精度。

    一种alpha相氧化镓薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN112126897B

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN202011070429.X

    申请日:2020-10-09

    Abstract: 一种alpha相氧化镓薄膜的制备方法,包括如下步骤:对m面蓝宝石衬底进行清洗,吹干后放入衬底托盘;将衬底载入真空室,待真空室的真空度达到3×10‑6 Pa后,通入高纯氩气,气体流量控制在40 sccm,调节真空室真空度为1Pa;对高纯Ga2O3陶瓷靶材进行预处理;采用磁控溅射法在衬底上沉积薄膜,衬底温度为25摄氏度,射频功率设置为40W,沉积时间为2小时;将制备好的薄膜放入管式炉中进行后退火处理,后退火温度为500‑800摄氏度,退火时间为2小时。本发明方法制备的alpha相氧化镓薄膜沉积面积大且粒径分布均匀。

    一种基于Bessel光束离焦扫描的微纳结构特征参数测量方法及装置

    公开(公告)号:CN113074917A

    公开(公告)日:2021-07-06

    申请号:CN202110355599.0

    申请日:2021-04-01

    Abstract: 本发明公开了一种基于Bessel光束离焦扫描的微纳结构特征参数测量方法及装置,装置包括上位机、控制器、电源模块、测量模块、电动聚焦平移台、电动扫描平移台和待测样品;电动聚焦平移台带动测量模块连续移动,改变其与待测样品表面的距离,使得聚焦光点成像的状态从离焦至聚焦至离焦连续发生变化,移动中拍摄待测样品表面图像;电动扫描平移台用于改变待测样品表面的测量区域;所述测量模块通过Bessel光束实现待测样品表面成像;上位机包括不同微纳结构特征参数所对应的三维图像栈分布数据库,通过分析待测样品表面图像形成图像栈,与数据库进行对比确定微纳结构特征参数。本发明为非接触测量,不会损伤表面且成本较低,效果更优。

    一种alpha相氧化镓薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN112126897A

    公开(公告)日:2020-12-25

    申请号:CN202011070429.X

    申请日:2020-10-09

    Abstract: 一种alpha相氧化镓薄膜的制备方法,包括如下步骤:对m面蓝宝石衬底进行清洗,吹干后放入衬底托盘;将衬底载入真空室,待真空室的真空度达到3×10‑6 Pa后,通入高纯氩气,气体流量控制在40 sccm,调节真空室真空度为1Pa;对高纯Ga2O3陶瓷靶材进行预处理;采用磁控溅射法在衬底上沉积薄膜,衬底温度为25摄氏度,射频功率设置为40W,沉积时间为2小时;将制备好的薄膜放入管式炉中进行后退火处理,后退火温度为500‑800摄氏度,退火时间为2小时。本发明方法制备的alpha相氧化镓薄膜沉积面积大且粒径分布均匀。

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