一种基于二次训练的高光谱图像分类方法及系统

    公开(公告)号:CN118230023A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202410182358.4

    申请日:2024-02-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于二次训练的高光谱图像分类方法及系统,涉及高光谱图像分类技术领域,通过Transformer分类模型进行有监督学习得到像素的高阶分类向量,构建与分类模型相同结构的二次训练模型,将像素块中的部分像素与中心像素输入模型,输出得到二次分类向量,根据高阶分类向量与二次分类向量之间差异作为损失,优化二次训练模型的参数,连接高阶分类向量与二次分类向量并输入线性分类模型,得到像素的分类概率。利用少量有标记数据微调线性分类模型,将待分类的像素分别利用训练好的Transformer分类模型、二次训练模型、线性分类模型,得到像素的分类概率,选择最大概率所在类别作为标签,即可实现高光谱图像分类。

    一种高光谱图像异常检测方法

    公开(公告)号:CN118135205A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202410544586.1

    申请日:2024-05-06

    Abstract: 本发明公开了一种高光谱图像异常检测方法,包括:对待检测的高光谱图像矩阵进行分割,获取固定窗口区域和超像素的区域;将待检测的高光谱图像矩阵转换为全局二维图像矩阵;针对全局二维图像矩阵、固定窗口区域和超像素的区域,分别使用锚点生成模型处理和局部马氏距离模型处理,获得三种异常检测结果;将三种异常检测结果考虑逻辑“或”“与”操作进行融合,得到最终异常检测结果。提升了高光谱图像异常检测的准确性。

    基于GeSe二维纳米材料红外光谱探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114709291A

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN202210345928.8

    申请日:2022-03-31

    Abstract: 本发明公开一种基于GeSe二维纳米材料红外光谱探测器及其制备方法,属于红外光谱探测器器件领域,该红外光谱探测器包括基底上利用泼墨打印形成的栅极电极,绝缘层,源漏电极,二维纳米材料层,半导体有源层,本发明能够感知宽光谱红外信号并且将光信号转化为电信号,结合机器学习的方法来进行光谱的分光识别和处理,代替了传统光谱传感器利用光栅进行分光,所用的二维纳米GeSe片在红外波段感光性强,提高了光谱传感器灵敏度,此外该材料构成的传感器靶面与读出电路匹配,器件的集成度高。

    一种量子点异质结日盲紫外探测芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN112436070A

    公开(公告)日:2021-03-02

    申请号:CN202011381986.3

    申请日:2020-12-01

    Abstract: 本发明公开了一种量子点异质结日盲紫外探测芯片及其制备方法,该芯片自下至上依次为基底、底栅电极、栅绝缘层、p型半导体层、本征层和n型半导体层,p型半导体层上设置有源电极,n型半导体层上设置有漏电极,p型半导体层、本征层和n型半导体层构成p‑i‑n异质结场效应沟道,该芯片的制备方法包括以下步骤:(1)在基底制备底栅电极;(2)制备栅绝缘层;(3)制备p型半导体层;(4)制备源电极;(5)制备宽禁带半导体量子点本征层;(6)制备n型半导体层;(7)制备漏电极。该芯片能够在提高内量子效率同时降低暗电流,加速分离光生电子和空穴,使光生电子和空穴分别快速转移到n区和p区,继而分别到达源电极和漏电极,提高其响应度。

    具有高紫外摩尔吸光系数的硫化锌量子点及其制备方法

    公开(公告)号:CN107267142A

    公开(公告)日:2017-10-20

    申请号:CN201710543758.3

    申请日:2017-07-05

    Abstract: 本发明提供了一种具有高紫外摩尔吸光系数的硫化锌量子点及其制备方法。其制备步骤如下:将70℃的乙酸锌乙醇溶液与0℃的硫代乙酰胺乙醇溶液混合,在60℃恒定温度强力搅拌下,通过控制生长时间调整ZnS量子点的尺寸。提纯过程,加入正庚烷,离心析出。再次加入正庚烷/乙醇混合溶液(体积比例4:1),溶解后再次离心,干燥得到产物,可悬浮于乙醇中以用于喷涂、印刷工艺。与现有技术相比,其显著优点是:本发明所制备ZnS量子点具有较高的摩尔吸光系数,制备工艺非常的简单。所制备的ZnS量子点,直径在2nm附近。禁带宽度可达4.23eV,可用于日盲紫外光电探测。

    一种基于红外高光谱的纺织品成分定量反演方法

    公开(公告)号:CN117740727B

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202410182019.6

    申请日:2024-02-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于红外高光谱的纺织品成分定量反演方法,包括:S1利用近红外光谱分析仪对羊毛、涤纶、棉纺织样本布料进行红外高光谱数据采集;S2将采集到的样本布料的红外高光谱数据进行数据预处理;S3建立布料成分分析随机森林回归模型,获取模型的评价指标;S4利用麻雀搜索算法优化随机森林模型,寻找随机森林回归算法中的mtry最优值构建模型;S5将羊毛、涤纶、棉纺织样本布料高光谱训练集数据输入已建立的模型进行训练,将测试集数据输入至已建立的随机森林回归模型进行测试,获取模型的评价指标;S6获取待测布料的光谱数据,并按S2方法得到布料光谱处理后的数据,将数据输入到经过优化后的随机森林回归模型中,进行布料成分分析。

    点云区间配对体积方差一致性的配准方法、装置和系统

    公开(公告)号:CN117788538B

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202410211297.X

    申请日:2024-02-27

    Abstract: 本发明公开了点云区间配对体积方差一致性的配准方法、装置和系统,涉及三维激光点云处理技术领域,包括:对待配准点云数据进行降采样处理,选取降采样处理后的待配准点云数据中任意一点作为中心点,运用k近邻算法找到离中心点最近的k个点;对选取的每个中心点和中心点周围的k个点计算局部方向中心性度量,得到源点云和目标点云所有点的局部方向中心性度量值;将局部方向中心性度量值进行排序,找到最大值和最小值,将最大值和最小值进行等分的区间划分,得到若干个区间;统计每个区间内局部方向中心性度量值的个数,并计算每个区间内局部方向中心性度量值的个数与局部方向中心性度量值的总数的比值;将比值进行比较,对配准精度进行判定。

    一种大尺寸氯溴化铯铜晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN114703539B

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN202210345908.0

    申请日:2022-03-31

    Abstract: 本发明涉及晶体材料制备技术领域,尤其是一种大尺寸氯溴化铯铜晶体的制备方法,现提出如下方案,制备方法包括如下步骤:将等摩尔的CsBr和CuBr2混合、研磨得到第一多晶粉体;将等摩尔的CsCl和CuCl2混合、研磨得到第二多晶粉体;将第一多晶粉体和第二多晶粉体混合并研磨;将混合多晶粉体溶解于去离子水形成晶体生长母液,将晶体生长母液置于35℃‑40℃下,再恒温蒸发溶剂得到氯溴化铯铜晶体。本发明制备的新型混合卤素钙钛矿CsCu(Br1‑xClx)3材料,采用固相研磨法与水溶液蒸发法相结合,具有合成工艺简单,溶剂无污染,生长周期短的优点,可以得到高质量、大尺寸的CsCu(Br1‑xClx)3晶体。

    一种基于多波段激光光谱的类器官芯片检测系统

    公开(公告)号:CN116380831A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202211690148.3

    申请日:2022-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种基于多波段激光光谱的类器官芯片检测系统,包括主控处理模块,还包括:多路阵列激光模块以及光纤耦合器模块,所述光纤耦合器模块上连接有类器官芯片正常细胞培养系统以及类器官芯片癌细胞培养系统;锁相放大器模块,与主控处理模块连接,用于对接收的信号进行锁相放大转化成电信号并出入主控处理模块;以及双路MEMS‑SPI光谱传感器模块,与类器官芯片癌细胞培养系统连接且通过光纤衰减器模块与类器官芯片正常细胞培养系统连接,用于接收来自类器官芯片正常细胞培养系统以及类器官芯片癌细胞培养系统的红外光信号;本发明能够通过光谱传感器对液体成分进行检测,检测类器官芯片培养特征的微量细胞培养液的成分和浓度。

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