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公开(公告)号：CN114855259A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210344261.X
申请日：2022-03-31
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明涉及氯化铯铜晶体制备技术领域，尤其是一种大尺寸氯化铯铜晶体的制备方法，现提出如下方案，其包括如下步骤：将CsCl和CuCl2混合、研磨得到多晶粉体，将多晶粉体溶解在去离子水中形成晶体生长母液，将晶体生长母液置于40℃下恒温蒸发，得到氯化铯铜晶体。本发明制备方法制备得到的氯化铯铜晶体物相纯，生长溶剂无污染，溶液透明，便于实时观测；可获得可以得到高质量、大尺寸形貌较好的单晶，本发明的工艺采用固相研磨法与水溶液蒸发法相结合，具有合成工艺简单，溶剂无污染，生长周期短的优点。
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公开(公告)号：CN107267142A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710543758.3
申请日：2017-07-05
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明提供了一种具有高紫外摩尔吸光系数的硫化锌量子点及其制备方法。其制备步骤如下：将70℃的乙酸锌乙醇溶液与0℃的硫代乙酰胺乙醇溶液混合，在60℃恒定温度强力搅拌下，通过控制生长时间调整ZnS量子点的尺寸。提纯过程，加入正庚烷，离心析出。再次加入正庚烷/乙醇混合溶液(体积比例4:1)，溶解后再次离心，干燥得到产物，可悬浮于乙醇中以用于喷涂、印刷工艺。与现有技术相比，其显著优点是：本发明所制备ZnS量子点具有较高的摩尔吸光系数，制备工艺非常的简单。所制备的ZnS量子点，直径在2nm附近。禁带宽度可达4.23eV，可用于日盲紫外光电探测。
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公开(公告)号：CN103225076B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201310172642.5
申请日：2013-05-10
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明采用磁控溅射技术通过在石墨烯表面嵌入金属元素形成柱状的柱状阵列结构，通过表面微结构化起到降低摩擦，提高耐磨寿命的目的。本发明的耐磨石墨烯表面改性方法包括1）化学气相沉积法制备石墨烯：2）石墨烯表面嵌入柱状的阵列结构：所述石墨烯表面嵌入柱状的阵列结构分为以下几步：第一步，将石墨烯及衬底放入磁控溅射炉内，石墨烯表面放置金属掩膜板，金属掩膜板设有呈阵列排布的孔，源极为99.99%纯金属靶；第二步，打开真空泵，将磁控溅射炉内抽到极限真空1.0～5.0×10-5Pa，充入高纯氩气到2～6Pa，对试样进行1～3分钟左右预轰击；第三步，室温状态下，以30～80W功率进行溅射，溅射时间为10～15min；第四步，关闭源极电源，将炉内抽到极限真空，冷却到室温出炉。
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公开(公告)号：CN103225076A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310172642.5
申请日：2013-05-10
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明采用磁控溅射技术通过在石墨烯表面嵌入金属元素形成柱状的柱状阵列结构，通过表面微结构化起到降低摩擦，提高耐磨寿命的目的。本发明的耐磨石墨烯表面改性方法包括1）化学气相沉积法制备石墨烯：2）石墨烯表面嵌入柱状的阵列结构：所述石墨烯表面嵌入柱状的阵列结构分为以下几步：第一步，将石墨烯及衬底放入磁控溅射炉内，石墨烯表面放置金属掩膜板，金属掩膜板设有呈阵列排布的孔，源极为99.99%纯金属靶；第二步，打开真空泵，将磁控溅射炉内抽到极限真空1.0～5.0×10-5Pa，充入高纯氩气到2～6Pa，对试样进行1～3分钟左右预轰击；第三步，室温状态下，以30～80W功率进行溅射，溅射时间为10～15min；第四步，关闭源极电源，将炉内抽到极限真空，冷却到室温出炉。
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公开(公告)号：CN103193476A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310160017.9
申请日：2013-05-03
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供制备纯相BiFeO3陶瓷的湿化学方法，涉及无机非金属材料领域。该方法为：将Fe(NO3)3·9H2O和Bi(NO3)3·5H2O溶于水，加入酒石酸，然后在90-150℃持续搅拌，直到溶液为粘稠状，停止搅拌，烘干，在380-420℃预烧3-5h，研磨后得到前驱物粉末；将前驱物粉末在500-600℃预烧2-4h得到BiFeO3粉末；将BiFeO3粉末研磨、压片后得到BiFeO3陶瓷坯体；将BiFeO3陶瓷坯体在700-800℃密封烧结1-2h，得到纯相BiFeO3陶瓷。本发明工艺简单，得到的纯相BiFeO3陶瓷致密，颗粒的大小可以通过烧结温度进行调控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112126897B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202011070429.X
申请日：2020-10-09
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 一种alpha相氧化镓薄膜的制备方法，包括如下步骤：对m面蓝宝石衬底进行清洗，吹干后放入衬底托盘；将衬底载入真空室，待真空室的真空度达到3×10‑6 Pa后，通入高纯氩气，气体流量控制在40 sccm，调节真空室真空度为1Pa；对高纯Ga2O3陶瓷靶材进行预处理；采用磁控溅射法在衬底上沉积薄膜，衬底温度为25摄氏度，射频功率设置为40W，沉积时间为2小时；将制备好的薄膜放入管式炉中进行后退火处理，后退火温度为500‑800摄氏度，退火时间为2小时。本发明方法制备的alpha相氧化镓薄膜沉积面积大且粒径分布均匀。
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公开(公告)号：CN112126897A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011070429.X
申请日：2020-10-09
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 一种alpha相氧化镓薄膜的制备方法，包括如下步骤：对m面蓝宝石衬底进行清洗，吹干后放入衬底托盘；将衬底载入真空室，待真空室的真空度达到3×10‑6 Pa后，通入高纯氩气，气体流量控制在40 sccm，调节真空室真空度为1Pa；对高纯Ga2O3陶瓷靶材进行预处理；采用磁控溅射法在衬底上沉积薄膜，衬底温度为25摄氏度，射频功率设置为40W，沉积时间为2小时；将制备好的薄膜放入管式炉中进行后退火处理，后退火温度为500‑800摄氏度，退火时间为2小时。本发明方法制备的alpha相氧化镓薄膜沉积面积大且粒径分布均匀。
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公开(公告)号：CN110616461A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910989848.4
申请日：2019-10-17
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种Cs2AgBiBr6型双钙钛矿晶体的制备方法，该方法采用降温法按摩尔比CsBr：BiBr3：AgBr=2:1:1的比例量取CsBr溶液、BiBr3溶液和AgBr粉体，先在常温下将CsBr溶液和BiBr3溶液相混合并充分搅拌，然后加入AgBr粉体，得到橙黄色母液，通过上层溶液生长并对降温合理控制，可以获得到高质量的Cs2AgBiBr6晶体。制备方法简单，不含有毒物质，为制备基于Cs2AgBiBr6型双钙钛矿晶体的光电器件的性能提供材料和理论基础。本发明制备设备简单，结晶组分单一，符合剂量比，结晶质量好。
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公开(公告)号：CN103193476B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201310160017.9
申请日：2013-05-03
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供制备纯相BiFeO3陶瓷的湿化学方法，涉及无机非金属材料领域。该方法为：将Fe(NO3)3·9H2O和Bi(NO3)3·5H2O溶于水，加入酒石酸，然后在90-150℃持续搅拌，直到溶液为粘稠状，停止搅拌，烘干，在380-420℃预烧3-5h，研磨后得到前驱物粉末；将前驱物粉末在500-600℃预烧2-4h得到BiFeO3粉末；将BiFeO3粉末研磨、压片后得到BiFeO3陶瓷胚体；将BiFeO3陶瓷胚体在700-800℃密封烧结1-2h，得到纯相BiFeO3陶瓷。本发明工艺简单，得到的纯相BiFeO3陶瓷致密，颗粒的大小可以通过烧结温度进行调控。
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公开(公告)号：CN102311138A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110223849.1
申请日：2011-08-05
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 掺钕钆钪铝石榴石纳米粉体的制备方法，步骤为：a.配制Gd(NO3)3、Nd(NO3)3、Sc(NO3)3、Al(NO3)3溶液；b.称取NH4HCO3，用水溶解，在反应器内先加入体积占反应器1/10的碳酸氢铵溶液；c.将硝酸盐和碳酸氢铵同步、同速滴加到反应器内并对反应器内溶液进行充分的搅拌；d.反应器内得到白色糊状物，并进行离心沉淀，收集离心管底部沉淀，然后再将沉淀先后分散于乙醇溶液、水中，进行再次沉淀；e.收集经离心沉淀后的前驱物粉体，烘干并研磨；f.收集研磨后的粉体，放入马弗炉进行煅烧，获得目标粉体。合成原理及操作过程简单，烧结温度和烧结时间较短，降低了合成成本。
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