公开(公告)号：CN104335329B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201480001188.X

申请日：2014-03-04

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 大田乡史 ,  矢吹朗

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J11/06 ,  C09J201/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/245 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2427/006 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834

Abstract: 本发明的半导体晶片加工用胶带在基材片上具有粘合剂层，基材片的从下述状态起的应力松弛的时间变化中，0～5秒的反弹力的时间变化(A)为0.23N/s～0.28N/s，且与超过5秒至10秒为止的反弹力的时间变化(B)的比(B)/(A)为0.40～0.45，所述状态为在所述基材片的厚度方向以1mm/min压入前端形状R＝5.0±0.1mm(即R＝4.9～5.1mm)的压头、并保持来自该基材片的反弹力为50N的位移的状态。

公开(公告)号：CN105684131A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201480057866.4

申请日：2014-03-03

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 玉川有理 ,  大田乡史 ,  矢吹朗 ,  服部聪

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02

CPC classification number: C09J133/00 ,  C08L2203/20 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/122 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00

Abstract: 本发明提供一种半导体加工用粘合带，其在使用支撑构件的半导体元件制造工序中，即使在用于清洗将支撑构件贴合于半导体晶片的粘接剂的残渣的清洗液淋到粘合剂的情况下，粘合剂亦不会溶解并污染半导体元件，且具备支撑构件的物理性、机械性剥离时所需的牢固的粘接性。本发明的半导体加工用粘合带为于基材树脂薄膜的至少一个面上形成有辐射线固化性的粘合剂层的半导体加工用粘合带，其特征在于，所述粘合剂层的紫外线照射前的凝胶百分数为65％以上且100％以下，且所述粘合剂层的紫外线照射前的探针粘性试验(probe tack test)的峰值为100～600kPa。

公开(公告)号：CN104335329A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201480001188.X

申请日：2014-03-04

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 大田乡史 ,  矢吹朗

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J11/06 ,  C09J201/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/245 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2427/006 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834

Abstract: 本发明的半导体晶片加工用胶带在基材片上具有粘合剂层，基材片的从下述状态起的应力松弛的时间变化中，0～5秒的反弹力的时间变化(A)为0.23N/s～0.28N/s，且与超过5秒至10秒为止的反弹力的时间变化(B)的比(B)/(A)为0.40～0.45，所述状态为在所述基材片的厚度方向以1mm/min压入前端形状R＝5.0±0.1mm(即R＝4.9～5.1mm)的压头、并保持来自该基材片的反弹力为50N的位移的状态。

公开(公告)号：CN103426743A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310170774.4

申请日：2013-05-10

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 玉川有理 ,  大田乡史 ,  矢吹朗 ,  服部聪

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/683 ,  B28D5/04

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的切割方法以及半导体加工用切割带，所述切割方法包括：(a)通过接合剂将支撑部件贴合在半导体晶片的电路面侧的工序；(b)对与该晶片的电路面相反一侧的背面进行薄片化加工的工序；(c)在与该晶片的电路面相反一侧的背面上，贴合至少具有紫外线固化型粘合剂层的切割带的工序；(d)将该晶片从该接合剂层以及支撑部件上剥离的工序；(e)使用有机溶剂对该半导体晶片上的该接合剂的残渣进行清洗的工序；以及(f)对该半导体晶片进行切断和芯片化的工序，其中，在所述(e)工序之前，所述切割带上未贴合有所述半导体晶片的区域的粘合剂层经紫外线照射进行了固化。

公开(公告)号：CN101903983A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200880121494.1

申请日：2008-12-17

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 矢吹朗 ,  矢野正三 ,  大田乡史 ,  玉川有理

IPC: H01L21/301 ,  B32B27/00 ,  C09J7/02 ,  C09J133/04

Abstract: 本发明提供一种晶圆粘贴用粘合片及晶圆的加工方法，所述晶圆粘贴用粘合片由基材膜(1)和在该基材膜上形成的粘合剂层(2)构成，其特征在于，使用将该粘合片加工成宽7mm的试样、利用动态粘弹性测定装置测定的损失系数(23℃、频率1～100Hz)为0.15以上；所述晶圆的加工方法含有在该晶圆粘贴用粘合片上贴合晶圆的工序和该晶圆的切割工序，并且，在切割工序中不切入至晶圆粘贴用粘合片的基材膜。

公开(公告)号：CN105694747B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201510870431.8

申请日：2015-12-02

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 青山真沙美 ,  大田乡史 ,  木村和宽 ,  佐久间登 ,  杉山二朗

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/40 ,  H01L21/68 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供一种晶片加工用带，其能够降低标签痕迹的产生，且能够降低空气(air)在粘接剂层与粘合膜之间的卷入。其特征在于，具有：长的脱模膜(11)；粘接剂层(12)，其设置在脱模膜(11)的第1面上、且具有规定的平面形状；粘合膜(13)，其具有标签部(13a)和包围标签部(13a)的外侧的周边部(13b)，标签部(13a)以覆盖粘接剂层(12)、且在粘接剂层(12)的周围与上述脱模膜(11)接触的方式设置，并且具有规定的平面形状；以及支承构件(14)，其设置在脱模膜(11)的与第1面相反的第2面上、且设置在脱模膜(11)的短边方向的两端部，支承构件(14)具有粘接剂层(12)的厚度的1.0倍以上且4.0倍以下的厚度。

公开(公告)号：CN105694746B

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201510870410.6

申请日：2015-12-02

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 杉山二朗 ,  青山真沙美 ,  佐久间登 ,  大田乡史 ,  木村和宽

IPC: C09J7/20 ,  H01L21/68 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明的课题在于提供一种晶片加工用带，其可以减少标签痕迹的产生、且可以减少在胶粘剂层与粘合膜之间卷入空气。其特征在于，具有：长的脱模膜(11)；胶粘剂层(12)，设置在脱模膜(11)的第1面上、且具有规定的平面形状；粘合膜(13)，具有标签部(13a)和包围标签部(13a)的外侧的周边部(13b)，标签部(13a)以覆盖胶粘剂层(12)、且在胶粘剂层(12)的周围与脱模膜(11)接触的方式设置，并且具有规定的平面形状；以及支承构件(14)，设置在脱模膜(11)的与第1面相反的第2面上，且设置于脱模膜(12)的短边方向的任意一个端部、并且设置在与第1面中的标签部(13a)的接触于脱模膜(12)的区域所达到的区域对应的区域。

公开(公告)号：CN105694747A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510870431.8

申请日：2015-12-02

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 青山真沙美 ,  大田乡史 ,  木村和宽 ,  佐久间登 ,  杉山二朗

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/68 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供一种晶片加工用带，其能够降低标签痕迹的产生，且能够降低空气(air)在粘接剂层与粘合膜之间的卷入。其特征在于，具有：长的脱模膜(11)；粘接剂层(12)，其设置在脱模膜(11)的第1面上、且具有规定的平面形状；粘合膜(13)，其具有标签部(13a)和包围标签部(13a)的外侧的周边部(13b)，标签部(13a)以覆盖粘接剂层(12)、且在粘接剂层(12)的周围与上述脱模膜(11)接触的方式设置，并且具有规定的平面形状；以及支承构件(14)，其设置在脱模膜(11)的与第1面相反的第2面上、且设置在脱模膜(11)的短边方向的两端部，支承构件(14)具有粘接剂层(12)的厚度的1.0倍以上且4.0倍以下的厚度。

公开(公告)号：CN105694745A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510870409.3

申请日：2015-12-02

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 杉山二朗 ,  青山真沙美 ,  佐久间登 ,  大田乡史 ,  木村和宽

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/683

CPC classification number: C09J7/20 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836

Abstract: 本发明的课题在于提供一种晶片加工用带，其可以减少标签痕迹的产生，且可以不论胶粘剂层的厚度如何地选择支承构件，同时可以减少在胶粘剂层与粘合膜之间卷入空气。其特征在于，具有：长的脱模膜(11)；胶粘剂层(12)，设置在脱模膜(11)的第1面上、且具有规定的平面形状；粘合膜(13)，具有标签部(13a)和包围标签部(13a)的外侧的周边部(13b)，标签部(13a)以覆盖胶粘剂层(12)、且在胶粘剂层(12)的周围与脱模膜(11)接触的方式设置，并且具有规定的平面形状；以及支承构件(14)，设置在脱模膜(11)的与第1面相反的第2面上，并且在包含与胶粘剂层(12)对应的部分、且不包含与标签部(13a)的在所述脱模膜(11)的短边方向上的端部对应的部分的区域内，沿脱模膜(11)的长边方向设置。

公开(公告)号：CN103370770B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201280008726.9

申请日：2012-10-22

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 玉川有理 ,  大田乡史 ,  矢吹朗 ,  服部聪

IPC: H01L21/301 ,  B32B27/00 ,  B32B27/32 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00

CPC classification number: B32B27/32 ,  B32B2250/03 ,  B32B2250/242 ,  B32B2250/40 ,  C09J7/29 ,  C09J2201/162 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/31 ,  C09J2423/006 ,  C09J2423/046 ,  C09J2423/166 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381

Abstract: 本发明的目的在于提供一种粘合胶带，其在半导体器件的加工中，能够在不需要新的设备改良、不需要导入消耗品的情况下防止半导体器件上的切削屑的附着，从而进行划片。本发明涉及一种粘合胶带，其是在对整体密封的封装体进行划片并单片化、分割成各个封装体时，为了固定整体密封的封装体而使用的粘合胶带（1），其中，在基材薄膜（3）上具有紫外线固化型粘合剂层（5），在紫外线照射前，粘合剂层（5）表面对纯水的接触角为115°以下、且对二碘甲烷的接触角为65°以下。