公开(公告)号：CN102754200B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201080054015.6

申请日：2010-12-21

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 横井启时 ,  冈祥文 ,  矢野正三

IPC: H01L21/683 ,  C09J5/02 ,  C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C08G18/6229 ,  C08G18/6254 ,  C09J7/20 ,  C09J133/00 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2433/003 ,  C09J2467/006 ,  C09J2475/003 ,  H01L2221/6834

Abstract: 本发明涉及半导体晶片表面保护用胶带，其具有基材树脂膜和隔着中间树脂层位于该基材树脂膜上的直接粘合剂层，所述中间树脂层是由含有丙烯酸聚合物和/或聚氨酯丙烯酸酯的基础树脂成分交联而成的，其中，在特定的条件下对该半导体晶片表面保护用胶带进行测定，由测得的环刚度的负载荷重求出反弹力α，反弹力α为13mN/mm以下，每单位宽度的反弹力α除以基材厚度β的平方所得到的反弹系数γ为100mN/mm3以上，并且，纵向与横向的拉伸断裂伸长率之差为35%以下。

公开(公告)号：CN102714151A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180005830.8

申请日：2011-03-29

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 矢吹朗 ,  矢野正三 ,  玉川有理

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J201/02 ,  H01L21/52

CPC classification number: C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2433/006 ,  H01L21/67132

Abstract: 本发明的课题在于提供一种半导体晶片加工用粘合片，该半导体晶片加工用粘合片即使是在晶片背面直接贴合有切割片的装置中，也能够在切割工序结束后容易地进行剥离，并且可显著减少污染物质的附着。本发明的半导体晶片加工用粘合片为由放射线透过性的基材树脂膜与该基材树脂膜上的粘合剂层形成的半导体晶片加工用粘合片，其中，该粘合剂层是由使用了下述放射线固化性树脂组合物(I)或放射线固化性树脂组合物(II)中的任意之一的层而构成的，所述放射线固化性树脂组合物(I)中，相对于以聚合物(a)为主成分的基础树脂100质量份，含有由凝胶渗透色谱法测定并以聚苯乙烯为标准物质进行换算的重均分子量小于1000的光聚合引发剂(b)0.1质量份～10质量份，该聚合物(a)中，对于主链的重复单元结合了具有(甲基)丙烯酸系单体部分的残基，所述(甲基)丙烯酸系单体部分具有包含放射线固化性碳-碳双键的基团；所述放射线固化性树脂组合物(II)中，相对于基础树脂100质量份，含有在分子内至少具有2个光聚合性碳-碳双键且重均分子量为10,000以下的化合物1质量份～300质量份、由凝胶渗透色谱法测定并以聚苯乙烯为标准物质进行换算的重均分子量小于1000的光聚合引发剂0.1质量份～10质量份。

公开(公告)号：CN102473617B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201080030584.7

申请日：2010-07-06

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 大田乡史 ,  矢吹朗 ,  矢野正三

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67132 ,  C09J7/24 ,  C09J133/00 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2453/006 ,  H01L21/67092

Abstract: 一种晶片粘贴用粘合片，其是由基材树脂膜和形成在该基材树脂膜上的粘合剂层构成的粘合片，其中，使用将该粘合片加工成宽5mm的试验片，利用动态粘弹性测定装置，通过在23℃的温度下施加频率为400Hz～900Hz的拉伸应力而测定的损失系数的最小值为0.20以上，并且，通过在15℃～40℃的温度下施加频率为650Hz的拉伸应力而测定的损失系数的最小值为0.20以上。

公开(公告)号：CN102473617A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080030584.7

申请日：2010-07-06

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 大田乡史 ,  矢吹朗 ,  矢野正三

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67132 ,  C09J7/24 ,  C09J133/00 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2453/006 ,  H01L21/67092

Abstract: 一种晶片粘贴用粘合片，其是由基材树脂膜和形成在该基材树脂膜上的粘合剂层构成的粘合片，其中，使用将该粘合片加工成宽5mm的试验片，利用动态粘弹性测定装置，通过在23℃的温度下施加频率为400Hz～900Hz的拉伸应力而测定的损失系数的最小值为0.20以上，并且，通过在15℃～40℃的温度下施加频率为650Hz的拉伸应力而测定的损失系数的最小值为0.20以上。

公开(公告)号：CN102754200A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201080054015.6

申请日：2010-12-21

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 横井启时 ,  冈祥文 ,  矢野正三

IPC: H01L21/683 ,  C09J5/02 ,  C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C08G18/6229 ,  C08G18/6254 ,  C09J7/20 ,  C09J133/00 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2433/003 ,  C09J2467/006 ,  C09J2475/003 ,  H01L2221/6834

Abstract: 本发明涉及半导体晶片表面保护用胶带，其具有基材树脂膜和隔着中间树脂层位于该基材树脂膜上的直接粘合剂层，所述中间树脂层是由含有丙烯酸聚合物和/或聚氨酯丙烯酸酯的基础树脂成分交联而成的，其中，在特定的条件下对该半导体晶片表面保护用胶带进行测定，由测得的环刚度的负载荷重求出反弹力α，反弹力α为13mN/mm以下，每单位宽度的反弹力α除以基材厚度β的平方所得到的反弹系数γ为100mN/mm3以上，并且，纵向与横向的拉伸断裂伸长率之差为35%以下。

公开(公告)号：CN101138075A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200680008106.X

申请日：2006-03-28

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 矢吹朗 ,  矢野正三

IPC: H01L21/301 ,  C09J4/02 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L21/67132 ,  C09J4/00 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J7/385 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/68327 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2891

Abstract: 本发明涉及一种在基材薄膜上设置了粘合剂层的晶片切割用胶粘带，包含2层以上的该粘合剂层，构成任一粘合剂层的树脂组合物都含有可辐射聚合的化合物，同时，构成粘合剂层中最外层的树脂组合物所含有的可辐射聚合的化合物的含量和构成内侧粘合剂层的树脂组合物所含有的可辐射聚合的化合物的含量不同，并达到使施加在基材薄膜上的应力被充分传递到放射线照射后的最外层以充分剥离该层和芯片的程度，本发明还提供使用该晶片切割用胶粘带的芯片的制造方法。

公开(公告)号：CN101138075B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200680008106.X

申请日：2006-03-28

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 矢吹朗 ,  矢野正三

IPC: H01L21/301 ,  C09J4/02 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L21/67132 ,  C09J4/00 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J7/385 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/68327 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2891

Abstract: 本发明涉及一种在基材薄膜上设置了粘合剂层的晶片切割用胶粘带，包含2层以上的该粘合剂层，构成任一粘合剂层的树脂组合物都含有可辐射聚合的化合物，同时，构成粘合剂层中最外层的树脂组合物所含有的可辐射聚合的化合物的含量和构成内侧粘合剂层的树脂组合物所含有的可辐射聚合的化合物的含量不同，并达到使施加在基材薄膜上的应力被充分传递到放射线照射后的最外层以充分剥离该层和芯片的程度，本发明还提供使用该晶片切割用胶粘带的芯片的制造方法。

公开(公告)号：CN101903983A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200880121494.1

申请日：2008-12-17

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 矢吹朗 ,  矢野正三 ,  大田乡史 ,  玉川有理

IPC: H01L21/301 ,  B32B27/00 ,  C09J7/02 ,  C09J133/04

Abstract: 本发明提供一种晶圆粘贴用粘合片及晶圆的加工方法，所述晶圆粘贴用粘合片由基材膜(1)和在该基材膜上形成的粘合剂层(2)构成，其特征在于，使用将该粘合片加工成宽7mm的试样、利用动态粘弹性测定装置测定的损失系数(23℃、频率1～100Hz)为0.15以上；所述晶圆的加工方法含有在该晶圆粘贴用粘合片上贴合晶圆的工序和该晶圆的切割工序，并且，在切割工序中不切入至晶圆粘贴用粘合片的基材膜。

公开(公告)号：CN1248293C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN02124672.6

申请日：2002-04-23

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 丸山弘光 ,  矢野正三 ,  森田彻 ,  玉川有理

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/68 ,  C09J7/02

Abstract: 本发明提供一种激光切割用粘结带，该粘结带是在激光器通过喷水引导的激光切割中使用的激光切割用粘结带，该激光切割用粘结带的基材能透过上述喷水的喷射水流，且该粘结带的基材结构是网格状或多孔质的，在与喷水一起用激光切割分离(切割)硅晶片、陶瓷、玻璃、金属等时不熔化，并且不断裂，没有元件的飞散，可伸展，在伸展时材料维持平直性。

公开(公告)号：CN1385881A

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN02124672.6

申请日：2002-04-23

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 丸山弘光 ,  矢野正三 ,  森田彻 ,  玉川有理

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/68 ,  C09J7/02

Abstract: 一种在激光器通过喷水引导的激光切割中使用的激光切割用粘结带,该激光切割用粘结带的基材能透过上述喷水的喷射水流。