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公开(公告)号：CN100419951C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200510056629.9
申请日：2005-04-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/3105 , H01L27/146
CPC classification number: H01L21/76819 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14683 , H01L27/14685
Abstract: 本发明是提供一种形成半导体元件及半导体影像感测器的方法，具体为改善介电层平坦度与均匀度以增强电荷耦合装置与互补式金属氧化物半导体影像感测器元件中光学效能的方法与系统。所述用以达到较佳光学效能的介电层平坦化方法是包含下列步骤。于多个金属图形之上及其周围沉积一具有透光性的第一介电层，形成光学感测器于这些金属图形之间的基底内或其上，其中金属图形可防止位于其间或其下的感测器遭受电磁辐射的影响。之后以化学机械研磨制程研磨第一介电层而制得一倾斜表面，再进一步以平坦化制程消除此不均匀表面，最终得到一全面性均匀的介电层厚度以利感测器适当地运作。
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公开(公告)号：CN101236925A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810009255.9
申请日：2008-01-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/822 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14643
Abstract: 一种影像传感器装置及影像传感器的制造方法。该方法包含：提供半导体衬底，该半导体衬底具有像素区以及周边区；在该像素区中形成光传感元件；以及，在该像素区中形成至少一个晶体管，且在该周边区中形成至少一个晶体管。在该像素区与该周边区中形成该至少一个晶体管的步骤包含：在该像素区与该周边区中形成栅电极；在该像素区与该周边区上沉积介电层；部分蚀刻该介电层，以在该栅电极上形成多个间隙壁，并留下一部分的该介电层覆盖住该像素区；以及，以离子注入方式形成多个源/漏极区。本发明能够以简单有效的方式降低影像传感器中的暗电流。
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公开(公告)号：CN112015295B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202010474732.X
申请日：2020-05-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种感测装置、电子设备及用于形成感测装置的方法。在一些实施例中，所述感测装置包括：图像感测器；准直仪，在所述图像感测器的上方，其中所述准直仪包括孔阵列；以及光学滤光层，在所述准直仪的上方，其中所述光学滤光层被配置成过滤将要透射至所述孔阵列中的一部分光。本发明可避免由于充电、应力效应和热副作用而导致的性能下降。
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公开(公告)号：CN115132708A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210110713.8
申请日：2022-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L25/16 , H01L23/66
Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法。根据本发明的方法包括：形成包括多个电子集成电路(EIC)的第一晶圆；形成包括多个光子集成电路(PIC)的第二晶圆；将第一晶圆接合至第二晶圆以形成第一堆叠晶圆。将第一晶圆接合至第二晶圆包括将多个EIC的每个与多个PIC中的一个垂直对准。
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公开(公告)号：CN112015295A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010474732.X
申请日：2020-05-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种感测装置、电子设备及用于形成感测装置的方法。在一些实施例中，所述感测装置包括：图像感测器；准直仪，在所述图像感测器的上方，其中所述准直仪包括孔阵列；以及光学滤光层，在所述准直仪的上方，其中所述光学滤光层被配置成过滤将要透射至所述孔阵列中的一部分光。本发明可避免由于充电、应力效应和热副作用而导致的性能下降。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101232032A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200710103308.9
申请日：2007-05-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 林志旻
IPC: H01L27/146 , H01L23/485 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L27/14603 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L2224/0345 , H01L2224/0361 , H01L2224/03622 , H01L2224/0401 , H01L2224/05567 , H01L2224/0558 , H01L2224/05624 , H01L2224/114 , H01L2224/116 , H01L2224/13099 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：基板，其包括图像传感器区和电路区，其中上述电路区包括接合焊盘区和连线区；多层互连线结构，形成于上述基板上，其中上述多层互连线结构包括多个介电层、多条较低导线和顶连线，上述多条较低导线位于上述接合焊盘区和上述连线区中，上述顶连线位于上述连线区中的至少一根较低导线上；保护层，形成于上述多层互连线结构上方；接合焊盘结构，形成于上述保护层和至少一个介电层中，且电连接至位于上述接合焊盘区中的至少一根较低导线。本发明可以避免光敏感度的衰减和色度亮度干扰的问题，因此可以提升图像传感器的性能。
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公开(公告)号：CN101001322A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200610100024.X
申请日：2006-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 林志旻
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14627
Abstract: 本发明的影像检测器阵列的基板具有至少三种影像检测器，其中蓝色滤光片靠近第一影像检测器、绿色滤光片靠近第二影像检测器、红色滤光片靠近第三影像检测器。上述阵列具有第一微透镜对应第一影像检测器及蓝色滤光片、第二微透镜对应第二影像检测器及绿色滤光片、第三微透镜对应第三影像检测器及红色滤光片。第一微透镜的有效区域大于第二微透镜的有效区域，且第二微透镜的有效区域大于第三微透镜的有效区域。本发明的影像检测器阵列使影像不同颜色之间的敏感度相同，从而能得到更接近真实色彩的影像。
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公开(公告)号：CN109815783A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811396203.1
申请日：2018-11-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06K9/00
Abstract: 本发明公开一种感测设备。所述感测设备包括：图像传感器；准直仪，位于所述图像传感器上方，所述准直仪具有孔径阵列；滤光层，位于所述准直仪与所述图像传感器之间，其中所述滤光层被配置成过滤透射过所述孔径阵列的一部分光；以及照明层，位于所述准直仪上方。
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公开(公告)号：CN102931204A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210231706.X
申请日：2006-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 林志旻
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14627
Abstract: 影像检测器阵列的形成方法包括如下步骤：提供基板，其具有第一、第二及第三影像检测器；形成第一、第二及第三滤光片，各自靠近该第一、第二及第三影像检测器；应用光掩模同时形成第一、第二及第三微透镜，第一微透镜对准该第一影像检测器与该第一滤光片，第二微透镜对准该第二影像检测器与该第二滤光片及第三微透镜对准该第三影像检测器与该第二滤光片；第一微透镜的有效面积大于第二微透镜；第二微透镜的有效面积大于第三微透镜；第一、第二、第三滤光片分别为蓝色、绿色、红色滤光片；第一、第二微透镜间不具有沟槽，用光学邻近修正定义第二、第三微透镜之间的沟槽。本发明使影像不同颜色之间的敏感度相同，从而能得到更接近真实色彩的影像。
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公开(公告)号：CN102446944A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110356117.X
申请日：2008-01-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14643
Abstract: 一种影像传感器装置。该装置包含：半导体衬底，具有像素区与周边区；光传感元件，形成于该像素区中；至少一个晶体管，形成于该像素区与该周边区中，具有源/漏极区；第一氧化层，在该源/漏极区形成之前形成，且覆盖于该光传感元件上；以及第二氧化层，在该源/漏极区形成之后形成，且覆盖于该第一氧化层上。本发明能够以简单有效的方式降低影像传感器中的暗电流。
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