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公开(公告)号：CN1656619A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN03812485.8
申请日：2003-05-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/115 , H01L21/8247 , G06K19/077
CPC classification number: H01L27/11568 , H01L21/28282 , H01L27/105 , H01L27/11 , H01L27/1116 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11531 , H01L27/1203 , H01L29/66833 , H01L29/7923
Abstract: IC卡包括由多个存储元件构成的数据存储部503。该存储元件包括：半导体衬底、设置于半导体衬底内的阱区或配置于绝缘体上的半导体膜；在半导体衬底上、设置于半导体衬底内的阱区上或配置于绝缘体上的半导体膜上所形成的栅绝缘膜；在栅绝缘膜上所形成的单一的栅电极；在单一的栅电极侧壁的两侧所形成的2个存储功能体；配置于单一的栅电极下的沟道区；以及配置于上述沟道区的两侧的扩散层区。由此，通过安装使用了可进一步微细化的存储元件的存储器，提供低成本的IC卡。
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公开(公告)号：CN1574366A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410044696.4
申请日：2004-05-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/105 , H01L21/8247 , H01L21/8239 , G06K19/07
CPC classification number: H01L29/66833 , H01L21/28282 , H01L27/115 , H01L29/7923
Abstract: 一种包括存储单元的半导体存储器件，各个存储单元包括：形成在半导体衬底上的栅绝缘膜；形成在栅绝缘膜上的栅电极；位于栅电极下方的沟道区；分别排列在沟道区相对侧上的成对的源区和漏区，此源区和漏区具有与沟道区相反的导电类型；以及分别位于栅电极的相对侧上的存储功能单元，各个存储功能单元包括电荷保持部分和抗耗散绝缘体，此电荷保持部分由用来储存电荷的材料组成，抗耗散绝缘体用来通过使电荷保持部分分隔于栅电极和衬底二者而防止储存的电荷被损耗，其中，栅电极侧壁和与其彼此面对的电荷保持部分侧面之间的距离(T2)适应于和电荷保持部分底部与衬底表面之间的距离(T1)不同。
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公开(公告)号：CN110313122A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201880010788.0
申请日：2018-01-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H02M3/28
Abstract: 电源装置(4)包括：具有初级绕组和多个次级绕组的变压器(TR4)；与初级绕组连接的初级侧电路(10)；以及分别与多个次级绕组连接的多个次级侧电路(20、25)。次级侧电路(20)进行向初级侧电路(10)或次级侧电路(25)传输电能的电能再生动作。次级侧电路(20)包含对从变压器(TR4)的初级侧传输的电能进行整流的MOSFET(Q5、Q6)和蓄积整流后的电能的电容器(C1)，并进行使电容器(C1)放电而使电流流入变压器(TR4)的次级绕组的放电动作。由此能够提供稳定地输出多个电压并具有高电能转换效率的电源装置。
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公开(公告)号：CN104956283A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201380071705.6
申请日：2013-12-13
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: F25B27/00 , F25B49/025 , F25B2600/021 , G05F1/67 , H02J7/345 , H02J7/35 , H02P7/06 , H02P27/06 , H02P29/032 , Y02B30/741 , Y02E10/58
Abstract: 太阳能利用系统(100)具备：太阳能电池板(101)、由太阳能输出电功率驱动的电机(122)以及防止驱动中的电机失速的电机失速防止装置，选择如下任意一种电机失速防止装置作为上述电机失速防止装置：(a)将太阳能输出电压限制为比太阳能电池板在该时点输出最大电功率的电压高的电压的电机失速防止装置；(b)将太阳能输出电压限制为在P-V曲线上当改变该输出电压时变化率为负的电压的电机失速防止装置；以及(c)包括与太阳能电池板并联连接而积蓄太阳能电池板产生的电功率的电容器(317)的电机失速防止装置。
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公开(公告)号：CN103023339B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210353489.1
申请日：2012-09-21
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B60L8/003 , B60L15/007 , B60L50/51 , B60L53/22 , B60L58/20 , B60L2210/10 , H02J7/35 , H02M3/33592 , H02M3/3372 , Y02T10/645 , Y02T10/7005 , Y02T10/7066 , Y02T10/7072 , Y02T10/7083 , Y02T10/7216 , Y02T10/92 , Y02T90/127 , Y02T90/14
Abstract: 一种推挽电路，包括：推挽式的第一开关元件和第二开关元件；第一整流器元件；第三开关元件，用于将路径导通和切断，该路径从所述第一开关元件与电感负载之间的连接点开始，经过所述第一整流器元件，到达DC电源和所述电感负载的中心抽头之间的连接点；第二整流器元件；以及第四开关元件，用于将路径导通和切断，该路径从所述第二开关元件和所述电感负载之间的连接点开始，经过所述第二整流器元件，到达所述DC电源与所述电感负载的中心抽头之间的连接点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104685774A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380051233.8
申请日：2013-09-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M3/33592 , H02M1/088 , Y02B70/1475
Abstract: DC-DC转换器具备：变压器；开关电路，其设置于上述变压器的初级侧；以及整流电路，其设置于上述变压器的次级侧。上述整流电路包含第1整流部，上述第1整流部是第1晶体管和第2晶体管的串联连接体，上述第2晶体管的第1电极连接到上述第1晶体管的第2电极。上述第1晶体管和第2晶体管各自具有正向连接到第2电极和第1电极间的寄生二极管，上述第1晶体管的第1电极和第2电极间的耐压高于上述第2晶体管的第1电极和第2电极间的耐压。
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公开(公告)号：CN101996597B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201010247405.7
申请日：2010-08-05
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明涉及显示装置、校正系统、作成装置、决定装置及其方法。将包括亮度不均区域的、或者将包括亮度不均区域及其周边区域的校正区域所含有的像素中的一部分像素选择作为调整校正像素，并使得对调整校正像素的灰阶值校正量与对该校正区域所含有的除调整校正像素以外的像素的灰阶值校正量不同，从而实现了类似于对校正区域内的所有像素的亮度值相同地仅校正了小于与显示用图像数据的1灰阶相当的亮度值(或，与显示用图像数据的小数部分不为0的灰阶值相当的亮度值)。由此能够确切地校正显示装置的亮度不均。
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公开(公告)号：CN103023339A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210353489.1
申请日：2012-09-21
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B60L8/003 , B60L15/007 , B60L50/51 , B60L53/22 , B60L58/20 , B60L2210/10 , H02J7/35 , H02M3/33592 , H02M3/3372 , Y02T10/645 , Y02T10/7005 , Y02T10/7066 , Y02T10/7072 , Y02T10/7083 , Y02T10/7216 , Y02T10/92 , Y02T90/127 , Y02T90/14
Abstract: 一种推挽电路，包括：推挽式的第一开关元件和第二开关元件；第一整流器元件；第三开关元件，用于将路径导通和切断，该路径从所述第一开关元件与电感负载之间的连接点开始，经过所述第一整流器元件，到达DC电源和所述电感负载的中心抽头之间的连接点；第二整流器元件；以及第四开关元件，用于将路径导通和切断，该路径从所述第二开关元件和所述电感负载之间的连接点开始，经过所述第二整流器元件，到达所述DC电源与所述电感负载的中心抽头之间的连接点。
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公开(公告)号：CN102971873A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201180034607.6
申请日：2011-06-14
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: C25D13/00 , H01L21/479 , H01L24/75 , H01L24/80 , H01L24/95 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2224/08238 , H01L2224/75655 , H01L2224/75723 , H01L2224/7598 , H01L2224/80143 , H01L2224/95101 , H01L2224/95145 , H01L2224/97 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 该微小物体的配置方法是，在基板准备工序中，准备由第一电极（111）和第二电极（112）对置的部位规定有配置微小物体（120）的位置的基板（110），在流体导入工序中，将流体（121）导入到基板（110）上。流体（121）包含多个微小物体（120）。微小物体（120）是拥有由电介质制造的表侧层（130）和由半导体制造的背侧层（131）作为取向构造的二极管元件。而且，在微小物体配置工序，通过在第一电极（111）与第二电极（112）之间施加交流电压，从而利用感应电泳将微小物体（120）配置成在由第一电极（111）与第二电极（112）对置的部位（A）预先确定的位置而且将表侧层（130）配置成朝上。
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公开(公告)号：CN101436596A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810176079.8
申请日：2008-11-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L23/552
CPC classification number: H01L27/12 , B82Y10/00 , H01L27/11526 , H01L27/11573 , H01L29/78633
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置、显示装置和移动装置。本发明的半导体装置包括：绝缘基板，形成在绝缘基板以上并具有存储保持部分的非易失性存储器，以及覆盖存储保持部分的上侧、下侧或者两侧的至少一个遮光体，其中遮光体中至少一个以遮光体的突起度为0.1或更大的方式安装，遮光体的突起度通过(从存储保持部分突起的遮光体的长度)/(遮光体和存储保持部分之间的距离)来定义。
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