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公开(公告)号：CN118591868A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202380018617.3
申请日：2023-02-17
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/06 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D7/36
Abstract: 本发明的课题在于提供一种即使在从制造起经过规定期间后使用时，残渣的去除性能及含钨膜的耐腐蚀性也优异，并且能够抑制含钨膜的电气特性的劣化的组合物、以及半导体元件的制造方法。本发明的组合物包含：山梨酸；柠檬酸；选自氨、有机胺及季铵化合物、以及它们的盐中的至少一种的含胺化合物；具有选自膦酰基及磷酸基中的至少一种基团的特定化合物；及水，所述组合物在25℃下的pH为4.0～9.0。
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公开(公告)号：CN107210215A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680006546.5
申请日：2016-02-04
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/304 , C07C321/04 , C07C321/22 , C07C321/26 , C07C323/12 , C07C323/52 , C07C323/58 , C07D213/70 , C07D239/40 , C07D249/12 , C22B30/04 , C22B58/00 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/3081 , H01L21/31111 , Y02P20/582
Abstract: 本发明提供一种含有酸与巯基化合物的III‑V族元素的氧化物的去除液、抗氧化液或处理液及使用这些的方法、以及含有酸与巯基化合物的半导体基板的处理液及使用该处理液的半导体基板产品的制造方法。
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公开(公告)号：CN102242025B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201110122345.0
申请日：2011-05-09
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/5004
Abstract: 本发明提供一种可以抑制半导体基板的金属的腐蚀、且半导体基板上的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣的除去性优异的清洗组合物、以及使用所述清洗组合物的半导体装置的制造方法及清洗方法。一种清洗组合物、以及使用所述清洗组合物的半导体装置的制造方法及清洗方法，其特征在于，所述组合物为用于除去形成于半导体基板上的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣的清洗组合物，其包括(成分a)水、(成分b)胺化合物、(成分c)羟胺及/或其盐、(成分d)季铵化合物、(成分e)有机酸、以及(成分f)水溶性有机溶剂，且pH为6～9。
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公开(公告)号：CN103403845A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280011143.1
申请日：2012-02-28
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/306 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01G13/00 , C09K13/00 , C09K13/02 , H01L21/02068 , H01L21/32134 , H01L28/92
Abstract: 一种形成电容器结构的方法，包括：施用硅蚀刻液于多晶硅膜或非晶硅膜，所述硅蚀刻液含碱化合物与羟胺化合物的组合，且所述硅蚀刻液的pH值被调节为11或大于11；移除所述多晶硅膜或所述非晶硅膜的部份或整体；以及形成构成电容器的凹凸形状。
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公开(公告)号：CN101275057B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200810087355.3
申请日：2008-03-21
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 一种金属抛光液，其在半导体器件的制造过程中用于铜或铜合金的导体膜的化学机械抛光，所述金属抛光液包含：(1)由式(I)表示的氨基酸衍生物；和(2)表面活性剂，其中在所述式(I)中，R1表示含1至4个碳原子的烷基，并且R2表示含1至4个碳原子的亚烷基。
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公开(公告)号：CN101275057A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810087355.3
申请日：2008-03-21
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C09G1/18 , C09G1/02 , C09K3/14 , B24B29/00 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 一种金属抛光液，其在半导体器件的制造过程中用于铜或铜合金的导体膜的化学机械抛光，所述金属抛光液包含：(1)由式(I)表示的氨基酸衍生物；和(2)表面活性剂，其中在所述式(I)中，R1表示含1至4个碳原子的烷基，并且R2表示含1至4个碳原子的亚烷基。
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公开(公告)号：CN101177602A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710165886.5
申请日：2007-11-07
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种研磨液，该研磨液在半导体器件的化学机械平坦化方法中主要用于阻挡金属材料的研磨，所述化学机械平坦化方法中，将研磨液供给于研磨盘上的研磨垫，并且通过使该研磨垫与晶片的被研磨面接触并相对运动而进行研磨，该研磨液含有：(a)具有羧基和含有氧的烃部分结构的羧酸化合物、(b)胶态二氧化硅粒子、和(c)杂环化合物，所述研磨液的pH在2.5－4.5的范围。根据本发明可以提供在利用化学机械研磨的被研磨面的平坦化工序中能够以充分的研磨速度进行研磨、可以有效地抑制侵蚀的适于研磨半导体器件的阻挡金属材料的研磨液。
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公开(公告)号：CN1530742A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410039650.3
申请日：2004-03-12
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: G03C7/407 , G03C1/08 , G03C7/3022 , G03C7/3041 , G03C2001/03517 , G03C2007/3025 , G03C2200/52
Abstract: 提供一种在更高感光度和遍及宽的曝光照度下无倒易律反常，在更高感光度下反差大的卤化银彩色照相感光材料。本发明的卤化银乳剂，其特征在于，在卤化银粒子中至少含有两种能产生10－5秒钟以上和3秒钟以下之间平均电子缓释时间的金属配位化合物，就该两种金属配位化合物而言，平均电子缓释时间之比至少处于三倍以上，其中短的平均电子缓释时间的金属配位化合物含量，与长的平均电子缓释时间的金属配位化合物含量之摩尔比处于三倍以上。
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公开(公告)号：CN117397010B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202280036780.8
申请日：2022-06-07
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D3/36 , C11D3/20 , C11D1/22 , C11D1/12
Abstract: 本发明的课题在于提供一种残渣(特别是CMP后的残渣)的除去性优异且对铜的耐腐蚀性优异的清洗组合物、以及半导体基板的清洗方法及半导体元件的制造方法。本发明的清洗组合物含有柠檬酸、1‑羟基乙烷‑1，1‑二膦酸、磺酸类表面活性剂及水，柠檬酸的含量相对于1‑羟基乙烷‑1，1‑二膦酸的含量的质量比为20～150，柠檬酸的含量相对于磺酸类表面活性剂的含量的质量比为70～1500，所述清洗组合物的pH为0.10～4.00。
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公开(公告)号：CN117397010A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202280036780.8
申请日：2022-06-07
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明的课题在于提供一种残渣(特别是CMP后的残渣)的除去性优异且对铜的耐腐蚀性优异的清洗组合物、以及半导体基板的清洗方法及半导体元件的制造方法。本发明的清洗组合物含有柠檬酸、1‑羟基乙烷‑1，1‑二膦酸、磺酸类表面活性剂及水，柠檬酸的含量相对于1‑羟基乙烷‑1，1‑二膦酸的含量的质量比为20～150，柠檬酸的含量相对于磺酸类表面活性剂的含量的质量比为70～1500，所述清洗组合物的pH为0.10～4.00。
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