公开(公告)号：CN1181528C

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN00120070.4

申请日：2000-07-05

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 丸山茂幸 ,  小泉大辅 ,  渡边直行 ,  金野吉人 ,  吉田英治 ,  誉田敏幸 ,  川原登志实 ,  永重健一

IPC: H01L21/66 ,  G01R1/067 ,  G01R31/26

CPC classification number: G01R31/2886 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/11 ,  H05K3/326

Abstract: 探针卡包括印刷板和多层基板。还可包括柔性衬垫。与芯片之一的电极相对的接触电极被配置在柔性衬垫上面或下面，或设在基板上的弹性物质上。第一布线有与接触电极连接的第一部分、从第一部分延伸到下面的基板的平面过渡部分和与多层基板上的内部端连接的连接端。基板的第二布线使内部端与外部端连接。印刷板上的第三布线使基板与印刷板的外部端连接。测试期间温度负载引起的内部端位移被第一布线的平面过渡部分补偿。本发明中，接触的不平整度可被补偿。

公开(公告)号：CN1529352A

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：CN200410039657.5

申请日：2000-07-05

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 丸山茂幸 ,  小泉大辅 ,  渡边直行 ,  金野吉人 ,  吉田英治 ,  誉田敏幸 ,  川原登志实 ,  永重健一

IPC: H01L21/66 ,  G01R1/067 ,  G01R31/26

CPC classification number: G01R31/2886 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/11 ,  H05K3/326

Abstract: 用于测试具有许多半导体芯片的晶片的探针卡，包括配置在与芯片之一上的电极相对的位置上的接触电极；基板；在基板上配置的内部端子；具有与接触电极连接的第一部分和采用至少焊接线和焊料球其中之一与内部端连接的第二部分的第一布线；在基板的周边上配置并经由第二布线与内部端连接的外部端；和具有将基板上的外部端连接到印刷板上的外部连接端的第三布线的印刷板。本发明还包括制作该探针卡的方法。在本发明中，接触的不平整度可被补偿。

公开(公告)号：CN1110846C

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN97191078.2

申请日：1997-07-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 深泽则雄 ,  川原登志实 ,  森冈宗知 ,  大泽满洋 ,  松木浩久 ,  小野寺正德 ,  河西纯一 ,  丸山茂幸 ,  竹中正司 ,  新间康弘 ,  佐久间正夫 ,  铃木义美

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  B29C43/18

CPC classification number: H01L21/568 ,  B29C43/18 ,  B29C2043/3444 ,  B29C2043/3628 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/566 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49572 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/50 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06579 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1005 ,  H01L2225/1064 ,  H01L2225/107 ,  H01L2225/1082 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15173 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，具备下述工序：树脂密封工序，用于把已形成的配设有突出电极12的多个半导体器件11的衬底16装设到模具20的空腔28内，接着向突出电极12的配设位置供给树脂35密封突出电极12，形成树脂层13；突出电极露出工序，用于使已被树脂层13覆盖的突出电极12的至少顶端部分从树脂层13中露出来；分离工序，用于使衬底16与树脂层13一起切断分离成各个半导体器件。