公开(公告)号：CN1677656A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200410079792.2

申请日：2004-09-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 松木浩久 ,  生云雅光

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L23/49855 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1147 ,  Y10S257/922

Abstract: 一种半导体器件，具有形成在衬底上的天线焊盘和测试焊盘。包含填料的绝缘树脂层覆盖测试焊盘，在天线焊盘上设置凸起。通过设置包含填料的绝缘树脂层从而抑制该半导体器件中的特定数据被读出或者改写。

公开(公告)号：CN1441494A

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN02127290.5

申请日：2002-07-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 生雲雅光 ,  松木浩久

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，在一个连续工序中通过镀膜由单层镀膜形成将第一半导体芯片和第二半导体芯片键合在一起、并在第一半导体芯片之上延伸的引线组，然后将第二半导体芯片键合在第一半导体芯片上完成半导体封装。

公开(公告)号：CN1420555A

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN02126233.0

申请日：1997-07-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 深泽则雄 ,  川原登志实 ,  森冈宗知 ,  大泽满洋 ,  松木浩久 ,  小野寺正德 ,  河西纯一 ,  丸山茂幸 ,  竹中正司 ,  新间康弘 ,  佐久间正夫 ,  铃木义美

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/568 ,  B29C43/18 ,  B29C2043/3444 ,  B29C2043/3628 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/566 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49572 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/50 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06579 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1005 ,  H01L2225/1064 ,  H01L2225/107 ,  H01L2225/1082 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15173 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 具备下述工序：树脂密封工序，用于把已形成的配设有突出电极12的多个半导体器件11的衬底16装设到模具20的空腔28内，接着向突出电极12的配设位置供给树脂35密封突出电极12，形成树脂层13；突出电极露出工序，用于使已被树脂层13覆盖的突出电极12的至少顶端部分从树脂层13中露出来；分离工序，用于使衬底16与树脂层13一起切断分离成各个半导体器件。

公开(公告)号：CN100452376C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200510120001.0

申请日：1997-07-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 深泽则雄 ,  川原登志实 ,  森冈宗知 ,  大泽满洋 ,  松木浩久 ,  小野寺正德 ,  河西纯一 ,  丸山茂幸 ,  竹中正司 ,  新间康弘 ,  佐久间正夫 ,  铃木义美

IPC: H01L23/485

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其特征是具备：在表面上形成有突出电极的半导体器件；在半导体器件的表面上形成的剩下上述突出电极的顶端部分来密封上述突出电极的树脂层；以及上述半导体器件的定位突起，上述突起形成在上述半导体器件的上述表面上，并具有从上述树脂层暴露的顶端部分。

公开(公告)号：CN1841668A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200510083385.3

申请日：2005-07-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 寺山智 ,  松木浩久

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/585 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件的制造方法，该方法是在衬底的一个主表面上形成有多个半导体芯片的半导体衬底通过切块法被切割成多个半导体芯片。在衬底的一个主表面上执行第一切割工艺，以在多个半导体芯片的两个相邻半导体芯片之间产生两个切割凹槽，每个切割凹槽与多个半导体芯片中的相邻半导体芯片其中之一相邻。在衬底的另一主表面上执行第二切割工艺，以产生与由第一切割工艺产生的两个切割凹槽交叠的切割凹槽。

公开(公告)号：CN1204612C

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN00136410.3

申请日：2000-12-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 丸山茂幸 ,  松木浩久

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/28 ,  G01R31/26

CPC classification number: G01R1/0408 ,  G01R1/073 ,  H05K3/326 ,  Y10T29/49151 ,  Y10T29/49204 ,  Y10T29/49208 ,  Y10T29/49217 ,  Y10T29/49218

Abstract: 本发明涉及对具有微细端子的LSI进行测试时使用的接触开关及其制造方法。其制做成本低并可形成众多探针，具有良好的耐热性和数百回的使用寿命，而且能够进行高速动作测试。接触开关配置在LSI6和配线基板8之间，通过接触电极22将之电连接起来。接触电极22由设于绝缘极板24上的导电层形成，具有与半导体器件6的电极6a接触的LSI侧接触片22b1和与配线基板8的电极端子8a接触的配线基板侧接触片22b2以及将之电连接起来的环部22a。

公开(公告)号：CN1431709A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN02151866.1

申请日：2002-12-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小林一彦 ,  迫田英治 ,  松木浩久 ,  井川治 ,  佐藤光孝 ,  青木考树 ,  先间宏行

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L27/08 ,  H01F17/0006 ,  H01F17/0013 ,  H01F27/292 ,  H01F27/362 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L28/10 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025

Abstract: 本发明实现了最小化的电子器件，并在最小化时能保持其高可靠性。为此，该电子器件具有电子电路，包括：具有其上形成一部分电子电路的电路形成表面的衬底；形成在电路形成表面上的聚酰亚胺层；以及构成另一部分电子电路的螺旋形电感器，由聚酰亚胺层上的图形形成。

公开(公告)号：CN1110846C

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN97191078.2

申请日：1997-07-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 深泽则雄 ,  川原登志实 ,  森冈宗知 ,  大泽满洋 ,  松木浩久 ,  小野寺正德 ,  河西纯一 ,  丸山茂幸 ,  竹中正司 ,  新间康弘 ,  佐久间正夫 ,  铃木义美

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  B29C43/18

CPC classification number: H01L21/568 ,  B29C43/18 ,  B29C2043/3444 ,  B29C2043/3628 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/566 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49572 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/50 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06579 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1005 ,  H01L2225/1064 ,  H01L2225/107 ,  H01L2225/1082 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15173 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，具备下述工序：树脂密封工序，用于把已形成的配设有突出电极12的多个半导体器件11的衬底16装设到模具20的空腔28内，接着向突出电极12的配设位置供给树脂35密封突出电极12，形成树脂层13；突出电极露出工序，用于使已被树脂层13覆盖的突出电极12的至少顶端部分从树脂层13中露出来；分离工序，用于使衬底16与树脂层13一起切断分离成各个半导体器件。

公开(公告)号：CN1314703A

公开(公告)日：2001-09-26

申请号：CN00136410.3

申请日：2000-12-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 丸山茂幸 ,  松木浩久

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/28 ,  G01R31/26

CPC classification number: G01R1/0408 ,  G01R1/073 ,  H05K3/326 ,  Y10T29/49151 ,  Y10T29/49204 ,  Y10T29/49208 ,  Y10T29/49217 ,  Y10T29/49218

Abstract: 本发明涉及对具有微细端子的LSI进行测试时使用的接触开关及其制造方法。其制做成本低并可形成众多探针,具有良好的耐热性和数百回的使用寿命,而且能够进行高速动作测试。接触开关配置在LSI6和配线基板8之间,通过接触电极22将之电连接起来。接触电极22由设于绝缘极板24上的导电层形成,具有与半导体器件6的电极6a接触的LSI侧接触片22b1和与配线基板8的电极端子8a接触的配线基板侧接触片22b2以及将之电连接起来的环部22a。

公开(公告)号：CN101086979A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200610163974.7

申请日：2006-12-01

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 野本隆司 ,  松木浩久

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/522 ,  H01L21/00 ,  H01L21/768 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底，其中形成有多个功能元件；以及多层互连层，其设置于该半导体衬底的上方，该多层互连层包括相互连接多个功能元件的布线层，并且包括层间绝缘层，其中，形成布线层的区域由槽形成部包围，该槽形成部穿透该多层互连层；并且该槽形成部填充有有机绝缘材料。