公开(公告)号：CN100350607C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN01823865.3

申请日：2001-12-07

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 松木浩久 ,  爱场喜孝 ,  佐藤光孝 ,  冈本九弘

IPC: H01L25/04 ,  H01L23/12

Abstract: 半导体器件，包含：在一面上具有第1端子(7)的第1半导体芯片(5)；比第1半导体芯片(5)大，重叠第1半导体芯片(5)并且在一面上具有第2端子(3)的第2半导体芯片(1a)；被形成在第2半导体芯片(1a)上覆盖第1半导体芯片(5)的绝缘膜(10)；在绝缘膜(10)中至少被形成在第1半导体芯片(5)的周边区域上的多个孔(10a)；在孔(10a)的内周面以及底面上形成膜状并且与上述第2半导体芯片(1a)的第2端子(3)电连接的孔(11a)；被形成在绝缘膜(10)的上表面上的布线图案(11b)；被连接在布线图案(11b)上的外部端子(14)。

公开(公告)号：CN1783470A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510118900.7

申请日：1997-07-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 深泽则雄 ,  川原登志实 ,  森冈宗知 ,  大泽满洋 ,  松木浩久 ,  小野寺正德 ,  河西纯一 ,  丸山茂幸 ,  竹中正司 ,  新间康弘 ,  佐久间正夫 ,  铃木义美

IPC: H01L23/485

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其特征是具备：在表面上形成有突出电极的半导体器件；以及形成在半导体器件的表面上、密封住除了突出电极的顶端部分的上述突出电极的树脂层；上述突出电极具有核心部分和在上述突出的核心部分表面上形成的导电膜。

公开(公告)号：CN1463038A

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN03104458.1

申请日：2003-02-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 藤沢哲也 ,  松木浩久 ,  井川治 ,  爱场喜孝 ,  生云雅光 ,  佐藤光孝

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L2224/04105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。在该半导体器件中，当半导体芯片并列地排列时，多个半导体芯片的每一个的电路形成表面可以容易地置于齐平的平面上，由此简化了形成重排布线的工艺。半导体芯片借助粘结剂层以两维布局安装在基板上。树脂层形成在基板上并位于半导体元件周围，树脂层的厚度基本上与半导体元件的厚度相同。有机绝缘层形成在树脂层表面以及半导体元件的电路形成表面上。重排布线层形成在有机绝缘层以及半导体芯片的电极上。外部连接端子通过重排布线层中的布线电连接到半导体元件的电路形成表面。

公开(公告)号：CN1264923A

公开(公告)日：2000-08-30

申请号：CN00102404.3

申请日：2000-02-23

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 川原登志实 ,  松木浩久 ,  新间康弘 ,  米田义之 ,  深泽则雄 ,  滨中雄三 ,  永重健一 ,  穗积孝司

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L21/50 ,  H01L21/32 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/02 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/731 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 在本发明的半导体器件及其制造方法中,在半导体衬底(11)中设置具有多个端子的电路;在该衬底上设置与电路的端子相连接的内部布线图案(12);在衬底上设置覆盖衬底的保护层(14);在衬底上设置从保护层上伸出并与内部布线图案相连接的通路(13);在保护层上设置与通路相连接的外部布线图案(15);在外部布线图案上设置伸出电极(16);并在保护层上设置覆盖伸出电极的侧面和外部布线图案的外表面的树脂封闭层(17)。

公开(公告)号：CN1198839A

公开(公告)日：1998-11-11

申请号：CN97191078.2

申请日：1997-07-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 深泽则雄 ,  川原登志实 ,  森冈宗知 ,  大泽满洋 ,  松木浩久 ,  小野寺正德 ,  河西纯一 ,  丸山茂幸 ,  竹中正司 ,  新间康弘 ,  作久间正夫 ,  铃木义美

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  B29C43/18

CPC classification number: H01L21/568 ,  B29C43/18 ,  B29C2043/3444 ,  B29C2043/3628 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/566 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49572 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/50 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06579 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1005 ,  H01L2225/1064 ,  H01L2225/107 ,  H01L2225/1082 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15173 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 具备下述工序:树脂密封工序,用于把已形成的配设有突出电极12的多个半导体器件11的衬底16装设到模具20的空腔28内,接着向突出电极12的配设位置供给树脂35密封突出电极12,形成树脂层13;突出电极露出工序,用于使已被树脂层13覆盖的突出电极12的至少顶端部分从树脂层13中露出来;分离工序,用于使衬底16与树脂层13一起切断分离成各个半导体器件。

公开(公告)号：CN100435325C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200410079792.2

申请日：2004-09-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 松木浩久 ,  生云雅光

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L23/49855 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1147 ,  Y10S257/922

Abstract: 一种半导体器件，具有形成在衬底上的天线焊盘和测试焊盘。包含填料的绝缘树脂层覆盖测试焊盘，在天线焊盘上设置凸起。通过设置包含填料的绝缘树脂层从而抑制该半导体器件中的特定数据被读出或者改写。

公开(公告)号：CN100428449C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN02126233.0

申请日：1997-07-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 深泽则雄 ,  川原登志实 ,  森冈宗知 ,  大泽满洋 ,  松木浩久 ,  小野寺正德 ,  河西纯一 ,  丸山茂幸 ,  竹中正司 ,  新间康弘 ,  佐久间正夫 ,  铃木义美

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/568 ,  B29C43/18 ,  B29C2043/3444 ,  B29C2043/3628 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/566 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49572 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/50 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06579 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1005 ,  H01L2225/1064 ,  H01L2225/107 ,  H01L2225/1082 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15173 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 提供了一种半导体装置，其特征在于包括：在半导体器件上形成的多个电极焊盘；在上述半导体器件上与上述电极焊盘分开形成的多个突出电极；在电极焊盘和突出电极之间选择性形成的互连图形，用来互连上述电极焊盘和上述突出电极；以及在上述半导体器件的表面上形成的树脂层，所述树脂层至少覆盖上述电极焊盘和上述互连图形，并密封住上述突出电极的除了顶端部分以外的其它部分，其中，上述树脂层和上述半导体器件各自的侧面形成有用划片机切割所形成的切面。

公开(公告)号：CN101131970A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710161946.6

申请日：2003-05-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 藤沢哲也 ,  松木浩久 ,  井川治 ,  爱场喜孝 ,  生云雅光 ,  佐藤光孝

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24155 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。在该半导体器件中，当半导体芯片并列地排列时，多个半导体芯片的每一个的电路形成面可以容易地置于齐平的平面上，由此简化了形成重排布线的工艺。半导体芯片借助粘结剂层以两维布局安装在基板上。树脂层形成在基板上并位于半导体元件周围，树脂层的厚度基本上与半导体元件的厚度相同。有机绝缘层形成在树脂层表面以及半导体元件的电路形成面上。重排布线层形成在有机绝缘层以及半导体芯片的电极上。外部连接端子通过重排布线层中的布线电连接到半导体元件的电路形成面。

公开(公告)号：CN1958207A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610071804.6

申请日：2006-03-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 松井弘之 ,  松木浩久 ,  大竹幸喜

IPC: B23K3/00 ,  B23K3/08 ,  B23K35/38 ,  B23K1/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/742 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3025

Abstract: 本发明公开一种回流装置，在该回流装置中使用蚁酸清洗处理物上的焊料电极的表面。该回流装置包括：处理室；蚁酸导入装置，用于将包含蚁酸的氛围气体提供给处理室；以及防护构件，其由对蚁酸具有耐蚀性的材料制成。该防护构件设置在处理室的回流处理部分与处理室的内壁之间。替代或除防护构件之外，回流装置可以包括用于分解残留蚁酸的加热器。

公开(公告)号：CN1420538A

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN02126232.2

申请日：1997-07-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 深泽则雄 ,  川原登志实 ,  森冈宗知 ,  大泽满洋 ,  松木浩久 ,  小野寺正德 ,  河西纯一 ,  丸山茂幸 ,  竹中正司 ,  新间康弘 ,  佐久间正夫 ,  铃木义美

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/568 ,  B29C43/18 ,  B29C2043/3444 ,  B29C2043/3628 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/566 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49572 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/50 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06579 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1005 ,  H01L2225/1064 ,  H01L2225/107 ,  H01L2225/1082 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15173 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 具备下述工序：树脂密封工序，用于把已形成的配设有突出电极12的多个半导体器件11的衬底16装设到模具20的空腔28内，接着向突出电极12的配设位置供给树脂35密封突出电极12，形成树脂层13；突出电极露出工序，用于使已被树脂层13覆盖的突出电极12的至少顶端部分从树脂层13中露出来；分离工序，用于使衬底16与树脂层13一起切断分离成各个半导体器件。