公开(公告)号：CN102815662A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201110151756.2

申请日：2011-06-08

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 张新伟 ,  夏长奉 ,  范成建 ,  肖建农 ,  苏巍

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种在半导体衬底中制备腔体的方法，属于集成电路制造技术领域。该方法包括步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上各向异性刻蚀形成多个通孔或沟槽；对所述通孔进行各向同性刻蚀以使相邻通孔或相邻沟槽的底部之间相互连通形成腔体槽；以及外延生长外延半导体衬底层以密封形成所述腔体。该方法具有成本低、效率高、腔体之上的半导体衬底层的厚度易于控制的特点。

公开(公告)号：CN103681233B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201210325243.3

申请日：2012-09-05

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 张新伟 ,  代丹 ,  周国平 ,  夏长奉

IPC: H01L21/02

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00531

Abstract: 本发明公开了一种多沟槽结构的制作方法，包括步骤：在半导体衬底上各向异性刻蚀以形成纵向沟槽；在形成所述纵向沟槽的半导体衬底上生长第一外延层，使所述第一外延层覆盖所述纵向沟槽顶部，形成封闭结构；在所述封闭结构上进行各向异性和各向同性刻蚀，以形成沟槽阵列，并使所述沟槽阵列与所述纵向沟槽连通；所述沟槽阵列包括多个沟槽或通孔，所述多个沟槽或通孔的上部各自分离，下部相互连通形成腔体；生长第二外延层覆盖所述沟槽阵列，以形成封闭的多沟槽结构。该方法通过两次生长外延层，使多沟槽结构在制作过程中保持稳定坚固，避免了制作过程中出现膜层断裂或脱落的现象。

公开(公告)号：CN103681233A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210325243.3

申请日：2012-09-05

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 张新伟 ,  代丹 ,  周国平 ,  夏长奉

IPC: H01L21/02

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00055 ,  B81C1/00619

Abstract: 本发明公开了一种多沟槽结构的制作方法，包括步骤：在半导体衬底上各向异性刻蚀以形成纵向沟槽；在形成所述纵向沟槽的半导体衬底上生长第一外延层，使所述第一外延层覆盖所述纵向沟槽顶部，形成封闭结构；在所述封闭结构上进行各向异性和各向同性刻蚀，以形成沟槽阵列，并使所述沟槽阵列与所述纵向沟槽连通；所述沟槽阵列包括多个沟槽或通孔，所述多个沟槽或通孔的上部各自分离，下部相互连通形成腔体；生长第二外延层覆盖所述沟槽阵列，以形成封闭的多沟槽结构。该方法通过两次生长外延层，使多沟槽结构在制作过程中保持稳定坚固，避免了制作过程中出现膜层断裂或脱落的现象。

公开(公告)号：CN103165579A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201110413966.4

申请日：2011-12-13

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 张新伟 ,  夏长奉 ,  范成建 ,  苏巍

IPC: H01L23/544 ,  G01B11/22

CPC classification number: H01L22/30 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3083 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明公开了一种硅湿法腐蚀深度的监控结构及相关监控方法。该监控结构包括形成在单晶硅材料上的至少两个顶面为矩形的湿法腐蚀凹槽；且至少有两个湿法腐蚀凹槽的顶面宽度分别为Wu和Wl，Wu＝du/0.71，Wl＝dl/0.71，du为所要监控的湿法腐蚀深度最大值，dl为所要监控的湿法腐蚀深度最小值。所述监控方法根据具有监控图形的版图对单晶硅片进行各向异性的湿法腐蚀，形成所需监控的腐蚀槽以及用于监控该腐蚀槽深度的监控结构，然后对所得监控结构进行监视，从而实现对湿法腐蚀深度的监控。本发明可以直观、便捷地监控产品腐蚀槽的腐蚀深度，成本较低，并可达到较高的监控精度。