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公开(公告)号：CN104163398B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201310187402.2
申请日：2013-05-17
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 代丹
IPC: B81C99/00
CPC classification number: B81C1/00079 , B81B2203/0346 , H01L21/76224
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件中深槽的填充方法，包括下列步骤：对硅衬底进行刻蚀，形成沟槽结构；在沟槽结构的底部和侧壁淀积第一氧化层；在所述第一氧化层表面淀积非晶硅层；在所述非晶硅层表面淀积第二氧化层。本发明还公开了一种半导体器件中深槽的填充结构。上述半导体器件中深槽的填充方法，填充结构在花瓶深槽的瓶颈处填充得更完全，结构更稳固。高温处理（例如退火）后不会在膜层表面出现断裂或脱落现象。所以可在该填充结构上继续生长其它器件结构层，进行光刻等工艺。
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公开(公告)号：CN103681233B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201210325243.3
申请日：2012-09-05
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: B81C1/0038 , B81B2203/0127 , B81C1/00158 , B81C1/00531
Abstract: 本发明公开了一种多沟槽结构的制作方法，包括步骤：在半导体衬底上各向异性刻蚀以形成纵向沟槽；在形成所述纵向沟槽的半导体衬底上生长第一外延层，使所述第一外延层覆盖所述纵向沟槽顶部，形成封闭结构；在所述封闭结构上进行各向异性和各向同性刻蚀，以形成沟槽阵列，并使所述沟槽阵列与所述纵向沟槽连通；所述沟槽阵列包括多个沟槽或通孔，所述多个沟槽或通孔的上部各自分离，下部相互连通形成腔体；生长第二外延层覆盖所述沟槽阵列，以形成封闭的多沟槽结构。该方法通过两次生长外延层，使多沟槽结构在制作过程中保持稳定坚固，避免了制作过程中出现膜层断裂或脱落的现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103681233A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210325243.3
申请日：2012-09-05
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: B81C1/0038 , B81B2203/0127 , B81C1/00158 , B81C1/00531 , B81C1/00055 , B81C1/00619
Abstract: 本发明公开了一种多沟槽结构的制作方法，包括步骤：在半导体衬底上各向异性刻蚀以形成纵向沟槽；在形成所述纵向沟槽的半导体衬底上生长第一外延层，使所述第一外延层覆盖所述纵向沟槽顶部，形成封闭结构；在所述封闭结构上进行各向异性和各向同性刻蚀，以形成沟槽阵列，并使所述沟槽阵列与所述纵向沟槽连通；所述沟槽阵列包括多个沟槽或通孔，所述多个沟槽或通孔的上部各自分离，下部相互连通形成腔体；生长第二外延层覆盖所述沟槽阵列，以形成封闭的多沟槽结构。该方法通过两次生长外延层，使多沟槽结构在制作过程中保持稳定坚固，避免了制作过程中出现膜层断裂或脱落的现象。
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公开(公告)号：CN103523738B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201210234964.3
申请日：2012-07-06
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
CPC classification number: B81C1/00825 , B81B7/0029 , B81C1/0038 , B81C2201/0167 , B81C2201/053
Abstract: 一种微机电系统薄片，包括硅衬底层、第一氧化层及第一薄膜层；所述硅衬底层包括用于微机电工艺的正面及与所述正面相对的背面，所述正面及所述背面均为抛光面；所述第一氧化层主要成分为二氧化硅，形成于所述硅衬底层的背面；所述第一薄膜层主要成分为氮化硅，形成于所述第一氧化层表面。上述微机电系统薄片中，通过在硅衬底层的背面依次层叠第一氧化层及第一薄膜层，有效保护了背面，防止其在进行微机电工艺过程中划伤。同时还提供了一种微机电系统薄片的制备方法。
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公开(公告)号：CN104425212A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310369561.4
申请日：2013-08-22
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/0271
Abstract: 本发明提供一种用于高台阶器件的聚酰亚胺的平坦化涂覆方法。所述方法包括：在所述高台阶器件的表面涂覆第一聚酰亚胺层；在所述第一聚酰亚胺层的表面涂覆光刻胶层，所述光刻胶层具有平坦的表面；采用平坦化工艺去除所述光刻胶层和部分的所述第一聚酰亚胺层，使剩余的第一聚酰亚胺层的表面高于所述高台阶器件的台阶表面；以及在所述剩余的第一聚酰亚胺层的表面涂覆第二聚酰亚胺层。该方法不仅保证聚酰亚胺在高台阶器件的表面具有良好的均匀覆盖能力，还能够使聚酰亚胺层具有平坦的表面。
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公开(公告)号：CN104163398A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201310187402.2
申请日：2013-05-17
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 代丹
IPC: B81C99/00
CPC classification number: B81C1/00079 , B81B2203/0346 , H01L21/76224
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件中深槽的填充方法，包括下列步骤：对硅衬底进行刻蚀，形成沟槽结构；在沟槽结构的底部和侧壁淀积第一氧化层；在所述第一氧化层表面淀积非晶硅层；在所述非晶硅层表面淀积第二氧化层。本发明还公开了一种半导体器件中深槽的填充结构。上述半导体器件中深槽的填充方法，填充结构在花瓶深槽的瓶颈处填充得更完全，结构更稳固。高温处理（例如退火）后不会在膜层表面出现断裂或脱落现象。所以可在该填充结构上继续生长其它器件结构层，进行光刻等工艺。
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公开(公告)号：CN103523738A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201210234964.3
申请日：2012-07-06
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
CPC classification number: B81C1/00825 , B81B7/0029 , B81C1/0038 , B81C2201/0167 , B81C2201/053
Abstract: 一种微机电系统薄片，包括硅衬底层、第一氧化层及第一薄膜层；所述硅衬底层包括用于微机电工艺的正面及与所述正面相对的背面，所述正面及所述背面均为抛光面；所述第一氧化层主要成分为二氧化硅，形成于所述硅衬底层的背面；所述第一薄膜层主要成分为氮化硅，形成于所述第一氧化层表面。上述微机电系统薄片中，通过在硅衬底层的背面依次层叠第一氧化层及第一薄膜层，有效保护了背面，防止其在进行微机电工艺过程中划伤。同时还提供了一种微机电系统薄片的制备方法。
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