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公开(公告)号：CN103523738B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201210234964.3
申请日：2012-07-06
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
CPC classification number: B81C1/00825 , B81B7/0029 , B81C1/0038 , B81C2201/0167 , B81C2201/053
Abstract: 一种微机电系统薄片，包括硅衬底层、第一氧化层及第一薄膜层；所述硅衬底层包括用于微机电工艺的正面及与所述正面相对的背面，所述正面及所述背面均为抛光面；所述第一氧化层主要成分为二氧化硅，形成于所述硅衬底层的背面；所述第一薄膜层主要成分为氮化硅，形成于所述第一氧化层表面。上述微机电系统薄片中，通过在硅衬底层的背面依次层叠第一氧化层及第一薄膜层，有效保护了背面，防止其在进行微机电工艺过程中划伤。同时还提供了一种微机电系统薄片的制备方法。
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公开(公告)号：CN103728467B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201210391609.7
申请日：2012-10-16
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: G01P15/125
CPC classification number: G01P15/125 , B81B7/02 , G01P2015/0837 , H01G5/16 , H02N1/08
Abstract: 本发明提供一种平行板电容器。该电容器包括第一极板和与第一极板相对设置的第二极板，其中，该平行板电容器还包括在形成所述第一极板的基底上设置的至少一对敏感单元，所述敏感单元包括敏感元件和将敏感元件连接到所述第一极板的元件连接臂；设置在所述第二极板所在的基底上的锚定支座，其通过悬臂梁连接到所述元件连接臂；其中，每个元件连接臂与相对于其对称的至少两个锚定支座连接。该平板电容器更容易受到外界因素影响，从而更易产生电容的变化。
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公开(公告)号：CN103728467A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210391609.7
申请日：2012-10-16
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: G01P15/125
CPC classification number: G01P15/125 , B81B7/02 , G01P2015/0837 , H01G5/16 , H02N1/08
Abstract: 本发明提供一种平行板电容器。该电容器包括第一极板和与第一极板相对设置的第二极板，其中，该平行板电容器还包括在形成所述第一极板的基底上设置的至少一对敏感单元，所述敏感单元包括敏感元件和将敏感元件连接到所述第一极板的元件连接臂；设置在所述第二极板所在的基底上的锚定支座，其通过悬臂梁连接到所述元件连接臂；其中，每个元件连接臂与相对于其对称的至少两个锚定支座连接。该平板电容器更容易受到外界因素影响，从而更易产生电容的变化。
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公开(公告)号：CN103578965A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210269511.4
申请日：2012-07-31
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/30608 , H01L21/3083
Abstract: 本发明公开了一种两种腐蚀深度的一次成形方法，包括采用具有横向腐蚀特性的腐蚀材料从多于一个入口处对腐蚀对象进行腐蚀。通过使用本发明，可以实现工艺流程的简化，提高效率，降低产生成本，还可能可以缩短生产时间。
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公开(公告)号：CN103578965B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210269511.4
申请日：2012-07-31
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/30608 , H01L21/3083
Abstract: 本发明公开了一种两种腐蚀深度的一次成形方法，包括采用具有横向腐蚀特性的腐蚀材料从多于一个入口处对腐蚀对象进行腐蚀。通过使用本发明，可以实现工艺流程的简化，提高效率，降低产生成本，还可能可以缩短生产时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105352656A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201410371305.3
申请日：2014-07-30
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: G01L25/00
CPC classification number: G01L27/00
Abstract: 本发明公开一种压力传感器测试装置，测试时测试容器里的压力传感器通过金属插针和测试容器外界的电路连接，既保证了气密性，也保证了信号传输的物理稳定性，使得测试数据精确和稳定，为产品的改进提供更精确的一线数据。本发明还公开了一种压力传感器测试方法。
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公开(公告)号：CN103488063B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210190822.1
申请日：2012-06-11
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: G03F9/00 , H01L23/544 , H01L21/02
CPC classification number: H01L23/544 , G03F9/708 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种对位标记及其制作方法，该对位标记采用各向异性刻蚀技术制作形成，由于各向异性刻蚀在晶圆不同晶面上的刻蚀速率不一致，可以在晶圆上刻蚀出特定的晶面。依据该特征形成的V型槽，由于两个槽面都是具有特定晶向的晶面，所以其所夹形成的槽脊线也必定准直于晶圆晶向。因此本发明的对位标记可以避免晶圆制作过程引入的对位误差，提高后续对位工艺的精确度和准确性。
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公开(公告)号：CN103776568A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201210395744.9
申请日：2012-10-18
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
CPC classification number: G01L9/0054 , G01L19/04
Abstract: 本发明公开了一种压力传感器，其包括硅杯、压敏电阻、绝缘层和金属膜。其中，所述硅杯包括位于该硅杯上部的感压膜和位于该硅杯侧边的支撑架；所述压敏电阻位于该硅杯的感压膜边界内；所述绝缘层覆盖于所述硅杯上表面；所述金属膜位于所述感压膜上方。利用金属具有热胀冷缩的特性，在感压膜上方放置金属膜，通过金属膜在温度升高时变长，迫使硅杯上感压膜发生更大变形来抵消或减少因使用温度升高使传感器输出信号减小的缺陷。
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公开(公告)号：CN103523738A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201210234964.3
申请日：2012-07-06
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
CPC classification number: B81C1/00825 , B81B7/0029 , B81C1/0038 , B81C2201/0167 , B81C2201/053
Abstract: 一种微机电系统薄片，包括硅衬底层、第一氧化层及第一薄膜层；所述硅衬底层包括用于微机电工艺的正面及与所述正面相对的背面，所述正面及所述背面均为抛光面；所述第一氧化层主要成分为二氧化硅，形成于所述硅衬底层的背面；所述第一薄膜层主要成分为氮化硅，形成于所述第一氧化层表面。上述微机电系统薄片中，通过在硅衬底层的背面依次层叠第一氧化层及第一薄膜层，有效保护了背面，防止其在进行微机电工艺过程中划伤。同时还提供了一种微机电系统薄片的制备方法。
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公开(公告)号：CN103488063A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201210190822.1
申请日：2012-06-11
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: G03F9/00 , H01L23/544 , H01L21/02
CPC classification number: H01L23/544 , G03F9/708 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种对位标记及其制作方法，该对位标记采用各向异性刻蚀技术制作形成，由于各向异性刻蚀在晶圆不同晶面上的刻蚀速率不一致，可以在晶圆上刻蚀出特定的晶面。依据该特征形成的V型槽，由于两个槽面都是具有特定晶向的晶面，所以其所夹形成的槽脊线也必定准直于晶圆晶向。因此本发明的对位标记可以避免晶圆制作过程引入的对位误差，提高后续对位工艺的精确度和准确性。
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