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公开(公告)号：CN107427815A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201580049097.8
申请日：2015-09-11
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: B01J23/72 , B01J23/75 , B01J23/745 , B01J23/34 , B01J23/46 , C02F1/72 , C02F1/50 , B01D53/86 , B01D53/74 , B01D53/72
CPC classification number: B01J35/004 , A61L9/18 , B01D53/007 , B01D2255/802 , B01J21/063 , B01J23/02 , B01J23/682 , B01J23/687 , B01J23/72 , B01J23/75 , B01J27/1817 , B01J35/002 , B01J37/04 , B01J37/086 , B01J37/16 , C02F1/32 , C02F1/725 , C02F2101/322 , C02F2305/10 , B01D53/72 , B01D53/74 , B01D53/86 , B01D53/8668 , B01D2257/704 , B01D2257/708 , B01D2257/91 , B01J23/34 , B01J23/468 , B01J23/745 , C02F1/50 , C02F2303/04
Abstract: 本文记载了非均质材料，其包含：p型半导体，其包含处于两种不同氧化态的同一金属的两种金属氧化物化合物；和n型半导体，其具有比所述p型半导体价带更深的价带，其中半导体类型彼此处于离子电荷连通。所述非均质材料增强光催化活性。
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公开(公告)号：CN104245628A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380020894.4
申请日：2013-04-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C04B35/645 , C09K11/77
CPC classification number: B28B23/028 , B32B18/00 , C04B35/44 , C04B35/6261 , C04B35/6264 , C04B35/6342 , C04B35/645 , C04B38/00 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3418 , C04B2235/441 , C04B2235/5409 , C04B2235/6025 , C04B2235/604 , C04B2235/606 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6581 , C04B2235/764 , C04B2235/95 , C04B2235/963 , C04B2235/9638 , C04B2237/343 , C04B2237/567 , C04B2237/66 , C04B2237/704 , C09K11/7706 , C09K11/7774 , C04B38/0655
Abstract: 本文公开了一种使用筛网或网格来烧结平坦陶瓷的方法和装置。
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公开(公告)号：CN103347982A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201180064498.2
申请日：2011-11-29
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本文公开了发射性陶瓷材料，该发射性陶瓷材料具有沿着钇铝石榴石(YAG)区域的厚度的掺杂浓度梯度。掺杂浓度梯度可包括最大掺杂浓度、半最大掺杂浓度以及在半最大掺杂浓度处或附近的斜率。在一些实施方案中，发射性陶瓷可表现出高内量子效率(IQE)。在一些实施方案中，发射性陶瓷可包括多孔区域。本文还公开了通过烧结具有掺杂层和非掺杂层的组件来制造发射性陶瓷的方法。
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公开(公告)号：CN103228762A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180045076.0
申请日：2011-09-16
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 一种层压的复合材料，包括波长转换层和不发光阻挡层，其中发光层包括石榴石主体材料和发光客体材料，所述不发光阻挡层包括不发光阻挡材料。当石榴石或石榴石类主体材料表示为A3B5O12时，构成不发光阻挡材料的金属元素的离子半径为A阳离子元素和/或构成发光客体材料的元素的离子半径的约80%或更低，不发光阻挡层基本上没有通过发光层和不发光阻挡层之间的界面迁移的发光客体材料。
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公开(公告)号：CN101953230B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200980105827.6
申请日：2009-02-19
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C09K11/7774 , B82Y30/00 , C04B35/44 , C04B35/62675 , C04B35/6268 , C04B35/63416 , C04B35/6342 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/5454 , C04B2235/656 , C04B2235/6581 , C04B2235/80 , C04B2235/9653 , C04B2235/9661 , H01L25/0753 , H01L33/502 , H01L2924/0002 , H05B33/14 , H01L2924/00
Abstract: 描述了一种发光装置，其包括：发光元件，其发射具有第一峰值波长的光；以及位于所述发光元件上的至少一个烧结的陶瓷板。至少一个烧结的陶瓷板能够吸收从所述发光元件发射的光的一部分并发射具有第二峰值波长的光，并且所述至少一个烧结的陶瓷板具有大于约40％的在所述第二峰值波长处的总光透射率。还公开了一种用于提高发光装置的发光强度的方法，其包括：提供发光元件；以及将上述至少一个烧结的陶瓷板安置在发光元件上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102782089A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180008530.5
申请日：2011-01-28
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C09K11/7774 , B32B18/00 , C04B35/44 , C04B35/62665 , C04B35/62675 , C04B35/6268 , C04B35/632 , C04B35/63488 , C04B35/638 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3418 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/444 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6582 , C04B2235/6587 , C04B2235/663 , C04B2235/9653 , C04B2235/9661 , C04B2237/343 , C04B2237/565 , C04B2237/582 , C04B2237/64 , C04B2237/704 , C04B2237/76 , H01L33/502 , H01L33/505
Abstract: 一种陶瓷复合层压制件，包括波长转换层和不发光层，其中该陶瓷复合层压制件具有至少0.650的波长转换效率(WCE)。所述陶瓷复合层压制件也可以包括包含发光材料和散射材料的波长转换陶瓷层，其中该层压的复合材料具有约40％至约85％的总透光率。该波长转换层可由等离子体YAG:Ce粉末形成。
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公开(公告)号：CN102449111A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080024351.6
申请日：2010-05-26
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09K11/77
CPC classification number: C09K11/7774 , B82Y30/00 , C04B35/44 , C04B35/6268 , C04B35/6342 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3418 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6581 , C04B2235/764 , C04B2235/9653 , C04B2235/9661 , H01L33/502 , H01L33/505
Abstract: 某些实施方案提供了其中掺杂物的量比常规发光陶瓷更低的发光陶瓷。在某些实施方案中，所述发光陶瓷包含含有稀土元素和至少一种稀土掺杂物的主体材料，其中所述稀土掺杂物为所述材料中存在的稀土原子的约0.01％至0.5％。某些实施方案提供了发光陶瓷，其包含由式(A1-xEx)3B5O12表示的多晶发光材料。某些实施方案提供了包含本文公开的发光陶瓷的发光装置。
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公开(公告)号：CN105163847B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201480017897.7
申请日：2014-03-13
Applicant: 日东电工株式会社
Inventor： 伊坎巴拉姆·山姆班登 , 张彬
IPC: B01J23/00 , B01J23/72 , H01L31/0264
CPC classification number: B01J23/007 , B01J23/72
Abstract: 本文描述了非均质材料，其包含：p型半导体，其包含处于两种不同氧化态的相同金属的两种金属氧化物化合物；和n型半导体，其具有比p型半导体价带更深的价带，其中半导体型相互离子连通。所述非均质材料增强光催化活性。
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公开(公告)号：CN103347982B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201180064498.2
申请日：2011-11-29
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本文公开了发射性陶瓷材料，该发射性陶瓷材料具有沿着钇铝石榴石(YAG)区域的厚度的掺杂浓度梯度。掺杂浓度梯度可包括最大掺杂浓度、半最大掺杂浓度以及在半最大掺杂浓度处或附近的斜率。在一些实施方案中，发射性陶瓷可表现出高内量子效率(IQE)。在一些实施方案中，发射性陶瓷可包括多孔区域。本文还公开了通过烧结具有掺杂层和非掺杂层的组件来制造发射性陶瓷的方法。
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公开(公告)号：CN102782089B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201180008530.5
申请日：2011-01-28
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C09K11/7774 , B32B18/00 , C04B35/44 , C04B35/62665 , C04B35/62675 , C04B35/6268 , C04B35/632 , C04B35/63488 , C04B35/638 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3418 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/444 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6582 , C04B2235/6587 , C04B2235/663 , C04B2235/9653 , C04B2235/9661 , C04B2237/343 , C04B2237/565 , C04B2237/582 , C04B2237/64 , C04B2237/704 , C04B2237/76 , H01L33/502 , H01L33/505
Abstract: 一种陶瓷复合层压制件，包括波长转换层和不发光层，其中该陶瓷复合层压制件具有至少0.650的波长转换效率(WCE)。所述陶瓷复合层压制件也可以包括包含发光材料和散射材料的波长转换陶瓷层，其中该层压的复合材料具有约40％至约85％的总透光率。该波长转换层可由等离子体YAG:Ce粉末形成。
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