公开(公告)号：CN104508082A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380019190.5

申请日：2013-03-04

Applicant: 日东电工株式会社 ,  张彬 ,  宫川浩明 ,  中村年孝

Inventor： 张彬 ,  宮川浩明 ,  中村年孝

IPC: C09K11/80 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/7769 ,  B32B18/00 ,  C04B35/44 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/632 ,  C04B35/63488 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/9653 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/565 ,  C04B2237/582 ,  C04B2237/588 ,  C04B2237/702 ,  C04B2237/704 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/50

Abstract: 本文公开的一些实施方案包括包含第一区和第二区的陶瓷体。第一区可包含主体材料及有效产生发光的第一浓度的掺杂剂。第二区可包含主体材料及第二浓度的掺杂剂。在一些实施方案中，第一区的平均粒径大于第二区的平均粒径。在一些实施方案中，陶瓷体可呈现优异的内部量子效率(IQE)。本文公开的一些实施方案包括本文公开的陶瓷体的制备方法与使用方法。此外，本文公开的一些实施方案包括照明设备，其包含本文公开的陶瓷体。

公开(公告)号：CN105163847A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201480017897.7

申请日：2014-03-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 伊坎巴拉姆·山姆班登 ,  张彬

IPC: B01J23/00 ,  B01J23/72 ,  H01L31/0264

CPC classification number: B01J23/007 ,  B01J23/72

Abstract: 本文描述了非均质材料，其包含：p型半导体，其包含处于两种不同氧化态的相同金属的两种金属氧化物化合物；和n型半导体，其具有比p型半导体价带更深的价带，其中半导体型相互离子连通。所述非均质材料增强光催化活性。

公开(公告)号：CN103228762A9

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201180045076.0

申请日：2011-09-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 张彬 ,  潘光 ,  宫川浩明 ,  藤井宏中 ,  拉杰什·慕克吉 ,  中村年孝

IPC: C09K11/77 ,  B32B18/00 ,  C01F17/00 ,  C04B35/117 ,  C04B35/44 ,  H01L33/50

Abstract: 一种层压的复合材料，包括波长转换层和不发光阻挡层，其中发光层包括石榴石主体材料和发光客体材料，所述不发光阻挡层包括不发光阻挡材料。当石榴石或石榴石类主体材料表示为A3B5O12时，构成不发光阻挡材料的金属元素的离子半径为A阳离子元素和/或构成发光客体材料的元素的离子半径的约80%或更低，不发光阻挡层基本上没有通过发光层和不发光阻挡层之间的界面迁移的发光客体材料。

公开(公告)号：CN112313291A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201980042370.2

申请日：2019-05-31

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 馨上野 ,  潘光 ,  张彬

IPC: C09D5/00 ,  C09D7/40

Abstract: 本文描述了基于疏水性聚合物基质、疏水性纳米颗粒和亲水性纳米颗粒的涂层，其提供耐损伤的疏水性、超疏水性和/或疏雪性能力，其中纳米颗粒可包含改性和未改性的页硅酸盐纳米粘土和改性二氧化硅。本文描述了通过采用上述涂层制造防雪材料的方法。还描述了复合材料表面的微米和纳米粗糙度。

公开(公告)号：CN103476903B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280017753.2

申请日：2012-02-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 张彬 ,  望月周 ,  中村年孝 ,  潘光 ,  宮川浩明 ,  藤井宏中

IPC: C09K11/77

CPC classification number: E21B41/00 ,  B32B18/00 ,  C04B35/44 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3218 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/764 ,  C04B2235/9646 ,  C04B2235/9653 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/582 ,  C09K11/7774 ,  E21B43/11852 ,  E21B47/18 ,  H01L33/502

Abstract: 本文公开了具有高钆浓度的磷光体组合物。一些实施方案包括热稳定的陶瓷体，所述陶瓷体包括发射层，其中所述发射层包括由通式(A1?x?zGdxDz)3B5O12表示的化合物，其中：D为第一掺杂剂，选自Nd、Er、Eu、Mn、Cr、Yb、Sm、Tb、Ce、Pr、Dy、Ho、Lu及其组合；A选自Y、Lu、Ca、La、Tb及其组合；B选自Al、Mg、Si、Ga、In及其组合；x为约0.20至约0.80；以及z为约0.001至约0.10。还公开了热稳定的陶瓷体，其可包括通式I的组合物。还公开了制造陶瓷体的方法及包括所述陶瓷体的发光装置。

公开(公告)号：CN103890138B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201280043220.1

申请日：2012-08-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宮川浩明 ,  张彬 ,  施建中

IPC: C09K11/77 ,  H05B33/14

CPC classification number: C09K11/7774 ,  C09K11/7721 ,  F21V9/30 ,  G21K5/00 ,  H01L33/502 ,  H05B33/14

Abstract: 本文公开具有少量特定微量元素的发射性陶瓷元件。申请人惊讶地发现，较低内部量子效率(IQE)可能归因于特定微量元素，所述特定微量元素即使在极少量(例如50ppm或以下)的情况下也可对IQE造成显著有害作用。在一些实施方案中，发射性陶瓷元件包括石榴石主体材料以及一定量的Ce掺杂剂。在一些实施方案中，发射性陶瓷元件可以具有：小于约67ppm的组合物中Na的量，小于约23ppm的组合物中Mg的量，或小于约21ppm的组合物中Fe的量。

公开(公告)号：CN102449111B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201080024351.6

申请日：2010-05-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中村年孝 ,  藤井宏中 ,  宮川浩明 ,  拉贾什·穆克尔吉 ,  张彬 ,  望月周

IPC: C09K11/77

CPC classification number: C09K11/7774 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/44 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/6342 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/764 ,  C04B2235/9653 ,  C04B2235/9661 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505

Abstract: 某些实施方案提供了其中掺杂物的量比常规发光陶瓷更低的发光陶瓷。在某些实施方案中，所述发光陶瓷包含含有稀土元素和至少一种稀土掺杂物的主体材料，其中所述稀土掺杂物为所述材料中存在的稀土原子的约0.01％至0.5％。某些实施方案提供了发光陶瓷，其包含由式(A1-xEx)3B5O12表示的多晶发光材料。某些实施方案提供了包含本文公开的发光陶瓷的发光装置。

公开(公告)号：CN101953230A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200980105827.6

申请日：2009-02-19

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中村年孝 ,  藤井宏中 ,  宮川浩明 ,  拉贾什·穆克尔吉 ,  张彬 ,  望月周

IPC: H05B33/14 ,  C09K11/80

CPC classification number: C09K11/7774 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/44 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/6342 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9653 ,  C04B2235/9661 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/502 ,  H01L2924/0002 ,  H05B33/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 描述了一种发光装置，其包括：发光元件，其发射具有第一峰值波长的光；以及位于所述发光元件上的至少一个烧结的陶瓷板。至少一个烧结的陶瓷板能够吸收从所述发光元件发射的光的一部分并发射具有第二峰值波长的光，并且所述至少一个烧结的陶瓷板具有大于约40％的在所述第二峰值波长处的总光透射率。还公开了一种用于提高发光装置的发光强度的方法，其包括：提供发光元件；以及将上述至少一个烧结的陶瓷板安置在发光元件上。

公开(公告)号：CN112384574A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201980036681.8

申请日：2019-05-31

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 潘光 ,  上野馨 ,  张彬

IPC: C09D5/00 ,  C09D7/40 ,  C09D7/62

Abstract: 本文中描述的是基于疏水性聚合物基体和疏水性纳米粒子的涂层，所述涂层提供耐损伤的疏水性、超疏水性和/或疏雪性能力，其中所述纳米粒子可包含改性的层状硅酸盐纳米粘土。描述了复合材料表面的微米粗糙度和纳米粗糙度。还描述了通过采用上述涂层来产生防雪材料的方法。

公开(公告)号：CN112368074A

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201980043458.6

申请日：2019-06-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 埃卡恩巴拉姆·山姆班丹 ,  张彬

IPC: B01J23/58 ,  B01J23/66 ,  B01J35/00 ,  B01D53/72 ,  B01D53/00 ,  B01J23/04 ,  B01J21/06 ,  B01J37/08 ,  B01J23/00

Abstract: 本文描述了包含第一n型半导体和第二n型半导体的混合物的非均相材料。所述第一n型半导体可以是单相或多相TiO2材料。所述第二n型半导体包含金属钛酸盐和/或贵金属。在用紫外光活化后，本文所描述的光催化材料混合物有效地分解挥发性化合物。此外，相对于已知的半导体材料，本文公开的光催化材料显然对通过沉积失活更稳定。