公开(公告)号：CN113754863A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110599108.7

申请日：2021-05-31

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 生田润 ,  藤井宏中 ,  木村龙一

IPC: C08G59/24 ,  C08G59/42 ,  C09J163/00 ,  C09J163/02 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明提供一种光半导体密封用树脂成型物，其能够得到耐热性、耐温度循环性和耐回流焊性优异的光半导体密封材料。一种光半导体密封用树脂成型物，其满足下述关系式(1)：0.0005≤E’265℃/E’100℃≤0.0050(1)(式中，E’265℃和E’100℃分别表示通过下述方法得到的固化物(尺寸：宽度5mm×长度35mm×厚度1mm)在265℃和100℃下的储能模量(Pa)。)(固化物的制作方法)将树脂成型物在150℃下加热4分钟而进行成型，然后在150℃下加热3小时，从而得到固化物。

公开(公告)号：CN113308086A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202011595900.7

申请日：2020-12-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤井宏中 ,  山根实 ,  松尾晓 ,  大田真也 ,  姫野直子

IPC: C08L63/00 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明涉及光半导体封装用树脂成型物、光半导体封装材料以及光半导体装置。本发明提供不易产生破裂、成型时不易产生空隙的光半导体封装用树脂成型物、以及使用该光半导体封装用树脂成型物得到的光半导体封装材料和光半导体装置。一种光半导体封装用树脂成型物，其用于最薄部的厚度为300μm以下的光半导体封装材料，所述光半导体封装用树脂成型物的压缩率为90％以上，并且所述光半导体封装用树脂成型物中的粒径为125μm以下的粒子的比例为15％以下。

公开(公告)号：CN107112396A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201680004659.1

申请日：2016-02-02

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤井宏中 ,  白川真广

IPC: H01L33/50 ,  F21V13/12 ,  H01L33/52 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  F21Y115/10

Abstract: 荧光体陶瓷是具有孔径为3.0μm以上且12.0μm以下的空孔的荧光体陶瓷。空孔占荧光体陶瓷的体积比例为1.5体积％以上且9.5体积％以下。

公开(公告)号：CN106233475A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580021239.X

申请日：2015-04-02

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 白川真广 ,  藤井宏中

IPC: H01L33/50 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622 ,  C04B41/87

CPC classification number: F21V9/30 ,  C04B35/50 ,  C04B35/505 ,  C04B35/622 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/634 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B41/87 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C09K11/7774 ,  F21K9/64 ,  F21V29/76 ,  F21Y2115/10 ,  F21Y2115/30 ,  H01L24/97 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00012

Abstract: 波长转换构件的制造方法包括下述工序：配置工序，将荧光体陶瓷层配置在基材上；去除工序，将荧光体陶瓷层的一部分去除，使得沿与基材的厚度方向正交的方向隔开间隔配置多个荧光体陶瓷元件；形成工序，以被覆荧光体陶瓷元件的表面的方式在基材上形成含有无机物的被覆层；以及，切断工序，以包括至少1个荧光体陶瓷元件的方式将被覆层和基材沿厚度方向切断。

公开(公告)号：CN103228762A9

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201180045076.0

申请日：2011-09-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 张彬 ,  潘光 ,  宫川浩明 ,  藤井宏中 ,  拉杰什·慕克吉 ,  中村年孝

IPC: C09K11/77 ,  B32B18/00 ,  C01F17/00 ,  C04B35/117 ,  C04B35/44 ,  H01L33/50

Abstract: 一种层压的复合材料，包括波长转换层和不发光阻挡层，其中发光层包括石榴石主体材料和发光客体材料，所述不发光阻挡层包括不发光阻挡材料。当石榴石或石榴石类主体材料表示为A3B5O12时，构成不发光阻挡材料的金属元素的离子半径为A阳离子元素和/或构成发光客体材料的元素的离子半径的约80%或更低，不发光阻挡层基本上没有通过发光层和不发光阻挡层之间的界面迁移的发光客体材料。

公开(公告)号：CN106233474A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580021212.0

申请日：2015-04-02

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤井宏中 ,  白川真广

IPC: H01L33/50 ,  C04B35/00 ,  C04B35/50 ,  C04B41/87

CPC classification number: H01L33/502 ,  C04B35/00 ,  C04B35/50 ,  C04B35/505 ,  C04B41/87 ,  C08K3/08 ,  C08K3/22 ,  C08K2003/0806 ,  C08K2003/2227 ,  C08K2003/2237 ,  C08K2003/2241 ,  C08K2201/001 ,  C09D1/02 ,  C09D7/61 ,  C09D11/00 ,  C09D183/04 ,  C09K5/14 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/507 ,  H01L33/60 ,  H01L33/641 ,  H01L33/644 ,  H01L2224/96 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0075

Abstract: 波长转换接合构件具备荧光体陶瓷元件和设置在荧光体陶瓷元件的一个面的接合层，接合层的热导率超过0.20W/m·K，接合层的反射率为90％以上。

公开(公告)号：CN103476903B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280017753.2

申请日：2012-02-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 张彬 ,  望月周 ,  中村年孝 ,  潘光 ,  宮川浩明 ,  藤井宏中

IPC: C09K11/77

CPC classification number: E21B41/00 ,  B32B18/00 ,  C04B35/44 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3218 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/764 ,  C04B2235/9646 ,  C04B2235/9653 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/582 ,  C09K11/7774 ,  E21B43/11852 ,  E21B47/18 ,  H01L33/502

Abstract: 本文公开了具有高钆浓度的磷光体组合物。一些实施方案包括热稳定的陶瓷体，所述陶瓷体包括发射层，其中所述发射层包括由通式(A1?x?zGdxDz)3B5O12表示的化合物，其中：D为第一掺杂剂，选自Nd、Er、Eu、Mn、Cr、Yb、Sm、Tb、Ce、Pr、Dy、Ho、Lu及其组合；A选自Y、Lu、Ca、La、Tb及其组合；B选自Al、Mg、Si、Ga、In及其组合；x为约0.20至约0.80；以及z为约0.001至约0.10。还公开了热稳定的陶瓷体，其可包括通式I的组合物。还公开了制造陶瓷体的方法及包括所述陶瓷体的发光装置。

公开(公告)号：CN102347423B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201110196823.2

申请日：2011-07-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大薮恭也 ,  中村年孝 ,  藤井宏中 ,  伊藤久贵

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/58 ,  H01L33/50 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/505 ,  H01L33/52 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供发光装置用零件、发光装置及其制造方法。发光装置用零件具有：能够封装发光二极管的封装树脂层；形成于封装树脂层的正面，能够发出荧光的荧光层；以避开封装树脂层封装发光二极管的区域的方式设于封装树脂层的背面且能够反射光的反射层。

公开(公告)号：CN102384383B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201110196068.8

申请日：2011-07-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大薮恭也 ,  中村年孝 ,  藤井宏中 ,  伊藤久贵

IPC: F21S2/00 ,  F21V9/10 ,  F21Y101/02

CPC classification number: H01L33/504 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/44 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/764 ,  C04B2235/9653 ,  C04B2235/9661 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/615 ,  C09K11/7731 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  Y02B20/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种发光装置，其包括：由外部供给电力的电路基板；和发光二极管，其电连接在电路基板上，并且通过来自电路基板的电力来发光；和壳体，其以包围发光二极管的方式设置在电路基板上，并且其上端部配置在比发光二极管的上端部更上侧；和荧光层叠体，其设置在壳体之上。荧光层叠体包括发出荧光的第一荧光层和发出波长长于第一荧光层的荧光的第二荧光层。第二荧光层配置在壳体之上，第一荧光层层叠在第二荧光层上。

公开(公告)号：CN102449111B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201080024351.6

申请日：2010-05-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中村年孝 ,  藤井宏中 ,  宮川浩明 ,  拉贾什·穆克尔吉 ,  张彬 ,  望月周

IPC: C09K11/77

CPC classification number: C09K11/7774 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/44 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/6342 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/764 ,  C04B2235/9653 ,  C04B2235/9661 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505

Abstract: 某些实施方案提供了其中掺杂物的量比常规发光陶瓷更低的发光陶瓷。在某些实施方案中，所述发光陶瓷包含含有稀土元素和至少一种稀土掺杂物的主体材料，其中所述稀土掺杂物为所述材料中存在的稀土原子的约0.01％至0.5％。某些实施方案提供了发光陶瓷，其包含由式(A1-xEx)3B5O12表示的多晶发光材料。某些实施方案提供了包含本文公开的发光陶瓷的发光装置。