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公开(公告)号：CN103715344A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310451325.7
申请日：2013-09-27
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L33/50 , C09J183/04
CPC classification number: C09K11/7721 , C08G77/26 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J183/04 , C09J183/08 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2483/00 , C09K11/08 , C09K11/7774 , H01L33/50 , H01L33/505 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , Y10T428/2852 , C08K5/14 , C08K5/5415 , C08K5/29 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供荧光体层贴附成套配件、光半导体元件-荧光体层贴附体及光半导体装置。所述荧光体层贴附成套配件含有荧光体层、以及用于将荧光体层贴附于光半导体元件或光半导体元件封装体的有机硅粘合粘接剂组合物。有机硅粘合粘接剂组合物的剥离强度的百分比为30%以上。
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公开(公告)号：CN101953230A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200980105827.6
申请日：2009-02-19
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C09K11/7774 , B82Y30/00 , C04B35/44 , C04B35/62675 , C04B35/6268 , C04B35/63416 , C04B35/6342 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/5454 , C04B2235/656 , C04B2235/6581 , C04B2235/80 , C04B2235/9653 , C04B2235/9661 , H01L25/0753 , H01L33/502 , H01L2924/0002 , H05B33/14 , H01L2924/00
Abstract: 描述了一种发光装置，其包括：发光元件，其发射具有第一峰值波长的光；以及位于所述发光元件上的至少一个烧结的陶瓷板。至少一个烧结的陶瓷板能够吸收从所述发光元件发射的光的一部分并发射具有第二峰值波长的光，并且所述至少一个烧结的陶瓷板具有大于约40％的在所述第二峰值波长处的总光透射率。还公开了一种用于提高发光装置的发光强度的方法，其包括：提供发光元件；以及将上述至少一个烧结的陶瓷板安置在发光元件上。
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公开(公告)号：CN106233476A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580021247.4
申请日：2015-04-02
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L33/50 , C04B35/50 , C04B35/622 , C04B41/87
CPC classification number: C09K11/7774 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/622 , C04B35/62218 , C04B35/634 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B41/87 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/60 , H01L33/642 , H01L2933/0041
Abstract: 波长转换构件的制造方法包括下述工序：准备元件配置基材的工序，所述元件配置基材具备基材和在基材上沿与基材的厚度方向正交的方向隔开间隔配置的多个荧光体陶瓷元件；使多个荧光体陶瓷元件埋在含有无机物的固化性层中的工序；使固化性层固化得到被覆层的工序；以及，以包括至少1个荧光体陶瓷元件的方式将被覆层和基材沿厚度方向切断的工序。
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公开(公告)号：CN103347982B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201180064498.2
申请日：2011-11-29
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本文公开了发射性陶瓷材料，该发射性陶瓷材料具有沿着钇铝石榴石(YAG)区域的厚度的掺杂浓度梯度。掺杂浓度梯度可包括最大掺杂浓度、半最大掺杂浓度以及在半最大掺杂浓度处或附近的斜率。在一些实施方案中，发射性陶瓷可表现出高内量子效率(IQE)。在一些实施方案中，发射性陶瓷可包括多孔区域。本文还公开了通过烧结具有掺杂层和非掺杂层的组件来制造发射性陶瓷的方法。
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公开(公告)号：CN105518104A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480048721.8
申请日：2014-08-26
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/7774 , F21V9/30 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2933/005 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种波长转换片，其特征在于，由含有有机硅树脂、有机颗粒及荧光体的荧光体树脂组合物形成，前述有机颗粒的折射率为1.45～1.60。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102782089B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201180008530.5
申请日：2011-01-28
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C09K11/7774 , B32B18/00 , C04B35/44 , C04B35/62665 , C04B35/62675 , C04B35/6268 , C04B35/632 , C04B35/63488 , C04B35/638 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3418 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/444 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6582 , C04B2235/6587 , C04B2235/663 , C04B2235/9653 , C04B2235/9661 , C04B2237/343 , C04B2237/565 , C04B2237/582 , C04B2237/64 , C04B2237/704 , C04B2237/76 , H01L33/502 , H01L33/505
Abstract: 一种陶瓷复合层压制件，包括波长转换层和不发光层，其中该陶瓷复合层压制件具有至少0.650的波长转换效率(WCE)。所述陶瓷复合层压制件也可以包括包含发光材料和散射材料的波长转换陶瓷层，其中该层压的复合材料具有约40％至约85％的总透光率。该波长转换层可由等离子体YAG:Ce粉末形成。
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公开(公告)号：CN104143601A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410196837.8
申请日：2014-05-09
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/505 , H01L33/502 , H01L33/62 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/10155 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , H05K1/0274 , H05K1/0373 , H05K3/284 , H05K2201/10106 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及电路基板、光半导体装置及其制造方法。电路基板具备：用于将光半导体元件安装在厚度方向的一侧的含荧光体基板，和，层叠在含荧光体基板的厚度方向的一面、用于与光半导体元件电连接的电极布线。
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公开(公告)号：CN103476903A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201280017753.2
申请日：2012-02-22
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09K11/77
CPC classification number: E21B41/00 , B32B18/00 , C04B35/44 , C04B35/50 , C04B2235/3217 , C04B2235/3218 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3418 , C04B2235/5409 , C04B2235/6025 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6581 , C04B2235/6586 , C04B2235/764 , C04B2235/9646 , C04B2235/9653 , C04B2237/343 , C04B2237/582 , C09K11/7774 , E21B43/11852 , E21B47/18 , H01L33/502
Abstract: 本文公开了具有高钆浓度的磷光体组合物。一些实施方案包括热稳定的陶瓷体，所述陶瓷体包括发射层，其中所述发射层包括由通式(A1-x-zGdxDz)3B5O12表示的化合物，其中：D为第一掺杂剂，选自Nd、Er、Eu、Mn、Cr、Yb、Sm、Tb、Ce、Pr、Dy、Ho、Lu及其组合；A选自Y、Lu、Ca、La、Tb及其组合；B选自Al、Mg、Si、Ga、In及其组合；x为约0.20至约0.80；以及z为约0.001至约0.10。还公开了热稳定的陶瓷体，其可包括通式I的组合物。还公开了制造陶瓷体的方法及包括所述陶瓷体的发光装置。
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公开(公告)号：CN102384383A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110196068.8
申请日：2011-07-11
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: F21S2/00 , F21V9/10 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L33/504 , B82Y30/00 , C04B35/44 , C04B35/6455 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/443 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/652 , C04B2235/6562 , C04B2235/6581 , C04B2235/6582 , C04B2235/764 , C04B2235/9653 , C04B2235/9661 , C09K11/0883 , C09K11/615 , C09K11/7731 , C09K11/7734 , C09K11/7774 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/58 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , Y02B20/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光装置，其包括：由外部供给电力的电路基板；和发光二极管，其电连接在电路基板上，并且通过来自电路基板的电力来发光；和壳体，其以包围发光二极管的方式设置在电路基板上，并且其上端部配置在比发光二极管的上端部更上侧；和荧光层叠体，其设置在壳体之上。荧光层叠体包括发出荧光的第一荧光层和发出波长长于第一荧光层的荧光的第二荧光层。第二荧光层配置在壳体之上，第一荧光层层叠在第二荧光层上。
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公开(公告)号：CN102299237A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110179949.9
申请日：2011-06-22
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/54 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光器件，包括：用于元件安装的基板；被设置在该基板上的布线；被设置在该基板上并且被电连接到该布线的LED元件；用于封装该LED元件的封装树脂层；和包含荧光体材料并且转换由该LED元件发射的光的波长的波长转换层，其中该波长转换层被设置在该LED元件的上侧上，并且在LED元件的侧面被其围绕的状态中设置漫反射树脂层，并且与在LED元件的上表面上的发光区域的面积相比，按照面积比率，波长转换层的在LED元件面侧的面积是至少两倍大。
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