公开(公告)号：CN103828030A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201280003274.5

申请日：2012-08-10

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 杉山智彦 ,  前原宗太 ,  角谷茂明 ,  田中光浩

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/02293 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/432 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种反向漏电流得到抑制且二维电子气迁移率高的半导体元件。一种半导体原件具备：外延基板，在基底基板上以使（0001）结晶面大致平行于基板面的方式层叠形成III族氮化物层组；肖特基电极。其中，外延基板具备：沟道层，由具有Inx1Aly1Gaz1N（x1+y1+z1=1、z1＞0）组成的第一III族氮化物构成；势垒层，由具有Inx2Aly2N（x2+y2=1、x2＞0、y2＞0）组成的第二III族氮化物构成；中间层，由GaN构成且邻接于所述势垒层；保护层，由AlN构成且邻接于所述中间层。其中，肖特基电极接合在所述保护层上。

公开(公告)号：CN119486798A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202380050766.8

申请日：2023-08-02

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 饭田和希 ,  柴垣行成 ,  中川刚佑 ,  前原宗太 ,  菅博史

IPC: B01D63/06

Abstract: 分离膜模块(1)具备：筒状的壳体(20)；柱状的反应器(10)，其收容于壳体(20)，并沿长度方向延伸；以及环状的第一凸缘(30)，其包围反应器(10)的第一端部(10a)。在长度方向上，反应器(10)的第一端面(F2)位于比第一凸缘(30)的端面(K1)靠外侧的位置。

公开(公告)号：CN113506777B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202110773748.5

申请日：2016-10-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 市村干也 ,  前原宗太 ,  仓冈义孝

IPC: H01L23/14 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种抑制漏电流且耐压高的半导体元件用外延基板和半导体元件。在半导体元件用外延基板中，包括：包含掺杂有Zn的GaN的半绝缘性自立基板、与自立基板邻接的包含第13族氮化物的缓冲层、与缓冲层邻接的包含第13族氮化物的沟道层、和夹着沟道层而设置在与缓冲层相反一侧的包含第13族氮化物的势垒层，包含自立基板和缓冲层的第1区域中的一部分为以1×1017cm‑3以上的浓度含有Si的第2区域，第2区域中的Zn浓度的最小值为1×1017cm‑3。

公开(公告)号：CN118632951A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202280089167.2

申请日：2022-10-14

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 野中健太朗 ,  田村贵洋 ,  前原宗太 ,  仓冈义孝

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/20 ,  C23C16/34 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208 ,  H01L29/80

Abstract: 针对具有13族元素氮化物单晶上的缓冲层、缓冲层上的厚度700nm以下的沟道层、以及沟道层上的势垒层的层叠体，抑制载流子面密度、载流子迁移率的降低。本层叠体1具备：13族元素氮化物单晶基板2，其由13族元素氮化物单晶构成，且具有第一主面2a及第二主面2b；缓冲层3，其设置在13族元素氮化物单晶基板2的第一主面2a上；沟道层4，其设置在缓冲层3上；以及势垒层5，其设置在沟道层4上。沟道层4的厚度为700nm以下，13族元素氮化物单晶基板2的第一主面2a的偏角为0.4°以上1.0°以下。

公开(公告)号：CN113506777A

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN202110773748.5

申请日：2016-10-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 市村干也 ,  前原宗太 ,  仓冈义孝

IPC: H01L23/14 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种抑制漏电流且耐压高的半导体元件用外延基板和半导体元件。在半导体元件用外延基板中，包括：包含掺杂有Zn的GaN的半绝缘性自立基板、与自立基板邻接的包含第13族氮化物的缓冲层、与缓冲层邻接的包含第13族氮化物的沟道层、和夹着沟道层而设置在与缓冲层相反一侧的包含第13族氮化物的势垒层，包含自立基板和缓冲层的第1区域中的一部分为以1×1017cm‑3以上的浓度含有Si的第2区域，第2区域中的Zn浓度的最小值为1×1017cm‑3。

公开(公告)号：CN108352327A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680059657.2

申请日：2016-10-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 市村干也 ,  前原宗太 ,  仓冈义孝

IPC: H01L21/338 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种抑制漏电流且耐压高的半导体元件用外延基板。在半导体元件用外延基板中，包括：包含掺杂有Zn的GaN的半绝缘性自立基板、与自立基板邻接的包含第13族氮化物的缓冲层、与缓冲层邻接的包含第13族氮化物的沟道层、和夹着沟道层而设置在与缓冲层相反一侧的包含第13族氮化物的势垒层，包含自立基板和缓冲层的第1区域中的一部分为以1×1017cm-3以上的浓度含有Si的第2区域，第2区域中的Zn浓度的最小值为1×1017cm-3。

公开(公告)号：CN102511075B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201080041195.4

申请日：2010-12-02

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 三好实人 ,  角谷茂明 ,  市村干也 ,  前原宗太 ,  田中光浩

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/045 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7787

Abstract: 提供一种将硅基板作为基底基板，无裂纹且降低弯曲的外延基板。该外延基板，在(111)单晶Si基板之上以(0001)结晶面与基板面大致平行的方式形成III族氮化物层组，并具有：缓冲层，交替层叠第一层叠单位和第二层叠单位而成，并且，最上部和最下部都由第一层叠单位构成，结晶层，形成在缓冲层之上；第一层叠单位包括：组分调制层，通过重复交替层叠组分不同的第一单位层和第二单位层而成，从而内部存在压缩应变；第一中间层，加强在组分调制层中存在的压缩应变；第二层叠单位是实质上无应变的第二中间层。

公开(公告)号：CN102859695A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180020720.9

申请日：2011-04-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 三好实人 ,  角谷茂明 ,  市村干也 ,  前原宗太 ,  田中光浩

IPC: H01L29/06 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/15 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/155 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种将硅基板作为基底基板，无裂纹且耐电压性优良的外延基板。将在（111）取向的单晶Si基底基板上，以使（0001）结晶面与基板面大致平行的方式形成III族氮化物层组的外延基板，以如下方式形成。该外延基板具有：缓冲层，其具有多个通过交替层叠由AlN构成的第一组分层和由AlxGa1-xN（0≦x＜1）构成的第二组分层而形成的组分调制层；形成在缓冲层上的结晶层；将第一组分层和第二组分层的层叠数分别设为n，并将从基底基板侧开始的第i个第二组分层的x的值设为x（i）时，以满足x（1）≧x（2）≧···≧x（n-1）≧x（n），且x（1）＞x（n）的方式形成，使得各第二组分层相对于第一组分层形成共格状态。

公开(公告)号：CN119790122A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202380062551.8

申请日：2023-08-30

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 饭田和希 ,  前原宗太 ,  安藤淳一 ,  大熊裕介 ,  菅博史 ,  柴垣行成 ,  高桥道夫

IPC: C10G2/00 ,  C07C29/151 ,  C07C31/04 ,  C10L1/02

Abstract: 本发明的主要目的在于，减小从含有碳氧化物以及氢气的原料气体向液体燃料转化的转化反应中的反应器的入口的气体温度与出口的气体温度的温度差。根据本发明的实施方式的液体燃料的制造方法包括：使至少含有碳氧化物以及氢气的原料气体流入收容催化剂的反应器的工序；以及在所述催化剂存在的条件下通过转化反应由所述原料气体生成液体燃料的工序，所述原料气体还含有非活性气体，所述碳氧化物中的一氧化碳浓度相对于二氧化碳浓度的比率为0.9以下。

公开(公告)号：CN119789899A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202380056422.8

申请日：2023-08-29

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 安藤淳一 ,  高桥道夫 ,  大熊裕介 ,  饭田和希 ,  菅博史 ,  柴垣行成 ,  前原宗太

IPC: B01D53/04

Abstract: 本发明提供能够将酸性气体自酸性气体吸附材料稳定地脱离的酸性气体吸附装置。本发明的实施方式所涉及的酸性气体吸附装置具备第一吸附部及第二吸附部。该第二吸附部相对于该第一吸附部而空开间隔地配置于该待处理气体的通过方向上的下游侧。该第一吸附部包括第一流路，该第二吸附部包括第二流路。在该待处理气体的通过方向上的该第一吸附部与该第二吸附部之间形成有与该第一流路及该第二流路相通的第一脱离气体流路。