公开(公告)号：CN119836319A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202380056423.2

申请日：2023-08-29

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 安藤淳一 ,  高桥道夫 ,  大熊裕介 ,  饭田和希 ,  菅博史 ,  柴垣行成 ,  前原宗太

IPC: B01D53/04

Abstract: 本发明提供能够将劣化的酸性气体吸附部局部更换且能够减少运行成本的酸性气体吸附装置。本发明的实施方式所涉及的酸性气体吸附装置具备：流体能够在规定方向上通过的酸性气体吸附部、以及1个外壳。酸性气体吸附部包含能够吸附酸性气体的酸性气体吸附材料。酸性气体吸附部至少被分割为：第一吸附部，其包括流体的通过方向上的上游端面；以及第二吸附部，其在流体的通过方向上配置于第一吸附部的下游侧。1个外壳将第一吸附部及第二吸附部一并收纳。第一吸附部和/或第二吸附部在与流体的通过方向交叉的方向上被分割为多个。

公开(公告)号：CN108140561B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN201680059991.8

申请日：2016-10-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 市村干也 ,  前原宗太 ,  仓冈义孝

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种抑制了电流崩塌的发生的半导体元件用外延基板。半导体元件用外延基板包括：包含掺杂有Zn的GaN的半绝缘性自立基板、与上述自立基板邻接的缓冲层、与上述缓冲层邻接的沟道层、和夹着上述沟道层而设置在与上述缓冲层相反一侧的势垒层，上述缓冲层为抑制Zn从上述自立基板向上述沟道层扩散的扩散抑制层。

公开(公告)号：CN108140563A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680061152.X

申请日：2016-11-01

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 市村干也 ,  前原宗太 ,  仓冈义孝

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B19/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/401 ,  H01L29/66007 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种抑制电流崩塌的发生的半导体元件用外延基板。半导体元件用外延基板包括：半绝缘性的自立基板，其含有掺杂有Zn的GaN；缓冲层，其与上述自立基板相邻；沟道层，其与上述缓冲层相邻；以及势垒层，其隔着上述沟道层而设置于上述缓冲层的相反侧，上述缓冲层是含有AlpGa1－pN(0.7≤p≤1)、且抑制Zn从上述自立基板向上述沟道层扩散的扩散抑制层。

公开(公告)号：CN103828030B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201280003274.5

申请日：2012-08-10

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 杉山智彦 ,  前原宗太 ,  角谷茂明 ,  田中光浩

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/02293 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/432 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种反向漏电流得到抑制且二维电子气迁移率高的半导体元件。一种半导体原件具备：外延基板，在基底基板上以使（0001）结晶面大致平行于基板面的方式层叠形成III族氮化物层组；肖特基电极。其中，外延基板具备：沟道层，由具有Inx1Aly1Gaz1N（x1+y1+z1=1、z1＞0）组成的第一III族氮化物构成；势垒层，由具有Inx2Aly2N（x2+y2=1、x2＞0、y2＞0）组成的第二III族氮化物构成；中间层，由GaN构成且邻接于所述势垒层；保护层，由AlN构成且邻接于所述中间层。其中，肖特基电极接合在所述保护层上。

公开(公告)号：CN103109351A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201180043385.4

申请日：2011-08-19

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 三好实人 ,  市村干也 ,  前原宗太 ,  田中光浩

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/0661 ,  C23C16/303 ,  C30B23/025 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003

Abstract: 本发明提供一种将硅基板作为基底基板、低位错且无裂纹的外延基板。一种外延基板，在（111）单晶硅基板上，以（0001）结晶面与基板面大致平行的方式形成III族氮化物层组，所述外延基板具有由多个基底层层叠而成的基底层组，所述基底层分别包括由AlN构成的第一III族氮化物层、和在第一III族氮化物层上形成的、由AlyyGazzN构成的第二III族氮化物层构成。第一III族氮化物层为多结晶含有缺陷层，第一和第二III族氮化物层的界面呈三维凹凸面，并且，在多个基底层中，构成基底基板正上方以外的基底层的第一III族氮化物层的厚度为50nm以上且100nm以下，第二III族氮化物层满足0≦yy≦0.2。

公开(公告)号：CN102859653A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180020582.4

申请日：2011-04-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 三好实人 ,  角谷茂明 ,  市村干也 ,  前原宗太 ,  田中光浩

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02381 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205

Abstract: 本发明提供一种外延基板，其将硅基板作为基底基板，无裂纹且耐电压性优良。其在作为(111)取向的单晶硅的基底基板之上，以使(0001)结晶面与所述基底基板的基板面大致平行的方式形成有III族氮化物层组，其具有：缓冲层，其具备多个第一层叠单位，该第一层叠单位包括：组分调制层，其交替层叠由A1N构成的第一组分层和由AlxGa1-xN(0≤x＜1)组分的III族氮化物构成的第二组分层而成；第一中间层，其由AlyGa1-yN(0≤y＜1)组分的III族氮化物构成。当将第一组分层和第二组分层的层叠数分别设为n(n为2以上的自然数)，且将从基底基板侧开始第i个第二组分层的x值设为x(i)时，如下：x(1)≥x(2)≥···≥x(n-1)≥x(n)且x(1)＞x(n)，且第二组分层相对于第一组分层呈共格状态，第一中间层相对于组分调制层呈共格状态。

公开(公告)号：CN119855886A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380058630.1

申请日：2023-08-30

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 饭田和希 ,  前原宗太 ,  安藤淳一 ,  大熊裕介 ,  菅博史 ,  柴垣行成 ,  高桥道夫

IPC: C10G2/00 ,  C07C29/151 ,  C07C31/04 ,  C10L1/02

Abstract: 本发明的主要目的在于，抑制从含有碳氧化物以及氢气的原料气体向液体燃料转化的转化反应中的反应器的气体流入口附近处的反应效率降低。根据本发明的实施方式的液体燃料的制造方法包括：使至少含有碳氧化物以及氢气的原料气体流入收容催化剂的反应器的工序；以及在所述催化剂存在的条件下，通过转化反应由所述原料气体生成液体燃料的工序，所述原料气体还含有氧气，所述碳氧化物中的一氧化碳浓度相对于二氧化碳浓度的比率为0.9以下。

公开(公告)号：CN119013092A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202380031053.7

申请日：2023-04-28

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 饭田和希 ,  柴垣行成 ,  中川刚佑 ,  前原宗太 ,  菅博史

IPC: B01D63/06 ,  B01D65/00 ,  B01D53/22 ,  B01J19/24 ,  C01B3/50

Abstract: 分离膜模块(1)包括：管状外壳(20)；柱状的反应器(10)，其收纳于外壳(20)中；环状的第一凸缘(30)，其围绕反应器(10)的第一端部(10a)；以及第一接合材料(35)，其介于第一凸缘(30)与反应器(10)之间。外壳(20)具有与第一凸缘(30)的端面(K1)对置的第一对置面(J1)和与第一凸缘(30)的外周面(L1)对置的内周面(G1)。第一接合材料(35)的热膨胀系数小于第一凸缘(30)的热膨胀系数。反应器(10)的热膨胀系数小于第一凸缘(30)的热膨胀系数。

公开(公告)号：CN118119443A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202380014093.0

申请日：2023-08-02

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 饭田和希 ,  柴垣行成 ,  中川刚佑 ,  前原宗太 ,  菅博史

IPC: B01D63/06 ,  C10L1/02 ,  B01D53/22 ,  B01J8/02

Abstract: 分离膜组件(1)具备：筒状的壳体(20)；整体型的反应器(10)，其收容于壳体(20)；以及第一整流部(50)，其收容于壳体(20)。壳体(20)具有内周面(G1)、以及形成于内周面(G1)且供吹扫气体流通的吹扫气体供给口(T4)。反应器(10)具有外周面(F1)、以及形成于外周面(F1)且供吹扫气体流通的第一狭缝(17)。第一整流部(50)具有调整吹扫气体供给口(T4)与第一狭缝(17)之间的吹扫气体的流动的紊乱的第一整流面(H1)。

公开(公告)号：CN108140563B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN201680061152.X

申请日：2016-11-01

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 市村干也 ,  前原宗太 ,  仓冈义孝

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种抑制电流崩塌的发生的半导体元件用外延基板。半导体元件用外延基板包括：半绝缘性的自立基板，其含有掺杂有Zn的GaN；缓冲层，其与上述自立基板相邻；沟道层，其与上述缓冲层相邻；以及势垒层，其隔着上述沟道层而设置于上述缓冲层的相反侧，上述缓冲层是含有AlpGa1－pN(0.7≤p≤1)、且抑制Zn从上述自立基板向上述沟道层扩散的扩散抑制层。