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    プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
    11.
    发明专利
    プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020170600A

    公开(公告)日：2020-10-15

    申请号：JP2019070111

    申请日：2019-04-01

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 小谷 光司 ,  山本 伸彦 ,  長田 勇輝

    IPC: H01L21/31 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

    Abstract: 【課題】膜の均一性を図ることを提供する。 【解決手段】ステージに対向してチャンバ内に配置される誘電体窓と、前記チャンバ内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入部と、前記マイクロ波導入部に接続される、前記チャンバ内の第1の室と前記誘電体窓と前記第1の室との間に配置され、マイクロ波が通過する開口部を有する導電性窓部材と、前記導電性窓部材を回転させる駆動機構と、を有する、プラズマ処理装置が提供される。 【選択図】図1

    プラズマプローブ装置及びプラズマ処理装置
    12.
    发明专利
    プラズマプローブ装置及びプラズマ処理装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019046787A

    公开(公告)日：2019-03-22

    申请号：JP2018104108

    申请日：2018-05-30

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 池田 太郎 ,  小松 智仁 ,  長田 勇輝 ,  宮下 大幸 ,  斉藤 進 ,  古木 和弘 ,  佐藤 幹夫 ,  鎌田 英紀

    IPC: H05H1/00

    Abstract: 【課題】ガスの侵入を回避するプラズマプローブ装置を提供することを目的とする。 【解決手段】処理容器の壁又は載置台に形成された開口部に、真空空間と大気空間の間をシールするシール部材を介して取り付けられるアンテナ部と、前記アンテナ部に接続される電極と、誘電体から形成され、前記アンテナ部を周囲から支持する誘電体支持部と、を有し、前記アンテナ部と前記壁又は前記載置台との対向面を所定の幅で隔離し、前記開口部から露出する前記アンテナ部の面は、該開口部が形成された前記壁又は前記載置台のプラズマ生成空間側の面よりも凹んでいる、プラズマプローブ装置が提供される。 【選択図】図3

    チューナ、マイクロ波プラズマ源、およびインピーダンス整合方法
    15.
    发明专利
    チューナ、マイクロ波プラズマ源、およびインピーダンス整合方法 审中-公开
    调谐器，微波等离子体源和阻抗匹配方法

    公开(公告)号：JP2016177997A

    公开(公告)日：2016-10-06

    申请号：JP2015057528

    申请日：2015-03-20

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 長田 勇輝 ,  宮下 大幸

    IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H04B1/04 ,  H01P5/08 ,  H05H1/46

    CPC classification number: H01J37/32311 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32256 ,  H01J37/32972

    Abstract: 【課題】マイクロ波によりチャンバ内にプラズマを生成してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置においてインピーダンス整合を行う際にプラズマの失火や不安定動作を抑制する。 【解決手段】チューナ43は、給電されたマイクロ波を平面スロットアンテナ101に伝送する同軸構造のマイクロ波伝送路51と、マイクロ波伝送路51に沿って移動可能な誘電体からなるスラグ61a,61bと、スラグ61a,61bをマイクロ波伝送路51に沿って移動させる駆動部70と、スラグ61a,61bの位置が、反射係数が小さい整合ポジションになるように、これらの位置を制御してインピーダンス整合するとともに、プラズマの状態に基づいて、スラグ61a,61bの整合ポジションに至る移動経路である整合軌道を制御する制御部80とを具備する。 【選択図】図3

    Abstract translation: 要解决的问题：为了在进行阻抗匹配时抑制等离子体的失火或不稳定的操作，在等离子体处理装置中，通过微波在室内产生等离子体，进行等离子体处理。解调器：调谐器43包括同轴结构的微波传输路径51 用于将动力微波传输到平面缝隙天线101，由沿着微波传输路径51移动的电介质体构成的段塞61a，61b，用于沿着微波传输路径51移动s塞61a，61b的驱动部分70，以及控制部分 80，用于通过控制块塞61a，61b的位置来匹配阻抗，以便成为小反射系数的匹配位置，并且控制匹配轨迹，即，到lug塞61a，61b的匹配位置的移动路径。 图3：

    プラズマ処理装置
    16.
    发明专利
    プラズマ処理装置 有权
    等离子体加工装置

    公开(公告)号：JP2015079735A

    公开(公告)日：2015-04-23

    申请号：JP2014118531

    申请日：2014-06-09

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 池田 太郎 ,  河西 繁 ,  原 恵美子 ,  藤野 豊 ,  長田 勇輝 ,  中込 淳 ,  小松 智仁

    IPC: H01L21/31 ,  C23C16/511 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

    CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

    Abstract: 【課題】処理容器内にガスを導入するシャワープレートを有し、マイクロ波により表面波プラズマを発生させるプラズマ処理装置において、シャワープレートのガス孔に成膜することを抑制し且つ効率的にプラズマを発生させる。 【解決手段】プラズマ処理が行われる処理容器10と、処理容器10内へガスを供給するシャワープレート100を備えたプラズマ処理装置は、シャワープレート100の下端面から下方に突出する垂下部材101を有している。垂下部材101の外側面は、上端部から下端部に向かって外側に広がり、シャワープレート100は、処理容器10内に第1のガスを供給する複数の第1の供給口133と第2のガスを供給する複数の第2の供給口151とを備え、第1のガス供給口133は、垂下部材101の外側面よりも内側に配置され、第2のガス供給口151は、垂下部材の外側面よりも外側に配置されている。 【選択図】図4

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种等离子体处理装置，其具有用于将气体引入处理容器并且通过微波产生表面波等离子体的喷淋板，该等离子体处理装置被设计成防止在气孔中的成膜 淋浴板和有效地产生等离子体。解决方案：包括执行等离子体处理的处理容器10和向处理容器10供应气体的喷淋板100的等离子体处理装置具有向下突出的悬挂构件101 从淋浴板100的下端面。悬挂构件101的外表面从其上端部扩展到其下端部。 淋浴板100包括向处理容器10供给第一气体的多个第一供给口133和供给第二气体的多个第二支承口151。 第一供气口133布置在悬挂构件101的外表面内。第二气体供给口151布置在悬挂构件的外表面的外侧。

    方向性結合器、基板を処理する装置、及び基板を処理する方法
    17.
    发明专利
    方向性結合器、基板を処理する装置、及び基板を処理する方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021118513A

    公开(公告)日：2021-08-10

    申请号：JP2020012640

    申请日：2020-01-29

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 高橋 勲 ,  宮下 大幸 ,  長田 勇輝 ,  井上 三也 ,  芦田 光利

    IPC: H01P5/18

    Abstract: 【課題】方向性結合器の主線路である中心導体に対して、副線路である結合線路を疎結合させつつ、良好な方向性特性を得る技術を提供する。 【解決手段】方向性結合器において、中空同軸線路は、主線路を成す中心導体と、中心導体の周囲を囲むように設けられ、開口部が形成された外部導体と、を備え、誘電体基板は、開口部を覆うように設けられ、前記開口部を介して前記中心導体に対向する裏面側と、前記裏面側とは反対の表面側との各々を覆い、接地された膜状の接地導体が設けられる。結合線路は、前記裏面側の前記接地導体に囲まれた領域内に設けられた副線路である。さらに表面側の前記接地導体には、前記誘電体基板を介して前記結合線路と相対する領域内の導体膜の一部を削除した導体削除部が設けられている。 【選択図】図8

    プラズマ処理装置及び制御方法
    20.
    发明专利
    プラズマ処理装置及び制御方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018181634A

    公开(公告)日：2018-11-15

    申请号：JP2017080621

    申请日：2017-04-14

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 池田 太郎 ,  長田 勇輝

    IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/00

    CPC classification number: H01L22/26 ,  C23C16/45542 ,  G01J3/443 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3065

    Abstract: 【課題】プラズマ生成空間における複数の領域のそれぞれについてプラズマ着火の状態をモニタすることを目的とする。 【解決手段】マイクロ波出力部から出力されたマイクロ波を処理容器の内部に放射するマイクロ波放射機構を有するプラズマ処理装置であって、前記マイクロ波放射機構は、マイクロ波を放射するアンテナと、前記アンテナから放射したマイクロ波を透過し、該マイクロ波により表面波プラズマを生成するための電界が形成される誘電体部材と、前記マイクロ波放射機構又は該マイクロ波放射機構の近傍に設けられ、生成されたプラズマの電子温度をモニタするセンサと、前記センサがモニタしたプラズマの電子温度に基づき、プラズマ着火の状態を判定する制御部と、を有する、プラズマ処理装置が提供される。 【選択図】図4

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