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公开(公告)号：CN1926918B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200580006382.8
申请日：2005-02-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H04R19/016 , B81B2201/0257 , B81C1/00944 , B81C2201/112 , H04R19/005
Abstract: 驻极体电容器包括：具有由上部电极构成的导电膜118的固定膜110，具有下部电极104及由驻极体膜构成的氧化硅膜105的振动膜112，以及具有在固定膜110与振动膜112之间形成且具有空气隙109的氧化硅膜108。固定膜110及振动膜112的露出在空气隙109的部分分别由氮化硅膜106及114所构成。
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公开(公告)号：CN1883020B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200480034059.7
申请日：2004-11-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G5/0136 , H01G5/16 , H01G7/025 , H04R19/016 , H04R2499/11
Abstract: 以覆盖成为驻极体的带电氧化硅膜105的方式，来形成氮化硅膜103及氮化硅膜106。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101189908A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200680020052.9
申请日：2006-06-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G7/025 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/1461 , H01L2924/3025 , H04R19/005 , H04R19/016 , H04R31/00 , H04R2499/11 , H05K1/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种新颖的用于硅麦克风的驻极体化技术，能够容易地驻极体化通过微加工硅基板形成的电容麦克风的介电膜，并吸收由制造及部件特性变化引起的麦克风灵敏度的变化。硅麦克风芯片完成并随后安装在安装基板上，且在硅麦克风芯片被安装的状态下，该硅麦克风芯片的每个介电膜通过一个针状电极(51)的电晕放电而被单独驻极体化。基于麦克风灵敏度的实际测量结果，恰当地确定多次驻极体操作即第二次及之后的驻极体化数量，由此精确高效地驻极体化介电膜。
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公开(公告)号：CN1918943A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200580004672.9
申请日：2005-08-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B81B7/0012 , B81B2201/0257 , H04R19/016
Abstract: 本发明公开了一种其中容纳有麦克风整体的箱，其外表面具有低于金属的热导率，并涂覆有劣化温度高于形成驻极体的内介电层的电荷消散温度的材料，该劣化温度≥260℃，因此减少了由内部整体的热容和热阻引起的任何内部温度增加。特别是，可以提供能避免由安装到应用设备时进行的短时间通过回流焊槽引起的高温所导致的任何功能性破坏的耐热结构。
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公开(公告)号：CN1883020A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200480034059.7
申请日：2004-11-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G5/0136 , H01G5/16 , H01G7/025 , H04R19/016 , H04R2499/11
Abstract: 以覆盖成为驻极体的带电氧化硅膜105的方式，来形成氮化硅膜103及氮化硅膜106。
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公开(公告)号：CN1462088A
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN02140614.6
申请日：2002-07-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2223/6627 , H01L2224/05599 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45099 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01087 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15192 , H01L2924/16152 , H01L2924/19032 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01P5/107 , H01P11/00 , H05K1/0218 , H05K1/0237 , H05K1/056 , H05K3/0061 , H05K3/44 , H05K2201/037 , H05K2201/0969 , H05K2201/10371 , H05K2203/063 , H05K2203/308 , Y10T156/1052 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明揭示了一种具有膜结构的射频电路及其制造方法。该射频电路的电路单元形成在其两面或一面粘合了铜的绝缘材料板上，从而把带空腔的金属基板与形成电路单元的绝缘材料板接合在一起。电路单元装有有源元件，其上粘合带间壁的盖以封装。形成膜结构的金属基板中的空腔由压制机冲切形成。由于金属基板不是湿法蚀刻，所以能容易地对金属基板的空腔作精密的尺度控制。另外，还能缩短对空腔区的加工时间。
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公开(公告)号：CN3511143D
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200530008474.2
申请日：2005-03-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 1.后视图与主视图相同，省略后视图；
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