公开(公告)号：CN103717635A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201280035322.9

申请日：2012-07-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 相乐隆 ,  垣内秀隆 ,  柏原圭子 ,  北井佑季 ,  斋藤宏典 ,  横山大祐 ,  藤原弘明

IPC: C08G59/62 ,  B32B15/08 ,  C08J5/24 ,  C08K5/18 ,  C08K5/3445 ,  C08K5/5399 ,  C08L63/00 ,  C08L71/12 ,  H05K1/03

CPC classification number: C09D171/00 ,  B32B15/08 ,  B32B2457/08 ,  C08G59/3218 ,  C08G59/38 ,  C08G59/42 ,  C08G59/5073 ,  C08J5/24 ,  C08J2371/12 ,  C08J2463/00 ,  C08K5/18 ,  C08K5/3445 ,  C08K5/5399 ,  C08L71/00 ,  C08L71/12 ,  H05K1/0326 ,  H05K1/0353 ,  H05K1/0366 ,  Y10T428/31529 ,  C08L63/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种介电特性及固化物的耐热性优异、制成清漆状时的粘度低、并且虽然不含有卤素但具有高阻燃性而且具有高Tg的树脂组合物。该树脂组合物含有：聚芳醚共聚物(A)，在25℃的二氯甲烷中测定的固有粘度为0.03～0.12dl/g，并且每1分子在分子末端平均具有1.5～3个酚羟基；三苯基甲烷型环氧树脂(B)，软化点为50～70℃；和固化促进剂(C)，其中，当将所述聚芳醚共聚物(A)和所述三苯基甲烷型环氧树脂(B)的合计量设为100质量份时，所述聚芳醚共聚物(A)的含量为60～85质量份。

公开(公告)号：CN102917550A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210362390.8

申请日：2009-04-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉冈慎悟 ,  藤原弘明

IPC: H05K3/10 ,  H05K3/18 ,  H05K3/46 ,  H05K1/02

CPC classification number: H05K3/107 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/0269 ,  H05K1/0284 ,  H05K1/111 ,  H05K1/162 ,  H05K3/0032 ,  H05K3/184 ,  H05K3/4647 ,  H05K3/465 ,  H05K3/4661 ,  H05K2201/09736 ,  H05K2201/09845 ,  H05K2201/2072 ,  H05K2203/0108 ,  H05K2203/0565 ,  H05K2203/161

Abstract: 一种制造电路板的方法，方法包括膜形成步骤，在绝缘衬底的表面上形成树脂膜；电路凹槽形成步骤，在树脂膜的外表面上形成深度等于或大于树脂膜的厚度的电路凹槽；催化剂沉积步骤，在绝缘衬底的电路凹槽的表面上以及树脂膜的表面上沉积镀催化剂或镀催化剂的前体；除去树脂膜的膜除去步骤；以及镀加工步骤，在除去树脂膜之后对绝缘衬底进行无电镀，其中，在电路凹槽形成步骤中，在电路凹槽的区域中形成局部加固结构。本发明还提供用该方法获得的电路板和多层电路板。

公开(公告)号：CN102893711A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201180024358.2

申请日：2011-05-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉冈慎悟 ,  藤原弘明 ,  高下博光 ,  武田刚 ,  今野优子

IPC: H05K3/42 ,  C23C18/18 ,  G06K19/077 ,  H01L23/12 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K1/14 ,  H05K3/00

CPC classification number: H05K3/184 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1893 ,  C25D7/0607 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/24225 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24998 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/82001 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H05K1/185 ,  H05K3/10 ,  H05K3/284 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/10636 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/0264 ,  H05K2203/072 ,  H05K2203/0723 ,  H05K2203/0769 ,  H05K2203/1407 ,  H05K2203/1469 ,  Y02P70/611 ,  H05K3/4661 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种配线方法，在露出多个连接端子(101a、102a)的半导体装置(1)的表面形成绝缘层(103)，在绝缘层(103)的表面形成树脂覆膜(104)，从树脂覆膜(104)的表面侧形成深度与树脂覆膜(104)的厚度相同或者超过厚度的沟(105)，使其通过连接对象的连接端子附近，并且从该附近通过部分形成到达连接对象的连接端子的连通孔(106、107)，在沟(105)以及连通孔(106、107)的表面使镀敷催化剂或镀敷催化剂前躯体沉积，通过使树脂覆膜(104)溶解或溶胀以除去树脂覆膜(104)，通过进行化学镀，仅在镀敷催化剂或者由镀敷催化剂前躯体形成的镀敷催化剂残留的部分形成镀膜，由此设置具有主体部和分支部的配线(108)，主体部位于绝缘层(103)表面，分支部从主体部分支并延伸至绝缘层(103)内部并且到达连接对象的连接端子(101a、102a)。