公开(公告)号：CN119404607A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202380047193.3

申请日：2023-06-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 国武宽司 ,  泽井宽美 ,  沼田至优 ,  大嶋和晃

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/3205 ,  H10D30/01 ,  H01L21/768 ,  H10D84/03 ,  H01L23/522 ,  H10D84/00 ,  H10D84/40 ,  H10D84/83 ,  H10D84/85 ,  H10D30/67 ,  H10D30/68 ,  H10D30/69 ,  H10B41/70 ,  H10B53/20 ,  H10B53/30

Abstract: 提供一种具有良好电特性的半导体装置。半导体装置包括第一叠层体、具有第一叠层体下的沟道形成区域的半导体层、半导体层下的第二叠层体。第一叠层体及第二叠层体至少包括第一绝缘体及第二绝缘体。此时，第一叠层体所包括的第一绝缘体及第二叠层体所包括的第一绝缘体具有隔着沟道形成区域彼此重叠的区域，第一叠层体所包括的第二绝缘体及第二叠层体所包括的第二绝缘体具有隔着第一叠层体所包括的第一绝缘体、沟道形成区域及第二叠层体所包括的第一绝缘体彼此重叠的区域。此外，第一叠层体所包括的第一绝缘体及第二叠层体所包括的第一绝缘体具有共同的功能，第一叠层体所包括的第二绝缘体及第二叠层体所包括的第二绝缘体具有共同的功能。

公开(公告)号：CN118235540A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202280071525.7

申请日：2022-10-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 柳泽悠一 ,  方堂凉太 ,  泽井宽美 ,  宍户英明 ,  中村太纪

IPC: H10K59/122 ,  G02B5/20 ,  G09F9/30 ,  H05B33/02 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H10K59/123 ,  H10K59/38

Abstract: 提供一种容易实现高清晰化的显示装置。提供一种显示品质高的显示装置。显示装置包括像素电极、第一有机层、第二有机层、第一绝缘层、第二绝缘层以及公共电极。第一绝缘层具有与像素电极的顶面的一部分接触的第一部分、与像素电极的侧面接触的第二部分及不与像素电极接触的第三部分。第一有机层具有与像素电极的顶面的其他部分接触的第四部分及与第一部分接触的第五部分。第二有机层与第三部分接触且与第一有机层隔开。第二绝缘层覆盖第五部分及第二有机层且在第一有机层与第二有机层之间与第一绝缘层接触。公共电极具有与第四部分重叠的部分及隔着第二绝缘层与第二有机层重叠的部分。此外，第一有机层及第二有机层包含同一材料。

公开(公告)号：CN118202789A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202280069505.6

申请日：2022-10-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 柳泽悠一 ,  中村太纪 ,  泽井宽美

IPC: H05B33/12 ,  G09F9/30 ,  H05B33/22 ,  H10K50/00 ,  H10K59/00

Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。该显示装置包括像素部以及配置于其外侧且无助于显示的伪像素部，像素部包括多个发光器件，发光器件包括像素电极、包括发光层的第一层及公共电极，在多个像素中相邻的像素的第一层由包含无机材料的第一绝缘层及包含有机材料的第二绝缘层分离，第一层的侧面包括与第一绝缘层接触的区域，第二绝缘层接触于第一绝缘层上且配置于公共电极的下方，伪像素部包括多个伪发光器件，伪发光器件包括导电层及第二层，第二层的侧面包括与第一绝缘层接触的区域，第二绝缘层接触于第一绝缘层上，导电层包含与像素电极相同的材料，第二层包含与发光层相同的材料。

公开(公告)号：CN118176845A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202280072089.5

申请日：2022-10-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 柳泽悠一 ,  方堂凉太 ,  泽井宽美

IPC: H10K50/84 ,  G09F9/30 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  H10K59/122 ,  H10K71/00 ,  H10K71/16

Abstract: 提供一种清晰度高的显示装置及其制造方法。显示装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、第一发光元件、第二发光元件以及树脂层。第一发光元件包括第一像素电极、第一有机层及公共电极，第二发光元件包括第二像素电极、第二有机层及公共电极。第一绝缘体具有槽。槽具有与第一像素电极重叠的区域以及与第二像素电极重叠的区域。第二绝缘层具有与第一有机层的顶面的一部分接触的区域、与第一有机层的侧面接触的区域及在第一像素电极的下方与第一绝缘层接触的区域。树脂层位于第一有机层与第二有机层之间。公共电极以覆盖树脂层的顶面的方式设置。

公开(公告)号：CN117730626A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202280053082.9

申请日：2022-07-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  方堂凉太 ,  神保安弘 ,  笹村康纪 ,  泽井宽美

IPC: H05B33/28

Abstract: 提供一种可靠性高的显示装置。该显示装置包括第一发光元件、与第一发光元件相邻的第二发光元件、设置在第一发光元件与第二发光元件之间的第一绝缘层以及第一绝缘层上的第二绝缘层。第一发光元件包括第一导电层、覆盖第一导电层的顶面及侧面的第二导电层、覆盖第二导电层的顶面及侧面的第一EL层以及第一EL层上的公共电极。第二发光元件包括第三导电层、覆盖第三导电层的顶面及侧面的第四导电层、覆盖第四导电层的顶面及侧面的第二EL层以及第二EL层上的公共电极。第二绝缘层上设置有公共电极。第一导电层的可见光反射率比第二导电层的可见光反射率高，第三导电层的可见光反射率比第四导电层的可见光反射率高。

公开(公告)号：CN116670746A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202180086120.6

申请日：2021-12-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 柳泽悠一 ,  方堂凉太 ,  西崎史朗 ,  泽井宽美

IPC: G09F9/30

Abstract: 提供一种高清晰显示装置及其制造方法。显示装置包括第一绝缘层、第一绝缘层上的第一发光元件及第二发光元件、在第一发光元件上以覆盖第一发光元件的方式配置的第三绝缘层以及在第二发光元件上以覆盖第二发光元件的方式配置的第五绝缘层。第一发光元件和第二发光元件发射不同颜色的光。第一绝缘层的第一发光元件和第二发光元件之间的区域中设置有第一槽及第二槽。第三绝缘层的一部分嵌入第一槽中，第五绝缘层的一部分嵌入第二槽中。

公开(公告)号：CN111448669A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201880079057.1

申请日：2018-11-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  泽井宽美 ,  德丸亮 ,  竹内敏彦 ,  村川努 ,  永松翔 ,  森若智昭

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。半导体装置包括导电体、与导电体的侧面接触的第一绝缘体、与导电体的顶面及第一绝缘体的顶面接触的第二绝缘体以及第二绝缘体上的氧化物，氧化物具有隔着第二绝缘体与导电体重叠的区域，导电体的顶面的粗糙度曲线的最大高度(Rz)为6.0nm以下，区域包含结晶，结晶的c轴取向于导电体的顶面的法线方向。