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    天线系统及其制造方法以及设计方法
    11.
    发明公开
    天线系统及其制造方法以及设计方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118575365A

    公开(公告)日：2024-08-30

    申请号：CN202380017218.5

    申请日：2023-01-17

    Applicant: 株式会社可乐丽

    Inventor： 池田启辅 ,  砂本辰也 ,  小野寺稔

    IPC: H01Q1/40 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/32

    Abstract: 一种天线系统，其是用于在1GHz以上的频率下使用的天线系统，其中，所述天线系统具备：层叠体，其由彼此在界面相接且分别使高频透过的两个以上高频透过层构成；和天线电路基板，其包含高频绝缘层且与上述层叠体的最外层的高频透过层邻接地配置，接收从上述层叠体透过的高频，将上述两个以上高频透过层的第n层(n为1以上的整数)的相对介电常数设为εn、将入射到上述层叠体的高频的波长设为λ、将作为来自上述层叠体的表面、背面和各接合界面的反射波的合成波的强度求出的、来自上述层叠体的反射波的强度变为极小时的上述第n层的厚度设为Lnmin时，上述第n层的厚度Ln在Lnmin±λ/(10√εn)的范围内。

    电路基板
    13.
    发明授权
    电路基板 有权

    公开(公告)号：CN111511128B

    公开(公告)日：2023-07-14

    申请号：CN202010194970.5

    申请日：2014-10-22

    Applicant: 株式会社可乐丽

    Inventor： 中岛崇裕 ,  小野寺稔 ,  砂本辰也

    IPC: H05K3/38 ,  C08J5/18 ,  C08L67/04

    Abstract: 本发明提供与由热塑性液晶聚合物薄膜构成的被粘物的热胶粘性优良的热塑性液晶聚合物薄膜的制造方法、以及电路基板及其制造方法。所述薄膜的制造方法通过下述工序来制造：掌握工序，分别准备热塑性液晶聚合物薄膜作为被粘物薄膜和胶粘性薄膜，对于所述热塑性液晶聚合物薄膜的被胶粘表面部，通过X射线光电子能谱分析掌握[C‑O键]和[COO键]的峰面积之和在由C(1s)引起的键峰的峰面积的合计中所占的％比率：X(％)和Y(％)；和调节工序，以使所述X和Y满足下述式(1)和式(2)的方式对作为胶粘性薄膜的热塑性液晶聚合物薄膜进行选择或活化处理，38≤X+Y≤65 (1)，‑8.0≤Y‑X≤8.0 (2)。

    热塑性液晶聚合物及其膜
    14.
    发明授权
    热塑性液晶聚合物及其膜 有权

    公开(公告)号：CN110446738B

    公开(公告)日：2021-10-08

    申请号：CN201880020206.7

    申请日：2018-03-26

    Applicant: 株式会社可乐丽

    Inventor： 今野贵文 ,  砂本辰也 ,  南叶道之 ,  原哲也

    IPC: C08G63/60 ,  B32B7/02 ,  B32B15/08 ,  B32B15/09 ,  C08J5/18 ,  G01S7/03

    Abstract: 本发明提供能够降低高频频带下的介电损耗角正切的热塑性液晶聚合物及其膜。上述热塑性液晶聚合物含有下述式(I)、(II)、(III)和(IV)所表示的重复单元，热塑性液晶聚合物中的式(I)所表示的重复单元和式(II)所表示的重复单元的合计量相对于全部重复单元的合计量的摩尔比率为50～90摩尔％，式(III)所表示的重复单元与式(IV)所表示的重复单元的摩尔比为23/77～77/23。(式中，Ar1和Ar2为彼此不同的二价芳香族基团)。

    热塑性液晶聚合物成形体及其制造方法
    16.
    发明公开
    热塑性液晶聚合物成形体及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN112533985A

    公开(公告)日：2021-03-19

    申请号：CN201980050798.1

    申请日：2019-05-27

    Applicant: 株式会社可乐丽

    Inventor： 砂本辰也 ,  平松慎二 ,  小野寺稔

    IPC: C08J7/00 ,  C08J5/12 ,  C09J5/02 ,  B32B15/08 ,  B32B27/36

    Abstract: 本发明提供粘接性良好的热塑性液晶聚合物成形体及其制造方法。上述热塑性液晶聚合物成形体是包含能够形成光学各向异性的熔融相的热塑性聚合物的成形体，其中，在至少一部分具有被粘接部位，在被粘接部位的表面的X射线光电子能谱分析结果中，相对于C(1s)的峰面积的[C‑O键]的峰面积的比例＜C‑O＞与[COO键]的峰面积的比例＜COO＞之比＜C‑O＞/＜COO＞为1.5以上，并且，相对于C(1s)的峰面积的[C＝O键]的峰面积的比例＜C＝O＞与[COO键]的峰面积的比例＜COO＞之比＜C＝O＞/＜COO＞为0.10以上。

    电路基板及其制造方法
    17.
    发明授权
    电路基板及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN105934104B

    公开(公告)日：2019-04-23

    申请号：CN201610257650.3

    申请日：2011-12-16

    Applicant: 株式会社可乐丽

    Inventor： 大森一行 ,  砂本辰也

    IPC: H05K3/28 ,  B29C43/18

    Abstract: 一种电路基板的制造方法，其包括：基板结构体(11)的准备工序、用覆盖薄膜(14)将前述基板结构体(11)最外层的导体电路(13)覆盖的覆盖工序，在前述覆盖工序中，在覆盖薄膜(14)与热处理机构之间介由脱模材料(15)而进行热处理，前述脱模材料(15)是通过朝向热处理机构依序地至少由下述材料构成并层叠而得到的：从超高分子量聚乙烯薄膜以及聚四氟乙烯薄膜中选出的低摩擦性薄膜(16)、第1铝箔(17)、第1高密度聚乙烯薄膜(18a)、第2高密度聚乙烯薄膜(18b)、以及第2铝箔(19)，而且，前述第1高密度聚乙烯薄膜(18a)以及第2高密度聚乙烯薄膜(18b)以MD方向相互垂直的状态被层叠。

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