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公开(公告)号：CN112003605B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202010433189.9
申请日：2020-05-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明提供一种抑制了输出信号的时间响应的功率放大器。功率放大电路具备：第1晶体管，在基极输入第1信号，对所述第1信号进行放大，从集电极输出第2信号；和偏置电路，向第1晶体管的基极供给偏置电流，偏置电路包含：第2晶体管，向第1晶体管的基极供给偏置电流；第3晶体管，基极与第2晶体管的基极连接，集电极与第2晶体管的集电极连接；和第4晶体管，基极与第3晶体管的发射极连接，集电极与第2晶体管的发射极连接，抽出偏置电流的至少一部分。
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公开(公告)号：CN108512515B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201810160395.X
申请日：2018-02-26
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种功率放大电路，在对放大器和前级的电路的阻抗进行匹配的同时提高功率增益的线性。功率放大电路具备：放大晶体管，在基极被供给输入信号，并从集电极输出放大信号；偏置电路，对放大晶体管的基极供给偏置电流或电压；以及第一电阻元件，连接在放大晶体管的基极与偏置电路之间，偏置电路具备：电压生成电路；第一晶体管，在基极被供给第一直流电压，并从发射极供给偏置电流或电压；第二晶体管，在基极被供给第二直流电压，发射极与第一晶体管的发射极连接；信号供给电路，设置在放大晶体管的基极与第二晶体管的基极之间，对第二晶体管的基极供给输入信号；以及阻抗电路，设置在第一晶体管的基极与第二晶体管的基极之间。
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公开(公告)号：CN112310074A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010757022.8
申请日：2020-07-31
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/06 , H01L23/31 , H01L23/528 , H01L27/02
Abstract: 本发明提供缓和热应力且可靠性较高的半导体装置。在基板之上配置有至少一个单位晶体管。在至少一个单位晶体管之上配置有成为流向各个单位晶体管的电流的路径的第一布线。在第一布线之上配置有无机绝缘膜。在无机绝缘膜设置有在俯视时与第一布线的一部分区域重叠的至少一个第一开口。在无机绝缘膜之上配置有有机绝缘膜。在有机绝缘膜以及无机绝缘膜之上配置有通过第一开口与第一布线连接的第二布线。在俯视时，在配置有第一布线的区域的外侧，设置有未配置有机绝缘膜的区域，在配置有第一布线的区域的外侧，第二布线与无机绝缘膜接触。
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公开(公告)号：CN112003605A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010433189.9
申请日：2020-05-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明提供一种抑制了输出信号的时间响应的功率放大器。功率放大电路具备：第1晶体管，在基极输入第1信号，对所述第1信号进行放大，从集电极输出第2信号；和偏置电路，向第1晶体管的基极供给偏置电流，偏置电路包含：第2晶体管，向第1晶体管的基极供给偏置电流；第3晶体管，基极与第2晶体管的基极连接，集电极与第2晶体管的集电极连接；和第4晶体管，基极与第3晶体管的发射极连接，集电极与第2晶体管的发射极连接，抽出偏置电流的至少一部分。
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公开(公告)号：CN107316861B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201710239749.5
申请日：2017-04-13
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种能降低多个单位晶体管间的温度偏差的半导体装置。半导体装置包括：半导体基板；以及晶体管组，该晶体管组包含至少1列晶体管列，该至少1列晶体管列在半导体基板上，沿第1方向排列配置有多个单位晶体管，至少1列晶体管列中的第1晶体管列包含：第1一组单位晶体管，该第1一组单位晶体管由以第1间隔相邻的2个单位晶体管构成；以及第2一组单位晶体管，该第2一组单位晶体管由以第2间隔相邻的2个单位晶体管构成，第1一组单位晶体管与第2一组单位晶体管相比，其形成在接近第1晶体管列在第1方向上的中心的位置，且第1间隔比第2间隔宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109586674A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811104157.3
申请日：2018-09-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够控制输出功率的电平并且能够抑制噪声的产生的功率放大电路。功率放大电路具备：第1晶体管，对被输入到基极或者栅极的第1信号进行放大；偏置电路，将与控制信号相应的偏置电流或者电压提供给第1晶体管的基极或者栅极；第2晶体管，基极或者栅极被提供与控制信号相应的控制电流，发射极或者源极连接于第1晶体管的集电极或者漏极，从集电极或者漏极输出对第1信号进行了放大的第2信号；和第1反馈电路，被设置于第2晶体管的集电极或者漏极与第2晶体管的基极或者栅极之间。
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公开(公告)号：CN119547326A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202380053797.9
申请日：2023-11-24
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 功率放大电路具备：载波放大器，将第1信号放大，从第1输出端子输出第1放大信号；峰值放大器，将相位与所述第1信号不同的第2信号放大，从第2输出端子输出第2放大信号；第1电感器，具有与所述第1输出端子连接的第1端和连接于第1节点的第2端；第1电容器，具有连接于所述第1节点的第1端和连接于接地的第2端；第2电感器，具有与所述第2输出端子连接的第1端和连接于第2节点的第2端；第2电容器，具有连接于所述第2节点的第1端和连接于接地的第2端；第3电感器，具有连接于所述第1节点的第1端和连接于与负载连接的第3节点的第2端；和第3电容器，具有连接于所述第2节点的第1端和连接于所述第3节点的第2端。
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公开(公告)号：CN119072788A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202380035902.6
申请日：2023-04-25
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L21/331 , H01L21/8222 , H01L27/06 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 在支承基板的上表面的至少一部分区域配置有包括第一金属区域的粘接层。在粘接层之上配置有基底层，该基底层包括电连接于第一金属区域的由具有导电性的半导体材料构成的子集电极区域。在子集电极区域之上配置有第一晶体管，该第一晶体管包括电连接于子集电极区域的集电极层、配置于集电极层之上的基极层、以及配置于基极层之上的发射极层。在子集电极区域之上的在俯视时位于第一晶体管的外侧且与第一金属区域重叠的位置，配置有电连接于子集电极区域的集电极电极。
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公开(公告)号：CN112087203B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202010539871.6
申请日：2020-06-12
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种功率放大电路，是在通过差分放大器结构将功率放大的功率放大电路中高效率的功率放大电路。功率放大电路(10)具备功率分配器(101)、从输出端子(2011)输出放大信号(RF3)的放大器(201)、以及从输出端子(2021)输出放大信号(RF4)的放大器(202)。此外，功率放大电路(10)具备连接在输出端子(2011)与输出端子(2012)之间的终止电路(301)、传输线路(401)、传输线路(402)、连接在传输线路(401)的另一端与传输线路(402)的另一端之间的终止电路(501)、以及功率合成器(601)。
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公开(公告)号：CN113824412A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110682801.0
申请日：2021-06-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的差动放大电路具备输出高频频带的差动信号的放大器(222、224)、一端与放大器(222)的输出端连接的电感器(LC1)、一端与放大器(224)的输出端连接的电感器(LC2)、与电感器(LC1、LC2)的另一端连接的扼流电感器(245)、电容器(254、250)、以及对电容器(254)并联连接电容器(250)或解除并联连接的开关(252)，电感器(LC1)或(LC2)与电容器(254)的串联连接所构成的谐振电路的谐振频率、和电感器(LC1)或(LC2)与并联连接的电容器(254、250)的串联连接所构成的谐振电路的谐振频率相互不同，这些谐振频率相当于差动信号的二次谐波的频率。由此，使得在不对差动信号的基波信号造成影响的情况下使二次谐波不输出。
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