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公开(公告)号：CN114270625B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202080058233.0
申请日：2020-07-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明涉及天线装置和通信装置。在支承部件划定了平面状的第一区域和第二区域。第一区域与第二区域位于同一平面上或者相互平行。进行第一频率的电波的发送和接收中的至少一者的至少一个第一辐射元件配置于第一区域。进行比第一频率高的第二频率的电波的发送和接收中的至少一者的至少一个第二辐射元件配置于第二区域。在沿着第二区域的法线方向观察第二区域时，隔离方向与第二辐射元件的偏振波方向所成的角度为45°以上且90°以下，所述隔离方向是将第一辐射元件的整体的几何学中心位置和第二辐射元件的整体的几何学中心位置连结的直线的方向。
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公开(公告)号：CN115395966B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202211086669.8
申请日：2019-12-13
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够抑制由于插入开关元件而造成的插入损耗的增大的收发模块。多个双工器在相互不同的频段工作，各自包含发送滤波器和接收滤波器。功率放大器将多个发送滤波器的通带的信号放大并输出。传输从功率放大器输出的多个发送滤波器的通带的信号的发送用传输线路与多个发送滤波器连接。
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公开(公告)号：CN112825473B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202011281812.X
申请日：2020-11-16
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 实现低失真并且电路的规模不变得过大就能够确保充分的增益的功率放大电路。功率放大电路(1)包括：输入级功率放大器(11)，被输入高频输入信号；输出级功率放大器(12)，输出放大后的高频输出信号；和中间级功率放大器(1M)，设置在输入级功率放大器(11)与输出级功率放大器(12)之间。中间级功率放大器(1M)具有：第1晶体管(Q1M)；第2晶体管(Q2M)；和电容器(C30)，一端与第1晶体管(Q1M)的发射极连接，并且另一端与第2晶体管(Q2M)的集电极连接，在第2晶体管(Q2M)的基极输入信号，并从第1晶体管(Q1M)的集电极输出被放大的信号。
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公开(公告)号：CN111541424B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202010056911.1
申请日：2020-01-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够抑制基板的基准电位的变动的功率放大电路。功率放大电路(10)具备基板(301)和设置在基板的半导体芯片(201)，半导体芯片具有：功率放大部(211)，对RF信号进行放大；接地端子(231a)，连接功率放大部(211)的接地；以及电路元件(411)，一端不经由半导体芯片的外部而与接地端子电连接。基板具有：电路元件(412)，一端与功率放大部的输出电连接，另一端与电路元件(411)的另一端电连接。电路元件(411)以及电路元件(412)构成高次谐波终止电路(410)，高次谐波终止电路使作为来自功率放大部的放大信号的RF信号(RF2)的高次谐波分量(RF3)向功率放大部反射。
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公开(公告)号：CN117616688A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202280048667.1
申请日：2022-10-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 功率放大电路具备：可变功率分配电路，能够将第1信号分配为第2信号和相位与所述第2信号不同的第3信号，并基于控制信号使所述第3信号的第1功率增减；载波电路，包含一个以上的载波放大器，将所述第2信号放大，并将放大后的所述第2信号输出；峰值电路，包含一个以上的峰值放大器，将所述第3信号放大，并将放大后的所述第3信号输出；以及控制电路，基于对象载波放大器的饱和程度，向所述可变功率分配电路输出所述控制信号，所述对象载波放大器是所述载波电路中的所述一个以上的载波放大器之中最靠输出侧的载波放大器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113014212B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202011518210.1
申请日：2020-12-21
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明提供能够抑制晶体管列所占的区域的长度的长大化、且抑制从晶体管到阻抗转换电路的寄生电阻的增大、寄生电感的偏差的增大的功率放大模块。半导体芯片包括多个晶体管列。与多个晶体管列对应地配置有与晶体管的集电极连接的第一凸块，配置有与发射极连接的第二凸块。晶体管列沿着凸多边形的边配置。设置于电路板的第一焊盘以及第二焊盘分别与第一凸块以及的第二凸块连接。第一阻抗转换电路将第一焊盘和信号输出端子连接。晶体管列的多个晶体管被分组为多个组，第一阻抗转换电路包括针对每个组配置的电抗元件。
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公开(公告)号：CN110858589B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201910660139.1
申请日：2019-07-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/082 , H01L29/08 , H01L29/737 , H03F3/19
Abstract: 本发明提供了HBT，其不会导致芯片尺寸的增大而能够抑制基于雪崩倍增的破坏。第1子集电极层成为在异质结双极晶体管的集电极层中流动的集电极电流的流入路径。在集电极层与第1子集电极层之间配置有掺杂浓度比第1子集电极层的掺杂浓度低的集电极镇流电阻层。
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公开(公告)号：CN110995182B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201910907815.0
申请日：2019-09-24
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种功率放大电路，能够适当地进行包络线跟踪。功率放大电路包含：第1晶体管，发射极与公共电位电连接，在基极被输入第1高频信号，从集电极输出第3高频信号；第2晶体管，发射极与公共电位电连接，在基极被输入第2高频信号，从集电极输出第4高频信号；第1电容电路，电连接在第2晶体管的集电极与第1晶体管的基极之间；和第2电容电路，电连接在第1晶体管的集电极与第2晶体管的基极之间。
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公开(公告)号：CN116195199A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202180059977.9
申请日：2021-06-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H04B1/38
Abstract: 高频电路(1)具备：开关(51)，其与天线连接端子(100)连接；滤波器(61)，其具有与TDD用的第一频段中包含的第一子频段对应的通带，经由开关(51)来与天线连接端子(100)连接；滤波器(62)，其具有与第一频段中包含的第二子频段对应的通带，经由开关(51)来与天线连接端子(100)连接，该第二子频段与第一子频段之间具有间隔；以及滤波器(63)，其具有与包含第一子频段、第二子频段以及间隔的第三子频段对应的通带，经由开关(51)来与天线连接端子(100)连接。
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公开(公告)号：CN116192168A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310043417.5
申请日：2020-07-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种高频电路以及通信装置。高频电路(1)在同时传输4G及5G的高频信号的情况下使用，具备传输电路(20)，4G和5G的高频信号中的任一个被切换地输入到传输电路(20)，传输电路(20)传输由第一发送带和第一接收带构成的通信频段(3)的高频信号以及由第二发送带和第二接收带构成的通信频段(66)的高频信号，第一发送带与第二发送带至少有一部分重叠，传输电路(20)具有：功率放大器(61T)，其放大通信频段(3)的发送信号和通信频段(66)的发送信号；以及发送滤波器(22T)，其具有包含第一发送带和第二发送带的第一通带，使从功率放大器(61T)输出的通信频段(3)和通信频段(66)的发送信号通过。
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