-
公开(公告)号：CN116581102A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310097476.0
申请日：2023-02-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/538 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，在接合不同的部件的构造中，确保散热性，并且难以产生高频波放大电路的特性劣化、振荡。第二部件的第二面与第一部件的第一面对置。在第二部件中包含高频放大电路。通过配置在第一面与第二面之间的导电性的接合部件将第一部件和第二部件接合。高频放大电路包括：至少一个功率级晶体管；与功率级晶体管连接并向功率级晶体管供给输入信号的输入布线；和与输入布线连接，并包含无源元件、有源元件以及外部连接端子中的至少一个的输入侧电路单元。接合部件包括俯视时包含功率级晶体管的第一导体图案，在俯视时，输入侧电路单元配置在第一导体图案的外侧。
-
公开(公告)号：CN113395079B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202110264331.6
申请日：2021-03-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 青池将之
Abstract: 本发明提供RF电路模块及其制造方法。构成能够提高散热性且能够小型化的RF电路模块。另外，构成抑制基于线材的电路的电特性的恶化且高频性能优异的RF电路模块。RF电路模块(113A)具备：模块基板(90)；第一基材(10)，构成第一电路；以及第二基材(20)，构成第二电路。第一电路包括控制第二电路的动作的控制电路，第二电路包括放大RF信号的高频放大电路。第二基材(20)安装于第一基材(10)，第一基材(10)以电路形成面对置的方式配置于模块基板(90)。第一基材(10)和第二基材(20)具有将第一电路和第二电路不经由模块基板(90)而电连接的电路间连接布线(32)。
-
公开(公告)号：CN114649310A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111535249.9
申请日：2021-12-15
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/66 , H01L23/367 , H01L23/528 , H03F3/195 , H03F3/21
Abstract: 本发明提供一种功率放大装置以及RF电路模块，抑制被放大器放大后的放大信号所包含的谐波进入其他的器件。功率放大装置具备：第一部件，形成有第一电路；第二部件，形成有第二电路；以及部件间连接导体，将上述第一电路与上述第二电路电连接，上述第二部件安装于上述第一部件，上述第二电路包括放大无线频率信号并输出第一放大信号的第一放大器，上述第一电路包括控制上述第二电路的动作的控制电路，在上述第一部件形成有第一终端电路的至少一部分，该第一终端电路通过上述部件间连接导体与上述第一放大器连接，使上述第一放大信号的谐波成分衰减。
-
公开(公告)号：CN113395079A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110264331.6
申请日：2021-03-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 青池将之
Abstract: 本发明提供RF电路模块及其制造方法。构成能够提高散热性且能够小型化的RF电路模块。另外，构成抑制基于线材的电路的电特性的恶化且高频性能优异的RF电路模块。RF电路模块(113A)具备：模块基板(90)；第一基材(10)，构成第一电路；以及第二基材(20)，构成第二电路。第一电路包括控制第二电路的动作的控制电路，第二电路包括放大RF信号的高频放大电路。第二基材(20)安装于第一基材(10)，第一基材(10)以电路形成面对置的方式配置于模块基板(90)。第一基材(10)和第二基材(20)具有将第一电路和第二电路不经由模块基板(90)而电连接的电路间连接布线(32)。
-
公开(公告)号：CN109994440A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201811490781.1
申请日：2018-12-06
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/367 , H01L27/082
Abstract: 本发明提供一种能够减小形成在同一基板的多个单位晶体管的动作时的温度之差而提高作为晶体管整体的性能的半导体装置。在形成于基板的多个单位晶体管的动作区域的上方配置有布线，在其上配置有绝缘膜。在绝缘膜设置有在俯视下整个区域与布线重叠的开口。在绝缘膜上配置有穿过开口与布线电连接的金属构件。单位晶体管在基板上在第一方向上并列地配置。开口的几何中心相对于单位晶体管中的每一个的动作区域的几何中心在第一方向上偏移。在将具有与单位晶体管中的每一个的动作区域的几何中心最近的几何中心的开口定义为最靠近开口时，从动作区域的几何中心到最靠近开口的几何中心的向第一方向的偏移量，从单位晶体管的排列的中心朝向端部而变大。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120072521A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411644562.X
申请日：2024-11-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供能够实现覆盖薄膜电容器的绝缘膜的平坦化和寄生电容的减少的电子部件。设置有薄膜电容器，上述薄膜电容器包含配置在基板的一个面亦即第1面之上的下部电极、配置在下部电极之上的电容器介电膜、以及配置在电容器介电膜之上的上部电极。覆盖薄膜电容器地在第1面之上配置有绝缘性的树脂膜。上部电极包括主要包含Ti的钛膜和主要包含Pt的铂膜这两层，铂膜配置于钛膜与树脂膜之间。
-
公开(公告)号：CN119694994A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411653903.X
申请日：2020-06-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 青池将之
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种适合高散热性、高输出、高集成化的半导体装置及其制造方法。半导体装置(110)具备：基板(1)，在上表面具有电路元件以及与该电路元件连接的电极；以及外部连接用的导体柱凸块(PB)，设置在该基板(1)上与电极或者电路元件(21)接触并电连接。基板(1)包含第一基材(10)、和配置在该第一基材(10)上的第二基材(20)，电路元件(21)以及电极形成于第二基材(20)，第一基材(10)的热阻比第二基材(20)的热阻低。
-
公开(公告)号：CN119694992A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411653284.4
申请日：2020-06-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 青池将之
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种适合高散热性、高输出、高集成化的半导体装置及其制造方法。半导体装置(110)具备：基板(1)，在上表面具有电路元件以及与该电路元件连接的电极；以及外部连接用的导体柱凸块(PB)，设置在该基板(1)上与电极或者电路元件(21)接触并电连接。基板(1)包含第一基材(10)、和配置在该第一基材(10)上的第二基材(20)，电路元件(21)以及电极形成于第二基材(20)，第一基材(10)的热阻比第二基材(20)的热阻低。
-
公开(公告)号：CN114520224A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202111273521.0
申请日：2021-10-29
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/02 , H01L27/06 , H01L29/737 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种包含多个半导体元件，且适合小型化的半导体装置。在基板的一个面上在一个方向上排列配置多个晶体管，各晶体管相互并联连接。多个晶体管分别包含从基板侧开始依次层叠的集电极层、基极层以及发射极层。在多个晶体管中相互相邻的两个晶体管之间的区域中的至少一个区域分别配置有无源元件。在多个晶体管中的每个晶体管的集电极层与基板之间配置有与集电极层电连接的集电极电极。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
37
records
(took 0.036 seconds)
