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公开(公告)号：CN106876475A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201611122623.1
申请日：2016-12-08
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/786 , H01L29/51
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/517
Abstract: 一种场效应晶体管包括：栅电极，其被配置为施加栅极电压；源电极和漏电极，其被配置为将电流送出；有源层，其被置于邻近所述源电极和所述漏电极并由氧化物半导体形成；以及栅极绝缘层，其被置于所述栅电极与所述有源层之间。其中，所述栅极绝缘层包含顺电性非晶氧化物，其包含作为碱土金属的A族元素以及作为从由Ga、Sc、Y，以及镧系元素组成的所述族中选择的至少一个的B族元素，以及其中，所述有源层具有4.0×1017/cm3或更高的载流子密度。
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公开(公告)号：CN112514078B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN201980048921.6
申请日：2019-07-19
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 一种场效应晶体管，包括：源极和漏极；栅极；半导体层；以及栅绝缘层，其中，所述栅绝缘层是包含A元素和B元素的氧化物绝缘体膜，所述A元素是选自由Zr和Hf所组成的组中的一种或多种，并且所述B元素是选自由Be和Mg所组成的组中的一种或多种。
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公开(公告)号：CN108807427B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201810939209.2
申请日：2013-11-27
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供场效应晶体管、显示元件、图像显示装置、和系统。所述场效应晶体管包含：基底；保护层；在基底和保护层之间形成的栅绝缘层；与栅绝缘层接触形成的源电极和漏电极；至少在源电极和漏电极之间形成的且与栅绝缘层、源电极和漏电极接触的半导体层；以及栅电极，所述栅电极在与其中设置半导体层的侧相反的侧上形成，其中栅绝缘层在栅电极和半导体层之间，且所述栅电极与栅绝缘层接触，其中保护层包含金属氧化物复合物，所述金属氧化物复合物至少包含Si和碱土金属。
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公开(公告)号：CN110289204B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201910189165.0
申请日：2019-03-13
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/02 , H01L21/316
Abstract: 本发明的氧化物绝缘体膜形成用涂布液含有：含硅化合物、含碱土金属化合物、以及溶剂，所述溶剂包含选自闪点为21℃以上且低于200℃的有机溶剂和水中的至少一种，所述氧化物绝缘体膜形成用涂布液的闪点为37.8℃以上。
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公开(公告)号：CN109216443B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201811116958.1
申请日：2014-07-25
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/45 , H01L29/786
Abstract: 为了提供一种场效应晶体管，包含：栅极电极，配置为施加栅极电压；源极电极和漏极电极，两者都配置为输出电流；有源层，由n型氧化物半导体形成，被提供为与源极电极和漏极电极接触；以及栅极绝缘层，被提供在栅极电极和有源层之间；其中，源极电极和漏极电极的功函数是4.90eV或更大，并且其中，n型氧化物半导体的电子载流子密度为4.0×1017cm‑3或更大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111725323A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010165033.7
申请日：2020-03-11
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L27/32 , H01L21/34
Abstract: 一种场效应晶体管，包括由n型金属氧化物半导体形成的半导体层，其中，所述n型金属氧化物半导体包括氧化铟，其中所述氧化铟通过引入一种或多种阳离子作为掺杂而被n型掺杂。在使用二维检测器的X射线衍射方法中，n型金属氧化物半导体具有以与具有红绿柱石结构的氧化铟的(222)平面对应的角度检测到的峰。
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公开(公告)号：CN108807427A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810939209.2
申请日：2013-11-27
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78606 , G09G3/30 , G09G3/344 , G09G3/348 , G09G3/3696 , G09G3/38 , G09G2300/0426 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1244 , H01L27/1248 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供场效应晶体管、显示元件、图像显示装置、和系统。所述场效应晶体管包含：基底；保护层；在基底和保护层之间形成的栅绝缘层；与栅绝缘层接触形成的源电极和漏电极；至少在源电极和漏电极之间形成的且与栅绝缘层、源电极和漏电极接触的半导体层；以及栅电极，所述栅电极在与其中设置半导体层的侧相反的侧上形成，其中栅绝缘层在栅电极和半导体层之间，且所述栅电极与栅绝缘层接触，其中保护层包含金属氧化物复合物，所述金属氧化物复合物至少包含Si和碱土金属。
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公开(公告)号：CN108496243A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201780008233.8
申请日：2017-01-18
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L51/50
Abstract: 提供了制造场效应晶体管的方法，该场效应晶体管包括栅极绝缘层和电极，该电极包括相继层压在该栅极绝缘层的预定表面上的第一导电膜和第二导电膜。该方法包括以下步骤：形成包括元素A和元素B的氧化膜作为栅极绝缘层，该元素A是碱土金属，该元素B是从由Ga、Sc、Y和镧系元素构成的组中选择的至少一个元素；在氧化膜上形成在有机碱性溶液中溶解的第一导电膜；在第一导电膜上形成第二导电膜；用具有比对于第一导电膜的蚀刻速率更高的对于第二导电膜的蚀刻速率的蚀刻溶液来蚀刻第二导电膜；以及使用第二导电膜作为掩模，用有机碱性溶液蚀刻第一导电膜。
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公开(公告)号：CN105190854B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201480024713.X
申请日：2014-03-26
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/368 , C09D1/00 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02628 , C09D1/00 , C09D5/24 , H01L21/02565 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 提供用于形成金属氧化物膜的涂布液，其含有：铟化合物；选自镁化合物、钙化合物、锶化合物、和钡化合物的至少一种；选自含有其氧化数的最大正值为IV的金属的化合物、含有其氧化数的最大正值为V的金属的化合物，和含有其氧化数的最大正值为VI的金属的化合物的至少一种；以及有机溶剂。
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公开(公告)号：CN106409881A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610616269.1
申请日：2016-07-29
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管、显示元件、图像显示装置、和系统。场效应晶体管包括：栅电极；源电极和漏电极；设置成邻近于源电极和漏电极且包括n型氧化物半导体的活性层；以及设置于栅电极和活性层之间的栅绝缘层，其中n型氧化物半导体经历用选自二价、三价、四价、五价、六价、七价、和八价阳离子的至少一种掺杂剂的替代掺杂，掺杂剂的化合价大于构成n型氧化物半导体的金属离子的化合价，条件是从所述金属离子排除掺杂剂，并且源电极和漏电极至少在源电极和漏电极与活性层的接触区域中包括选自如下的材料：Au，Pt，和Pd以及包含Au、Pt、和Pd的至少任一种的合金。
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