-
公开(公告)号：CN110024089B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201780073946.2
申请日：2017-11-28
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/318 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 一种氧化物或氧氮化物绝缘体膜形成用涂布液，所述涂布液包括：第A元素；选自第B元素和第C元素的至少一种；和溶剂，其中所述第A元素为选自Sc、Y、Ln(镧系元素)、Sb、Bi和Te的至少一种，所述第B元素为选自Ga、Ti、Zr和Hf的至少一种，所述第C元素为选自周期表中第2族元素的至少一种，并且所述溶剂包括选自闪点为21℃以上但小于200℃的有机溶剂和水的至少一种。
-
公开(公告)号：CN110289204B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201910189165.0
申请日：2019-03-13
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/02 , H01L21/316
Abstract: 本发明的氧化物绝缘体膜形成用涂布液含有：含硅化合物、含碱土金属化合物、以及溶剂，所述溶剂包含选自闪点为21℃以上且低于200℃的有机溶剂和水中的至少一种，所述氧化物绝缘体膜形成用涂布液的闪点为37.8℃以上。
-
公开(公告)号：CN111725323A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010165033.7
申请日：2020-03-11
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L27/32 , H01L21/34
Abstract: 一种场效应晶体管，包括由n型金属氧化物半导体形成的半导体层，其中，所述n型金属氧化物半导体包括氧化铟，其中所述氧化铟通过引入一种或多种阳离子作为掺杂而被n型掺杂。在使用二维检测器的X射线衍射方法中，n型金属氧化物半导体具有以与具有红绿柱石结构的氧化铟的(222)平面对应的角度检测到的峰。
-
-
公开(公告)号：CN110289311A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910193477.9
申请日：2019-03-14
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/51 , H01L21/288 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种形成氧化物的涂布液、制造氧化物膜的方法和制造场效应晶体管的方法。所述涂布液包含：A元素，所述A元素是至少一种碱土金属；和B元素，所述B元素是选自由镓(Ga)、钪(Sc)、镱(Y)和镧系元素所组成的组中的至少一种，其中，当所述A元素的总浓度由CA mg/L来表示并且所述B元素的总浓度由CB mg/L来表示时，所述涂布液中的钠(Na)和钾(K)的总浓度为(CA+CB)/103mg/L或更小并且所述涂布液中的铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)和铜(Cu)的总浓度为(CA+CB)/103mg/L或更小。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104003347A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410059957.3
申请日：2014-02-21
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: B81C1/00301 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2201/0292 , B81B2201/047 , B81B2207/095 , B81C2203/031 , B81C2203/0707 , H01L24/03 , H01L24/09 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件和制造器件的方法。一种器件包括：第一衬底，功能性元件和电极在其中形成；第二衬底，贯通电极在其中形成；接合材料，其接合所述第一衬底和所述第二衬底，并在所述功能性元件和所述第二衬底之间保留预定空间；和导电材料，其将所述电极电连接到所述贯通电极。在此，所述接合材料比所述导电材料更硬，并且在电学上，所述接合材料比所述导电材料导电性更弱。
-
公开(公告)号：CN110431656A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201880019311.9
申请日：2018-03-22
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/336 , H01L21/316 , H01L21/368 , H01L29/786
Abstract: 一种用于形成金属氧化物膜的涂布液，该涂布液包括：金属源，其为选自由无机盐、氧化物、氢氧化物、金属络合物和有机酸盐组成的组中的至少一种；至少一种选自由有机碱和无机碱组成的组中的碱；和溶剂。
-
公开(公告)号：CN110392928A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201880017391.4
申请日：2018-03-15
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/66
Abstract: (目的)使场效应晶体管小型化。(实现目的的手段)一种场效应晶体管，包括在基底上形成的半导体膜、在所述半导体膜的一部分上形成的栅极绝缘膜、在所述栅极绝缘膜上形成的栅极电极，以及与所述半导体膜接触形成的源极电极和漏极电极，其中所述源极电极和所述漏极电极的厚度小于所述栅极绝缘膜的厚度，并且所述栅极绝缘膜包括不与所述源极电极或所述漏极电极接触的区域。
-
公开(公告)号：CN110289204A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910189165.0
申请日：2019-03-13
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/02 , H01L21/316
Abstract: 本发明的氧化物绝缘体膜形成用涂布液含有：含硅化合物、含碱土金属化合物、以及溶剂，所述溶剂包含选自闪点为21℃以上且低于200℃的有机溶剂和水中的至少一种，所述氧化物绝缘体膜形成用涂布液的闪点为37.8℃以上。
-
公开(公告)号：CN110024089A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780073946.2
申请日：2017-11-28
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/318 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 一种氧化物或氧氮化物绝缘体膜形成用涂布液，所述涂布液包括：第A元素；选自第B元素和第C元素的至少一种；和溶剂，其中所述第A元素为选自Sc、Y、Ln(镧系元素)、Sb、Bi和Te的至少一种，所述第B元素为选自Ga、Ti、Zr和Hf的至少一种，所述第C元素为选自周期表中第2族元素的至少一种，并且所述溶剂包括选自闪点为21℃以上但小于200℃的有机溶剂和水的至少一种。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.04 seconds)
