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公开(公告)号：CN108886058B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201780018536.8
申请日：2017-03-16
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/14
Abstract: 一种场效应晶体管，具有：栅电极，用于施加栅极电压；源电极和漏电极，用于传输电信号；有源层，其形成在所述源电极和漏电极之间；和栅极绝缘层，其形成在所述栅电极和有源层之间，所述场效应晶体管的特征在于，所述有源层包括至少两种氧化物层，层A和层B；并且所述有源层满足以下条件(1)和/或条件(2)。条件(1)：所述有源层包括3个或更多个氧化物层，其包括2个或更多个层A。条件(2)：所述层A的带隙低于所述层B的带隙，且所述层A的氧亲和力等于或高于所述层B的氧亲和力。
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公开(公告)号：CN108780756B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201780017476.8
申请日：2017-03-14
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/336 , H01L21/316 , H01L21/368 , H01L29/786
Abstract: 提供了一种用于制造场效应晶体管的方法，所述场效应晶体管具有在所述第一氧化物层和第二氧化物层彼此相邻的区域中的前沟道或后沟道，所述方法包括：氧化物层形成步骤，用于形成是第二氧化物层的前体的第二前体层，以便与是第一氧化物层的前体的第一前体层相邻，然后将所述第一前体层和第二前体层分别转换为所述第一氧化物层和第二氧化物层，其中所述氧化物层形成步骤包括如下限定的处理(I)和(II)中的至少一个：(I)处理：用于涂覆能够形成第一氧化物前体并含有溶剂的涂布液；然后除去溶剂，由此形成第一前体层；和(II)处理：用于涂覆能够形成第二氧化物前体并含有溶剂的涂布液；除去溶剂，由此形成第二前体层。
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公开(公告)号：CN108028270B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201680053386.X
申请日：2016-09-09
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/66 , H01L29/786
Abstract: 用于形成n‑型氧化物半导体膜的涂布液，所述涂布液包括：A组元素，其为选自如下的至少一种：Sc、Y、Ln、B、Al、和Ga；B组元素，其为如下的至少一种：In和Tl；C组元素，其为选自如下的至少一种：第4族元素、第5族元素、第6族元素、第7族元素、第8族元素、第9族元素、第10族元素、第14族元素、第15族元素、和第16族元素；和溶剂。
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公开(公告)号：CN107204291B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201710153480.9
申请日：2017-03-15
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/34 , H01L21/8242 , H01L27/11521
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管、存储和显示元件、显示装置和系统的制法。用于制造包括栅绝缘层、活性层、和钝化层的场效应晶体管的方法。所述方法包括形成所述栅绝缘层的第一过程；和形成所述钝化层的第二过程。所述第一过程和所述第二过程的至少一个包括：形成包含镓、钪、钇、和镧系元素的至少一种以及碱土金属的第一氧化物；和通过使用包含盐酸、草酸、硝酸、磷酸、乙酸、硫酸、和过氧化氢水的至少一种的第一溶液蚀刻所述第一氧化物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110289311A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910193477.9
申请日：2019-03-14
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/51 , H01L21/288 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种形成氧化物的涂布液、制造氧化物膜的方法和制造场效应晶体管的方法。所述涂布液包含：A元素，所述A元素是至少一种碱土金属；和B元素，所述B元素是选自由镓(Ga)、钪(Sc)、镱(Y)和镧系元素所组成的组中的至少一种，其中，当所述A元素的总浓度由CA mg/L来表示并且所述B元素的总浓度由CB mg/L来表示时，所述涂布液中的钠(Na)和钾(K)的总浓度为(CA+CB)/103mg/L或更小并且所述涂布液中的铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)和铜(Cu)的总浓度为(CA+CB)/103mg/L或更小。
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公开(公告)号：CN109478560A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780044106.3
申请日：2017-07-14
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/45 , H01L29/66 , H01L29/786
Abstract: 一种场效应晶体管，包括：栅电极，其构造为施加栅电压；源电极和漏电极，其构造为将电流输出；有源层，其设置在源电极和漏电极之间并由氧化物半导体形成；和栅极绝缘层，其设置在栅电极和有源层之间，源电极和漏电极各自包括由金属形成的金属区域和由一种或多种金属氧化物形成的氧化物区域，以及源电极和漏电极的每个中的氧化物区域的一部分与有源层接触，并且氧化物区域的其余部分与除有源层之外的一个或多个部件接触。
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公开(公告)号：CN105097952B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201510559715.5
申请日：2010-12-22
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/49 , G02F1/1368 , G02F1/136 , G09G3/20 , G09G3/32 , G09G3/36 , H01L27/108 , H01L27/32
Abstract: 场效应晶体管包括：基板；在该基板上形成的源极电极、漏极电极和栅极电极；半导体层，当向栅极电极施加预定电压时，通过该半导体层在该源极电极和漏极电极之间形成沟道；以及栅极绝缘层，提供在该栅极电极和该半导体层之间。该栅极绝缘层由包括一种或两种或更多种碱土金属元素以及从由Ga、Sc、Y和除了Ce之外的镧系元素构成的组中选择的一种或两种或更多种元素的非晶复合金属氧化物绝缘膜形成。
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公开(公告)号：CN104094407B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201280068524.3
申请日：2012-11-28
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/24 , C01G30/00 , G02F1/1365 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L51/50 , H05B33/02
CPC classification number: H01L29/247 , C01G19/00 , C01G30/00 , C01P2002/72 , G02F1/1368 , H01L21/02422 , H01L21/02483 , H01L21/02565 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02623 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/3244 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/861
Abstract: 提供p‑型氧化物，其包括氧化物，其中所述氧化物包括：Cu；和元素M，其选自p区元素，并且其在作为离子存在时能够处于平衡状态，其中所述平衡状态是存在失去最外层的p轨道的全部电子的状态和失去最外层的全部电子的状态两者的状态，和其中所述p‑型氧化物是非晶的。
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公开(公告)号：CN106876475A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201611122623.1
申请日：2016-12-08
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/786 , H01L29/51
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/517
Abstract: 一种场效应晶体管包括：栅电极，其被配置为施加栅极电压；源电极和漏电极，其被配置为将电流送出；有源层，其被置于邻近所述源电极和所述漏电极并由氧化物半导体形成；以及栅极绝缘层，其被置于所述栅电极与所述有源层之间。其中，所述栅极绝缘层包含顺电性非晶氧化物，其包含作为碱土金属的A族元素以及作为从由Ga、Sc、Y，以及镧系元素组成的所述族中选择的至少一个的B族元素，以及其中，所述有源层具有4.0×1017/cm3或更高的载流子密度。
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