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公开(公告)号：CN109290940B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201810796740.9
申请日：2018-07-19
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/013 , B24B37/10 , B24B37/34 , B24B57/02
Abstract: 提供能够高精度地测定膜厚而不影响晶片的研磨率的研磨装置及研磨方法。研磨装置具备：研磨头(5)，用于将晶片(W)按压于研磨垫；投光光纤(34)，具有顶端(34a)，并且连接于光源(30)，所述顶端配置在研磨台(3)内的流路(7)内；分光仪(26)，根据波长分解来自晶片的反射光并对各波长的反射光的强度进行测定；受光光纤(50)，具有顶端(50a)，并且连接于分光仪，所述顶端配置在流路内；处理部(27)，确定晶片的膜厚；液体供给线路(62)，与流路连通；气体供给线路(63)，与流路连通；液体供给阀(65)，安装于液体供给线路；气体供给阀(67)，安装于气体供给线路；以及动作控制部(71)，控制液体供给阀及气体供给阀的动作。
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公开(公告)号：CN113664713A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110520681.4
申请日：2021-05-13
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供膜厚测定装置、研磨装置以及膜厚测定方法，即使在膜的膜厚较厚的情况下，也能够抑制来自布线图案的反射光的光量不足。膜厚测定装置(30)应用于对具有包含多个布线图案的膜(202)的基板(200)的膜进行研磨的研磨装置(10)，其中，该膜厚测定装置具备：投光器(43)，该投光器在研磨装置对膜进行研磨期间，投射入射光(L1)；聚光器(44)，该聚光器使从投光器投射的入射光聚集而成为规定的光斑尺寸(D)之后，向膜投射；以及受光器(45)，该受光器接收从膜反射的反射光(L2)，规定的光斑尺寸与构成多个布线图案的各个布线图案的最小宽度相比较小。
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公开(公告)号：CN106457507B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201580020769.2
申请日：2015-04-10
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/013 , B24B37/34 , B24B49/02 , B24B49/12 , H01L21/304
Abstract: 本发明关于一种依据来自晶片等基板的反射光所含的光学信息测定膜厚，并研磨该基板的研磨方法及研磨装置。研磨方法准备分别包含对应于不同膜厚的多个参考光谱的多个光谱群，在基板上照射光，并接收来自该基板的反射光，根据反射光生成抽样光谱，选择包含形状与抽样光谱最接近的参考光谱的光谱群，研磨基板，并生成测定光谱，并从选出的光谱群选择形状与研磨基板时所生成的测定光谱最接近的参考光谱，取得对应于选出的参考光谱的膜厚。
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公开(公告)号：CN118809424A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410476091.X
申请日：2024-04-19
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明为膜厚测定装置、膜厚测定方法及基板研磨装置，膜厚测定装置具备：保持作为研磨对象的基板且能够使基板移动的头部件；由透明材料构成的载物台；向载物台上供给液体的液体供给部；将载物台上的液体向外部排出的液体排出部；隔着载物台配置于所述头部件的相反侧，对于隔着载物台配置的基板的表面进行光学性膜厚测定的计侧部；以及使载物台和头部件中的至少一方以接近另一方的方式移动，并且在基板的表面被液体浸湿的状态下对所述基板进行光照射而进行膜厚测定的控制部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118254094A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311793004.5
申请日：2023-12-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , B24B41/00 , B24B49/16
Abstract: 提供一种能够提高与膜厚测定值相对应的位置坐标的精度的研磨装置。研磨装置具备：测定研磨垫(1)的厚度的垫厚度测定装置；对于基板倾斜地照射光，决定测定点的膜厚测定值的光学式膜厚测定装置(30)；以及将表示测定点的位置的测定坐标与膜厚测定值相对应的控制装置(50)，基于表示研磨垫的厚度与测定坐标的移动量的关系的相关数据，决定与研磨垫(1)的厚度的测定值相对应的测定坐标的移动量，基于所决定的测定坐标的移动量来修正与膜厚测定值相对应的测定坐标。
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公开(公告)号：CN116330147A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211668867.5
申请日：2022-12-21
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , B24B49/12 , B24B37/10
Abstract: 本发明提供一种能够实质上扩大来自工件的反射光的光谱的波长范围并测量准确的膜厚的膜厚测量方法和膜厚测量装置。根据膜厚测量方法，一边使支承研磨垫(2)的研磨台(3)旋转，一边将工件(W)向研磨垫(2)按压，从而对工件(W)进行研磨，在工件(W)的研磨期间，将光从配置于研磨台(3)的液封式传感器(25)和透明窗式传感器(31)向工件(W)引导，并且由液封式传感器(25)和透明窗式传感器(31)接收来自工件(W)的反射光，基于来自工件(W)的反射光的光谱来确定工件(W)的膜厚。
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公开(公告)号：CN110052961B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201910043492.5
申请日：2019-01-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B49/12 , B24B37/005 , B24B37/34
Abstract: 提供一种研磨装置，能够通过对照射到晶片的光量进行调整而进行正确的膜厚测定。研磨装置具备：光源(30)；投光光纤(34)，该投光光纤具有配置于研磨台(3)内的不同位置的多个顶端(34a、34b)；以及受光光纤(50)，该受光光纤(50)具有配置于研磨台(3)内的不同位置的多个顶端(50a、50b)。投光光纤(34)具有第一投光光纤(36)和第二投光光纤(37)，第一减光器(70)安装于第一投光光纤(36)和第二投光光纤(37)，第二减光器(72)安装于第一投光光纤(36)和第二投光光纤(37)中的至少一个。
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公开(公告)号：CN108942640B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201810461546.5
申请日：2018-05-15
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 提供一种能够准确地确定光源的寿命，并且不需要进行光学式膜厚测定装置的校正而准确地测定晶片等基板的膜厚的研磨装置。研磨装置具有：发出光的光源(30)；具有配置于研磨台(3)内的规定的位置的顶端，与光源(30)连接的投光光纤(34)；根据波长对来自晶片(W)的反射光进行分解，而测定在各波长下的反射光的强度的分光器(26)；具有配置在研磨台(3)内的上述规定的位置的顶端，并与分光器(26)连接的受光光纤(50)；基于表示反射光的强度与波长的关系的分光波形确定晶片(W)的膜厚的处理部(27)；与光源(30)连接的内部光纤(72)；选择性地将受光光纤(50)和内部光纤(72)中的任一方与分光器(26)连接的光路选择机构(70)。
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公开(公告)号：CN104275642A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410330519.6
申请日：2014-07-11
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , B24B49/12 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/013 , G01B11/0625 , G01B11/0683 , G01B11/0691
Abstract: 一种研磨装置，具有：对处于静止状态的基板的膜厚进行测量的在线型膜厚测量器(80)；以及具有配置在研磨台(30A)内的膜厚传感器(40)的原位分光式膜厚监视器(39)。原位分光式膜厚监视器(39)，从研磨基板前由在线型膜厚测量器(80)取得的初期膜厚中，减去研磨基板前由原位分光式膜厚监视器(39)取得的初期膜厚，由此确定补正值，对研磨基板中取得的膜厚加上补正值，由此取得监视膜厚，基于监视膜厚而监视基板的研磨进度。采用本发明，研磨装置能实现高精度的精加工性能。
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