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公开(公告)号：CN105575896A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510731531.2
申请日：2015-11-02
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/268 , H01L21/67092 , H01L21/6836 , H01L21/784 , H01L21/786 , H01L2221/68327 , H01L2221/68331 , H01L2221/6834 , H01S3/10
Abstract: 提供晶片的加工方法。晶片在具有偏离角的单晶基板的正面上被多条分割预定线划分，在由分割预定线划分的多个区域中分别形成有器件，晶片的加工方法包含：数值孔径设定工序，在会聚脉冲激光光线的聚光透镜的数值孔径(NA)除以单晶基板的折射率(N)得到的值为0.05～0.2的范围内设定聚光透镜的数值孔径；遮蔽隧道形成工序，将脉冲激光光线的聚光点定位在从单晶基板的背面起的期望的位置而沿着分割预定线照射脉冲激光光线，从定位于单晶基板的聚光点起沿着分割预定线形成由细孔和遮蔽该细孔的非晶质构成的遮蔽隧道；晶片分割工序，对实施了遮蔽隧道形成工序的晶片施加外力，沿着形成有遮蔽隧道的分割预定线将晶片分割成各个器件芯片。
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公开(公告)号：CN102157367B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201110033183.3
申请日：2011-01-30
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: B23K26/0853 , B23K26/0006 , B23K26/032 , B23K26/354 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K26/703 , B23K37/0408 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , H01L33/0095
Abstract: 本发明提供一种光器件晶片的加工方法，其不会降低光器件的亮度。该光器件晶片的加工方法，将光器件晶片分割为各个光器件，该光器件晶片是在基板的表面层叠半导体层，并在该半导体层上通过分割预定线划分多个光器件而形成的，其特征在于，该方法包括：分割起点形成步骤，将对该基板有透过性的波长的激光束的聚光点定位在该分割预定线的交叉点的内部而进行照射，在与交叉点对应的基板内部形成变质点，使该变质点作为成为分割的起始点的分割起点；以及裂纹生长步骤，沿着该分割预定线照射CO2激光，使裂纹从该分割起点开始在基板内部生长。
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公开(公告)号：CN103170728B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201210532177.7
申请日：2012-12-11
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 森数洋司
Abstract: 本发明提供一种激光加工装置,其具有对由激光光线振荡器振荡发出的激光光线的照射位置的偏移进行修正的功能。该激光加工装置具有卡盘工作台、激光光线照射构件和加工进给构件，激光光线照射构件具有：激光光线振荡器，其振荡发出激光光线；聚光器，其具有将激光光线聚光并照射到被加工物的聚光透镜；光路调整构件，其配设在激光光线振荡器与聚光器之间，用于调整激光光线的光路；反射镜，其将激光光线朝聚光器反射；检测光聚光透镜，其将少量透过反射镜的检测光线聚光；摄像构件，其对检测光线的聚光光斑摄像；和控制构件，其求出检测光线的聚光光斑相对于适当位置的偏移量和方向，根据偏移量和方向控制光路调整构件以将聚光光斑定位在适当位置。
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公开(公告)号：CN103962728A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410030436.5
申请日：2014-01-22
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/38
Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，其通过沿着被加工物的加工线照射2次脉冲激光光线而可将被加工物加工成能够沿着加工线断裂的状态。一种激光加工方法，用于对被加工物照射激光光线来实施激光加工，所述激光加工方法包括：细丝形成工序，其对被加工物照射对于被加工物具有透射性的波长的脉冲激光光线，从被加工物的被照射脉冲激光光线的面向内部形成折射率比被加工物的折射率高的细丝作为光传送路；和激光加工工序，向细丝照射对实施了细丝形成工序的被加工物实施加工的脉冲激光光线，沿着该细丝传送该脉冲激光光线，由此来实施加工。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103358026A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310110334.X
申请日：2013-04-01
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 森数洋司
CPC classification number: B23K26/38 , B23K26/0626 , B23K26/0853 , B23K26/382 , B23K26/389 , B23K26/40 , B23K2103/172 , H01L21/486 , H01L21/768 , H05K3/4038
Abstract: 本发明提供一种激光加工方法及激光加工装置，在由第一材料形成的第一部件和由第二材料形成的第二部件连接而成的被加工物形成从第一部件至第二部件的激光加工孔时，即使脉冲激光光线靠近第二部件也能够形成到达第二部件的激光加工孔而不会产生裂纹。激光加工方法包括：分别检测因向第一部件和第二部件照射激光光线而产生的等离子光的波长；仅检测到具有第一部件的波长的等离子光并直到所述等离子光的光强度降低到预定值为止，持续具有第一输出的脉冲激光光线的照射；当该等离子光的光强度达到预定值时，照射具有比第一输出低且不使第一部件产生裂纹的第二输出的脉冲激光光线；在检测到具有第二部件的波长的等离子光时，停止脉冲激光光线的照射。
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公开(公告)号：CN103240529A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310050842.3
申请日：2013-02-08
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 森数洋司
IPC: B23K26/38 , B23K26/42 , H01L21/768
CPC classification number: B23K26/032 , B23K26/0622 , B23K26/386 , B23K26/389 , B23K26/40 , B23K2103/172
Abstract: 本发明提供一种激光加工装置，其能够在将由第一材料形成的第一部件和由第二材料形成的第二部件连接而成的被加工物形成从第一部件到达第二部件的激光加工孔而不使第二部件熔融。激光加工装置具备等离子检测构件以及控制构件，等离子检测构件包括分光器、第一带通滤波器、第一光检测器、第二带通滤波器以及第二光检测器，控制构件在实施激光加工时，基于从第一光检测器及第二光检测器输出的光强度信号控制激光光线照射构件，以在从第一光检测器输出的光强度降低且从第二光检测器输出的光强度上升并越过峰值的时刻停止脉冲激光光线的照射。
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公开(公告)号：CN101890578A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010185018.5
申请日：2010-05-21
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0006 , B23K26/0626 , B23K26/40 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , H01L21/67132 , H01L21/67144 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336
Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的激光加工方法，其能制造抗弯强度高的器件。该半导体晶片的激光加工方法的特征在于，具有如下的加工槽形成工序：沿着半导体晶片的分割预定线，照射对于半导体晶片具有吸收性的波长的脉冲激光束而在半导体晶片上形成激光加工槽，在该加工槽形成工序中，照射的脉冲激光束的脉宽为2ns以下，峰值能量密度为5GW/cm2～200GW/cm2。
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公开(公告)号：CN101211801A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710194145.X
申请日：2007-12-05
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 森数洋司
IPC: H01L21/60 , H01L21/3105 , B23K26/36 , B23K26/38 , B23K26/40 , B23K101/40
CPC classification number: B23K26/0622 , B23K26/382 , B23K26/40 , B23K2103/50 , H01L21/76898
Abstract: 本发明提供一种晶片加工方法，该晶片加工方法可于不在焊盘上开孔的情况下在晶片的基板上形成到达焊盘的通孔。该晶片加工方法是这样的晶片加工方法：在晶片上从硅基板的背面侧照射脉冲激光光线，从而形成到达焊盘的通孔，其中上述晶片在硅基板的表面上形成有多个器件，并且在器件上形成有焊盘，焊盘的厚度被设定为大于等于5μm，脉冲激光光线被设定成波长为355nm，每一脉冲的能量密度为20～35J/cm2。
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公开(公告)号：CN112139684B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202010584816.9
申请日：2020-06-24
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 森数洋司
IPC: B23K26/70 , B23K26/352
Abstract: 提供激光加工装置，其在照射激光光线而实施激光加工时能够以适当的光斑间隔进行加工。激光加工装置包含：卡盘工作台，其对被加工物进行保持；激光光线照射单元，其将脉冲激光光线的光斑定位于该卡盘工作台所保持的被加工物，照射脉冲激光光线而对被加工物实施加工；以及控制单元，其对该激光光线照射单元的动作进行控制。该激光光线照射单元包含：激光振荡器，其振荡出脉冲激光并射出脉冲激光光线；间疏部，其对脉冲激光光线进行间疏，调整重复频率；扫描器，其以规定的间隔扫描脉冲激光光线的光斑；以及fθ透镜，其对脉冲激光光线进行会聚。
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