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公开(公告)号：CN106041327B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201610187290.4
申请日：2016-03-29
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/53
Abstract: 提供激光加工装置，能够沿着设定于被加工物的分割预定线高效地实施适当的激光加工。激光加工装置的聚光器包含：聚光透镜，其对从激光光线振荡构件振荡出的激光光线进行会聚；以及球面像差伸长透镜，其将聚光透镜的球面像差伸长。通过从聚光器对保持在卡盘工作台上的被加工物照射脉冲激光光线，而从被加工物的上表面朝向下表面形成盾构隧道，该盾构隧道由细孔和对该孔进行盾构的非晶质构成。
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公开(公告)号：CN104037123B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201410074894.9
申请日：2014-03-03
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供晶片的加工方法，能够不产生碎片而在晶片上高效率地形成通孔。该晶片的加工方法，在晶片上形成通孔，该晶片的加工方法包括：纤丝形成步骤，将对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在待形成通孔的区域的内部并向晶片照射该脉冲激光光线，形成非晶质的纤丝；和蚀刻步骤，使用对非晶质的纤丝进行蚀刻的蚀刻剂而对形成在晶片上的非晶质的纤丝进行蚀刻，从而在晶片上形成通孔。
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公开(公告)号：CN103962728B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201410030436.5
申请日：2014-01-22
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/38
Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，其通过沿着被加工物的加工线照射2次脉冲激光光线而可将被加工物加工成能够沿着加工线断裂的状态。一种激光加工方法，用于对被加工物照射激光光线来实施激光加工，所述激光加工方法包括：细丝形成工序，其对被加工物照射对于被加工物具有透射性的波长的脉冲激光光线，从被加工物的被照射脉冲激光光线的面向内部形成折射率比被加工物的折射率高的细丝作为光传送路；和激光加工工序，向细丝照射对实施了细丝形成工序的被加工物实施加工的脉冲激光光线，沿着该细丝传送该脉冲激光光线，由此来实施加工。
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公开(公告)号：CN106041327A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610187290.4
申请日：2016-03-29
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/53
Abstract: 提供激光加工装置，能够沿着设定于被加工物的分割预定线高效地实施适当的激光加工。激光加工装置的聚光器包含：聚光透镜，其对从激光光线振荡构件振荡出的激光光线进行会聚；以及球面像差伸长透镜，其将聚光透镜的球面像差伸长。通过从聚光器对保持在卡盘工作台上的被加工物照射脉冲激光光线，而从被加工物的上表面朝向下表面形成盾构隧道，该盾构隧道由细孔和对该孔进行盾构的非晶质构成。
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公开(公告)号：CN105006431A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510188618.X
申请日：2015-04-20
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/304 , H01L21/78
CPC classification number: B23K26/53 , B28D5/00 , H01L21/304 , H01L21/3043 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种单晶基板的加工方法，能够对单晶基板的上表面进行研磨从而高效地形成为所期望的厚度、或者高效地在单晶基板的表面上散布地形成多个凹部。单晶基板的加工方法包括：数值孔径设定工序，将对脉冲激光光线进行聚光的聚光透镜的数值孔径(NA)对应于单晶基板设定为规定的值；遮护隧洞形成工序，将脉冲激光光线的聚光点从单晶基板的上表面定位于所期望的位置并照射脉冲激光光线，从单晶基板的上表面开始生长细孔和遮护该细孔的非晶质从而形成遮护隧洞；和非晶质去除工序，用研磨件对在单晶基板上形成的遮护隧洞进行研磨来去除非晶质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104022080A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410072031.8
申请日：2014-02-28
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/00 , B23K26/0648 , B23K26/53
Abstract: 本发明提供晶片的加工方法，可将晶片沿着分割预定线高效率地分割成各个芯片、并且不使芯片的品质下降。晶片的加工方法将晶片沿着分割预定线分割成各个芯片，晶片加工方法包括：纤丝形成步骤，将对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在待分割区域的内部进行照射，在晶片的内部沿着分割预定线形成非晶质的纤丝；和蚀刻步骤，通过使用对非晶质的纤丝进行蚀刻的蚀刻剂对沿着分割预定线形成的非晶质的纤丝进行蚀刻，将晶片沿着分割预定线分割成各个芯片。
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公开(公告)号：CN113823594A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110642440.7
申请日：2021-06-09
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/683 , H01L27/15
Abstract: 本发明提供器件的制造方法，能够抑制从基板剥离时对光器件层造成损伤。器件的制造方法包含：带粘贴步骤(101)，在光器件晶片的光器件层的正面上粘贴具有伸缩性的带；分割起点形成步骤(102)，将聚光点定位于光器件层的内部而照射对于光器件层具有透过性的波长的激光束，从而形成分割起点；缓冲层破坏步骤(103)，从光器件晶片的外延基板的背面侧照射对于外延基板具有透过性且对于缓冲层具有吸收性的波长的激光束，从而将缓冲层破坏；剥离步骤(104)，将外延基板从光器件层剥离；以及分割步骤(105)，通过对带施加外力而沿着分割起点将光器件层分割。
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公开(公告)号：CN113618524A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110489815.0
申请日：2021-05-06
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供磨削装置，该磨削装置能够对磨削磨轮的基台进行清洗。磨削装置具有超声波清洗单元。超声波清洗单元包含：一对侧壁，它们围绕基台和磨削磨具的内侧和外侧；底面，其连接一对侧壁；喷射口，其形成于侧壁或底面的至少任意一方，朝向基台或磨削磨具的至少任意一方喷射清洗液；清洗液提供部，其向喷射口提供清洗液；超声波振子，其对从清洗液提供部提供的清洗液赋予超声波；以及电力提供部，其对超声波振子施加电力。
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公开(公告)号：CN111590222A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010098917.5
申请日：2020-02-18
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/53 , B23K26/346
Abstract: 提供制造片和框体中的至少任意一方的方法，抑制在与该任意一方对应的区域内产生碎裂。该方法是对板状的被加工物进行加工而制造规定的形状的片和从被加工物分割了片而得的框体中的至少任意一方的方法，其中，该方法具有如下的步骤：盾构隧道形成步骤，按照将对于被加工物具有透过性的波长的脉冲状的激光束的聚光区域定位于被加工物的内部的方式从被加工物的正面侧沿着被加工物的分割预定线照射激光束，从而沿着分割预定线形成分别具有细孔和围绕细孔的变质区域的多个盾构隧道；以及分割步骤，在盾构隧道形成步骤之后，经由液体对被加工物施加超声波，从而将沿着分割预定线形成的多个盾构隧道破坏而从被加工物分割片。
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公开(公告)号：CN110648906A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910525334.3
申请日：2019-06-18
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 武田昇
IPC: H01L21/268 , H01L21/78
Abstract: 提供晶片的加工方法，能够降低分割晶片所需的外力，抑制加工不良的产生。该晶片的加工方法将晶片沿着分割预定线分割成多个芯片，其中，包含如下的步骤：保护通道形成步骤，将具有对于晶片来说为透过性的波长的脉冲激光束的聚光点定位在晶片的内部而照射脉冲激光束，沿着分割预定线形成由细孔和围绕细孔的非晶质区域构成的保护通道；以及晶片分割步骤，对晶片赋予外力，沿着分割预定线对形成有保护通道的晶片进行分割，脉冲激光束具有沿着与分割预定线平行的方向的两个以上的聚光点，聚光点间的距离小于3μm。
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