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公开(公告)号：CN100420039C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200480001413.6
申请日：2004-07-15
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/075
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 一种层积型光电变换装置，在衬底(1)上从光入射侧顺序层积一导电型层(31、51)、实质本征半导体的光电变换层(32、52)、及含有反向导电型层(33、53)的多个光电变换单元(3、5)，相对地配置于光入射侧的前方光电变换单元(3)内的反向导电型层(33)和邻接该前方光电变换单元(3)配置的后方光电变换单元(5)内的一导电型层(51)中的至少一者至少在其一部分具有硅复合层(4)，该硅复合层(4)具有20nm～130nm的厚度和25原子%～60原子%的氧浓度，在硅和氧的非晶质合金相中含有富硅相。
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公开(公告)号：CN105324344A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201480034402.1
申请日：2014-06-13
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: H01L31/02366 , B24C1/06 , B24C11/00 , C03C17/25 , C03C2204/08 , C03C2217/73 , H01L31/02168 , H01L31/048 , H01L31/18 , H02S40/22 , Y02E10/52
Abstract: 本发明的课题在于提供一种具有防眩性、且能表现出高防污性的太阳能电池组件。在太阳能电池组件中，使玻璃制的板体的表面呈凹凸状，再叠层防反射膜。而且，在沿板体厚度方向切断的截面上存在表面轮廓线的坡度骤变的拐点。另外，陡坡部与大型裂纹的分布状态为在58微米的划分范围内其数量总计小于5个。在所述陡坡部中，以拐点为界，使该点与轮廓线上一侧相距0.7微米处之间平直地模拟成一侧模拟直线，使该点与轮廓线上另一侧相距0.7微米处之间平直地模拟成另一侧模拟直线，此时两条模拟直线所成角度为135度以下。
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公开(公告)号：CN102037566B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN200980118847.7
申请日：2009-05-15
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0216 , H01L27/142 , H01L31/0392 , H01L31/076
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/03921 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/076 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种薄膜光电转换装置用基板，能够以低成本且高效率地生产具有被改善的特性的薄膜光电转换装置。薄膜光电转换装置用基板的特征在于，包括透明基体、以及在其一个主面上依次层叠的透明衬底层和透明电极层，该衬底层包括透明绝缘微粒和透明粘合剂，这些透明绝缘微粒分散为以30％以上且小于80％的覆盖率覆盖该透明基体的一个主面，透明基体的另一个主面上具有反射防止层，该反射防止层包括透明绝缘微粒和透明粘合剂，这些透明绝缘微粒分散为以比衬底层高的覆盖率覆盖另一个主面，透明电极层包括通过低压CVD而沉积的氧化锌。
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公开(公告)号：CN102770966A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201180010565.2
申请日：2011-01-27
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/03682 , H01L31/03762 , H01L31/0747 , H01L31/076 , H01L31/1804 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的在于改善含有结晶锗光电转换层的薄膜光电转换装置的开路电压、曲线因子、以及对于长波长光的光电转换效率。本发明的光电转换装置是在基板上依次配置第一电极层、一个以上的光电转换单元、以及第二电极层而成，光电转换单元在p型半导体层与n型半导体层之间具备光电转换层。至少一个光电转换单元的光电转换层是由实质上是本征或者弱n型且实质上不含硅原子的结晶锗半导体形成的结晶锗光电转换层。在p型半导体层与结晶锗光电转换层之间配置有实质上是本征的非晶硅半导体层的第一界面层。
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公开(公告)号：CN101889351A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200880119525.X
申请日：2008-12-05
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/03921 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/0465 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明以高生产性和低成本提供高转换特性的层叠型薄膜光电转换装置。本发明的集成型薄膜光电转换装置包括在透光性基板上依次层叠的透明导电层、激光吸收层、背面电极层、半导体光电转换层和透明电极层。激光吸收层被第1种分割线沟分割成多个区域，光电转换层被贯穿激光吸收层、背面电极层和光电转换层的第3种分割线沟分割成多个光电转换区域，透明电极层被贯穿激光吸收层、背面电极层、光电转换层和透明电极层的第4种分割线沟分割成多个透明电极区域，在彼此相邻的光电转换单元之间，一个单元的背面电极区域通过第1种分割线沟、透明导电层和第3种分割线沟，与另一个单元的背面电极区域电连接。在实施方式1中，背面电极层被贯穿透明导电层、激光吸收层和背面电极层的第2种分割线沟分割成多个背面电极区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1706050A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200480001413.6
申请日：2004-07-15
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/075
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 一种层积型光电变换装置，在衬底(1)上从光入射侧顺序层积一导电型层(31、51)、实质本征半导体的光电变换层(32、52)、及含有反向导电型层(33、53)的多个光电变换单元(3、5)，相对地配置于光入射侧的前方光电变换单元(3)内的反向导电型层(33)和邻接该前方光电变换单元(3)配置的后方光电变换单元(5)内的一导电型层(51)中的至少一者至少在其一部分具有硅复合层(4)，该硅复合层(4)具有20nm～130nm的厚度和25原子％～60原子％的氧浓度，在硅和氧的非晶质合金相中含有富硅相。
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公开(公告)号：CN102138221B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN200980133876.0
申请日：2009-08-24
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/028 , H01L31/076 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 在以往的将非晶锗或者结晶硅用于光电转换层的薄膜光电转换装置中，存在无法将1100nm以上的长波长光利用于光电转换、转换效率的提高不充分的课题。本发明利用薄膜光电转换装置来解决所述课题，其特征在于：所述薄膜光电转换装置包括1个以上在p型半导体层与n型半导体层之间具备光电转换层的光电转换单元，至少一个光电转换单元的光电转换层包括本征或者弱n型的结晶锗半导体，并且所述结晶锗半导体的波数为935±5cm-1的红外吸收峰值的吸收系数不足6000cm-1。另外，通过特征在于所述结晶锗半导体的波数为960±5cm-1的红外吸收峰值的吸收系数不足3500cm-1的薄膜光电转换装置来解决所述课题。
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公开(公告)号：CN101889351B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200880119525.X
申请日：2008-12-05
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/03921 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/0465 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明以高生产性和低成本提供高转换特性的层叠型薄膜光电转换装置。本发明的集成型薄膜光电转换装置包括在透光性基板上依次层叠的透明导电层、激光吸收层、背面电极层、半导体光电转换层和透明电极层。激光吸收层被第1种分割线沟分割成多个区域，光电转换层被贯穿激光吸收层、背面电极层和光电转换层的第3种分割线沟分割成多个光电转换区域，透明电极层被贯穿激光吸收层、背面电极层、光电转换层和透明电极层的第4种分割线沟分割成多个透明电极区域，在彼此相邻的光电转换单元之间，一个单元的背面电极区域通过第1种分割线沟、透明导电层和第3种分割线沟，与另一个单元的受光面透明电极区域电连接。在实施方式1中，背面电极层被贯穿透明导电层、激光吸收层和背面电极层的第2种分割线沟分割成多个背面电极区域。
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公开(公告)号：CN1826699A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200480021059.3
申请日：2004-07-12
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/075
CPC classification number: H01L31/077 , H01L31/056 , H01L31/075 , H01L31/076 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供一种硅类薄膜太阳能电池，该电池是，通过不使用与光电转换层的形成不同种的设备将具有比光电转换层的折射率低的层设置在从光入射侧观察时位于光电转换层后方的部位，可以发挥充分的吸光效果，且即使设置了具有这样低的折射率的层也可以保持太阳能电池的串联电阻为小的电阻的、高效率且低成本的硅类薄膜太阳能电池。
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公开(公告)号：CN1748322A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200480004033.8
申请日：2004-05-28
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/046 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供一种薄膜光电转换装置，特别是提供一种集成化薄膜光电转换装置，其在包含结晶硅光电转换单元的薄膜光电转换装置中，通过不使开放端电压和填充因数变小来改善光电转换效率。本发明的薄膜光电转换装置，是在透明基板一侧的主面上至少把透明电极膜、结晶硅光电转换单元和背面电极膜顺序形成的薄膜光电转换装置，形成所述结晶硅光电转换单元后，在其表面的一部分上具有白浊变色区域。所述白浊变色区域最好是小于或等于光电转换区域面积的5％。而且最好是制成集成化薄膜光电转换装置。
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