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公开(公告)号：CN103733356A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280039241.6
申请日：2012-08-10
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: H01L31/202 , H01L31/056 , H01L31/076 , H01L31/1804 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种具有前方光电转换单元(3)和后方光电转换单元(4)的叠层型光电转换装置的制造方法。前方光电转换单元的逆导电型层(33)的与后方光电转换单元(4)相接的一侧，是在含有硅和氧的非晶体合金中混合存在有硅结晶相的硅复合层。在本发明中，前方光电转换单元的硅复合层形成后，不取出至大气中，而是在同一制膜室内，形成后方光电转换单元(4)的晶体的一导电型层(41)以及晶体硅类光电转换层(42)。晶体硅类光电转换层(42)的形成开始时的功率密度，优选为前方光电转换单元的硅复合层形成时的功率密度的0.1倍以上且小于1倍的范围。
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公开(公告)号：CN1826699B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200480021059.3
申请日：2004-07-12
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/075
CPC classification number: H01L31/077 , H01L31/056 , H01L31/075 , H01L31/076 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供一种硅类薄膜太阳能电池，该电池是，通过不使用与光电转换层的形成不同种的设备将具有比光电转换层的折射率低的层设置在从光入射侧观察时位于光电转换层后方的部位，可以发挥充分的吸光效果，且即使设置了具有这样低的折射率的层也可以保持太阳能电池的串联电阻为小的电阻的、高效率且低成本的硅类薄膜太阳能电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101889351B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200880119525.X
申请日：2008-12-05
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/03921 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/0465 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明以高生产性和低成本提供高转换特性的层叠型薄膜光电转换装置。本发明的集成型薄膜光电转换装置包括在透光性基板上依次层叠的透明导电层、激光吸收层、背面电极层、半导体光电转换层和透明电极层。激光吸收层被第1种分割线沟分割成多个区域，光电转换层被贯穿激光吸收层、背面电极层和光电转换层的第3种分割线沟分割成多个光电转换区域，透明电极层被贯穿激光吸收层、背面电极层、光电转换层和透明电极层的第4种分割线沟分割成多个透明电极区域，在彼此相邻的光电转换单元之间，一个单元的背面电极区域通过第1种分割线沟、透明导电层和第3种分割线沟，与另一个单元的受光面透明电极区域电连接。在实施方式1中，背面电极层被贯穿透明导电层、激光吸收层和背面电极层的第2种分割线沟分割成多个背面电极区域。
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公开(公告)号：CN1826699A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200480021059.3
申请日：2004-07-12
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/075
CPC classification number: H01L31/077 , H01L31/056 , H01L31/075 , H01L31/076 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供一种硅类薄膜太阳能电池，该电池是，通过不使用与光电转换层的形成不同种的设备将具有比光电转换层的折射率低的层设置在从光入射侧观察时位于光电转换层后方的部位，可以发挥充分的吸光效果，且即使设置了具有这样低的折射率的层也可以保持太阳能电池的串联电阻为小的电阻的、高效率且低成本的硅类薄膜太阳能电池。
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公开(公告)号：CN103733356B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201280039241.6
申请日：2012-08-10
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: H01L31/202 , H01L31/056 , H01L31/076 , H01L31/1804 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种具有前方光电转换单元(3)和后方光电转换单元(4)的叠层型光电转换装置的制造方法。前方光电转换单元的逆导电型层(33)的与后方光电转换单元(4)相接的一侧，是在含有硅和氧的非晶体合金中混合存在有硅结晶相的硅复合层。在本发明中，前方光电转换单元的硅复合层形成后，不取出至大气中，而是在同一制膜室内，形成后方光电转换单元(4)的晶体的一导电型层(41)以及晶体硅类光电转换层(42)。晶体硅类光电转换层(42)的形成开始时的功率密度，优选为前方光电转换单元的硅复合层形成时的功率密度的0.1倍以上且小于1倍的范围。
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公开(公告)号：CN101889351A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200880119525.X
申请日：2008-12-05
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/03921 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/0465 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明以高生产性和低成本提供高转换特性的层叠型薄膜光电转换装置。本发明的集成型薄膜光电转换装置包括在透光性基板上依次层叠的透明导电层、激光吸收层、背面电极层、半导体光电转换层和透明电极层。激光吸收层被第1种分割线沟分割成多个区域，光电转换层被贯穿激光吸收层、背面电极层和光电转换层的第3种分割线沟分割成多个光电转换区域，透明电极层被贯穿激光吸收层、背面电极层、光电转换层和透明电极层的第4种分割线沟分割成多个透明电极区域，在彼此相邻的光电转换单元之间，一个单元的背面电极区域通过第1种分割线沟、透明导电层和第3种分割线沟，与另一个单元的背面电极区域电连接。在实施方式1中，背面电极层被贯穿透明导电层、激光吸收层和背面电极层的第2种分割线沟分割成多个背面电极区域。
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