薄膜太阳能电池组件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102341916A

    公开(公告)日:2012-02-01

    申请号:CN201080010205.8

    申请日:2010-02-19

    Abstract: 本发明涉及将电连接薄膜硅光电转换单元和化合物半导体系光电转换单元而成的单位电池串联连接形成的薄膜太阳能电池组件。各单位电池从光入射侧看,至少依序具有透明电极2、非晶硅系光电转换单元3、中间透明电极层4、光电转换单元5、化合物半导体系光电转换单元6和金属电极7。在各单位电池内,光电转换单元5和化合物半导体系光电转换单元6串联连接而形成串联元件10,串联元件10介由透明电极2和中间透明电极层4与第1光电转换单元3并联连接。

    层积型光电变换装置

    公开(公告)号:CN1706050A

    公开(公告)日:2005-12-07

    申请号:CN200480001413.6

    申请日:2004-07-15

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 一种层积型光电变换装置,在衬底(1)上从光入射侧顺序层积一导电型层(31、51)、实质本征半导体的光电变换层(32、52)、及含有反向导电型层(33、53)的多个光电变换单元(3、5),相对地配置于光入射侧的前方光电变换单元(3)内的反向导电型层(33)和邻接该前方光电变换单元(3)配置的后方光电变换单元(5)内的一导电型层(51)中的至少一者至少在其一部分具有硅复合层(4),该硅复合层(4)具有20nm~130nm的厚度和25原子%~60原子%的氧浓度,在硅和氧的非晶质合金相中含有富硅相。

    混合硅系薄膜太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:CN102187471B

    公开(公告)日:2013-07-31

    申请号:CN200980140938.0

    申请日:2009-10-09

    Abstract: 本发明涉及硅系薄膜太阳能电池的制造方法,该硅系薄膜太阳能电池具备包括从透光性基板侧依次层叠的p型层4p、晶体i型硅光电转换层4ic和n型层4nc的晶体硅光电转换单元。在晶体i型硅光电转换层4ic上形成与晶体i型硅光电转换层相接且具有膜厚为1~12nm的n型硅合金层的n型硅系薄膜层4na。根据本发明,在晶体i型硅光电转换层4ic和n型硅系薄膜层4na的界面产生强的电场,因此即使晶体i型硅光电转换层4ic在该界面附近包含大量的缺陷的情况下,也能够得到具有高光电转换特性的薄膜太阳能电池。因此,晶体i型硅光电转换层4ic的高速制膜成为可能,能够以低成本提供高效率的硅系薄膜太阳能电池。

    光电转换装置的制造方法

    公开(公告)号:CN103119727A

    公开(公告)日:2013-05-22

    申请号:CN201180045445.6

    申请日:2011-08-31

    Abstract: 本发明涉及制造结晶硅系光电转换装置的方法。本发明的结晶硅系光电转换装置在一导电类型单晶硅基板的一个面上依次具有一导电类型层侧本征硅系层和一导电类型硅系层,在上述一导电类型单晶硅基板的另一个面上依次具有相反导电类型层侧本征硅系层和相反导电类型硅系层。在本发明中,上述一导电类型层侧本征硅系层的形成工序、和上述相反导电类型层侧本征硅系层的形成工序中的至少一者依次具有采用等离子体CVD法在上述一导电类型单晶硅基板上形成具有1nm~10nm膜厚的第1本征硅系薄膜层的工序、在以氢为主成分的气体气氛中进行等离子体处理的工序、采用等离子体CVD法在上述第1本征硅系薄膜层上形成第2本征硅系薄膜层的工序。

    硅系薄膜太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:CN102187471A

    公开(公告)日:2011-09-14

    申请号:CN200980140938.0

    申请日:2009-10-09

    Abstract: 本发明涉及硅系薄膜太阳能电池的制造方法,该硅系薄膜太阳能电池具备包括从透光性基板侧依次层叠的p型层4p、晶体i型硅光电转换层4ic和n型层4nc的晶体硅光电转换单元。在晶体i型硅光电转换层4ic上形成与晶体i型硅光电转换层相接且具有膜厚为1~12nm的n型硅合金层的n型硅系薄膜层4na。根据本发明,在晶体i型硅光电转换层4ic和n型硅系薄膜层4na的界面产生强的电场,因此即使晶体i型硅光电转换层4ic在该界面附近包含大量的缺陷的情况下,也能够得到具有高光电转换特性的薄膜太阳能电池。因此,晶体i型硅光电转换层4ic的高速制膜成为可能,能够以低成本提供高效率的硅系薄膜太阳能电池。

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