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公开(公告)号：CN104871258B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201380066868.5
申请日：2013-12-18
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: C23C14/34 , B32B2307/412 , B32B2307/702 , B32B2457/208 , C23C14/086 , C23C14/3414 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H05K1/09 , H05K3/16 , H05K2201/0326 , H05K2201/10053 , H05K2203/1194
Abstract: 本发明提供带透明电极的基板及其制造方法，带透明电极的基板(100)在透明薄膜基板(10)上具备非晶透明电极层(20)。非晶透明电极层(20)在被施加了0.1V的偏压的情况下，具有50个/μm2以上的在加电压面的电流值为50nA以上且连续的面积为100nm2以上的区域。在一实施方式中，非晶透明电极层(20)的氧化锡的含量大于8质量％且小于16质量％。在另一实施方式中，非晶透明电极层(20)的氧化锡的含量为6.5质量％～8质量％。本发明的带透明电极的基板能够通过短时间的加热实现透明电极层的结晶化。
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公开(公告)号：CN103443748B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201180069501.X
申请日：2011-11-11
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: G02B1/10 , C23C14/08 , G02B1/116 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H05K1/0274 , H05K1/0306 , H05K3/4688
Abstract: 本发明的带有透明电极的基板（100）在透明膜基板（1）的至少一面依次具有：以SiOx为主要成分的第一电介质层（21）、以金属的氧化物为主要成分的第二电介质层（22）、以SiOy为主要成分的第三电介质层（23）、及透明电极层（4）。透明电极层（4）被图案化为电极层形成部（4a）与电极层非形成部（4b）。透明电极层（4）是以铟-锡复合氧化物为主要成分且膜厚为20nm～35nm的层。上述第一电介质层的折射率n1、上述第二电介质层的折射率n2、及上述第三电介质层的折射率n3满足n3＜n1＜n2的关系。第一电介质层（21）、第二电介质层（22）及第三电介质层（23）具有规定的膜厚。
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公开(公告)号：CN103443748A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201180069501.X
申请日：2011-11-11
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: G02B1/10 , C23C14/08 , G02B1/116 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H05K1/0274 , H05K1/0306 , H05K3/4688
Abstract: 本发明的带有透明电极的基板（100）在透明膜基板（1）的至少一面依次具有：以SiOx为主要成分的第一电介质层（21）、以金属的氧化物为主要成分的第二电介质层（22）、以SiOy为主要成分的第三电介质层（23）、及透明电极层（4）。透明电极层（4）被图案化为电极层形成部（4a）与电极层非形成部（4b）。透明电极层（4）是以铟-锡复合氧化物为主要成分且膜厚为20nm～35nm的层。上述第一电介质层的折射率n1、上述第二电介质层的折射率n2、及上述第三电介质层的折射率n3满足n3＜n1＜n2的关系。第一电介质层（21）、第二电介质层（22）及第三电介质层（23）具有规定的膜厚。
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公开(公告)号：CN102341916A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201080010205.8
申请日：2010-02-19
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/078 , H01L31/03921 , H01L31/03923 , H01L31/0465 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及将电连接薄膜硅光电转换单元和化合物半导体系光电转换单元而成的单位电池串联连接形成的薄膜太阳能电池组件。各单位电池从光入射侧看，至少依序具有透明电极2、非晶硅系光电转换单元3、中间透明电极层4、光电转换单元5、化合物半导体系光电转换单元6和金属电极7。在各单位电池内，光电转换单元5和化合物半导体系光电转换单元6串联连接而形成串联元件10，串联元件10介由透明电极2和中间透明电极层4与第1光电转换单元3并联连接。
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公开(公告)号：CN1706050A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200480001413.6
申请日：2004-07-15
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/075
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 一种层积型光电变换装置，在衬底(1)上从光入射侧顺序层积一导电型层(31、51)、实质本征半导体的光电变换层(32、52)、及含有反向导电型层(33、53)的多个光电变换单元(3、5)，相对地配置于光入射侧的前方光电变换单元(3)内的反向导电型层(33)和邻接该前方光电变换单元(3)配置的后方光电变换单元(5)内的一导电型层(51)中的至少一者至少在其一部分具有硅复合层(4)，该硅复合层(4)具有20nm～130nm的厚度和25原子％～60原子％的氧浓度，在硅和氧的非晶质合金相中含有富硅相。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105830173B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201580003181.6
申请日：2015-01-19
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: H01L33/42 , C23C14/024 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/5806 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/0392
Abstract: 本发明提供可以同时实现促进热处理时的结晶化和抑制常温环境下的结晶化的带有透明电极的基板。带有透明电极的基板是在膜基板(100)上形成了由透明导电性氧化物制成的透明电极薄膜(300)。在上述膜基板(100)与上述透明电极薄膜(300)之间形成了含有金属氧化物作为主成分的基底层(200)。上述基底层(200)与上述透明电极薄膜(300)相接触。上述透明电极薄膜(300)为非晶质，上述基底层(200)为介电体且为结晶质。
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公开(公告)号：CN104067353B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201380006560.1
申请日：2013-01-18
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: H05K1/0274 , C23C14/086 , C23C14/10 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H01L31/022475 , H01L31/1884 , H01L51/442 , H01L51/5215 , H01L51/5234 , H01L2251/306 , H01L2251/308 , H05K1/092 , H05K2201/0329 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10T428/265
Abstract: 本发明涉及一种带有透明电极的基板，该基板在透明膜基材的至少一面具有透明电极层。透明膜基材在透明电极层侧的表面具有以氧化物为主成分的透明电介质层。在一个实施方式中，透明电极层为结晶度为80％以上的结晶质透明电极层。在该实施方式中，结晶质透明电极层的电阻率为3.5×10‑4Ω·cm以下，膜厚为15nm～40nm，氧化铟的含量为87.5％～95.5％，载流子密度为4×1020/cm3～9×1020/cm3，且优选带有透明电极的基板的利用热机械分析测定的热收缩起始温度为75℃～120℃。
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公开(公告)号：CN102187471B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200980140938.0
申请日：2009-10-09
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/04
Abstract: 本发明涉及硅系薄膜太阳能电池的制造方法，该硅系薄膜太阳能电池具备包括从透光性基板侧依次层叠的p型层4p、晶体i型硅光电转换层4ic和n型层4nc的晶体硅光电转换单元。在晶体i型硅光电转换层4ic上形成与晶体i型硅光电转换层相接且具有膜厚为1～12nm的n型硅合金层的n型硅系薄膜层4na。根据本发明，在晶体i型硅光电转换层4ic和n型硅系薄膜层4na的界面产生强的电场，因此即使晶体i型硅光电转换层4ic在该界面附近包含大量的缺陷的情况下，也能够得到具有高光电转换特性的薄膜太阳能电池。因此，晶体i型硅光电转换层4ic的高速制膜成为可能，能够以低成本提供高效率的硅系薄膜太阳能电池。
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公开(公告)号：CN103119727A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180045445.6
申请日：2011-08-31
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/0684 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及制造结晶硅系光电转换装置的方法。本发明的结晶硅系光电转换装置在一导电类型单晶硅基板的一个面上依次具有一导电类型层侧本征硅系层和一导电类型硅系层，在上述一导电类型单晶硅基板的另一个面上依次具有相反导电类型层侧本征硅系层和相反导电类型硅系层。在本发明中，上述一导电类型层侧本征硅系层的形成工序、和上述相反导电类型层侧本征硅系层的形成工序中的至少一者依次具有采用等离子体CVD法在上述一导电类型单晶硅基板上形成具有1nm～10nm膜厚的第1本征硅系薄膜层的工序、在以氢为主成分的气体气氛中进行等离子体处理的工序、采用等离子体CVD法在上述第1本征硅系薄膜层上形成第2本征硅系薄膜层的工序。
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公开(公告)号：CN102187471A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200980140938.0
申请日：2009-10-09
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/04
Abstract: 本发明涉及硅系薄膜太阳能电池的制造方法，该硅系薄膜太阳能电池具备包括从透光性基板侧依次层叠的p型层4p、晶体i型硅光电转换层4ic和n型层4nc的晶体硅光电转换单元。在晶体i型硅光电转换层4ic上形成与晶体i型硅光电转换层相接且具有膜厚为1～12nm的n型硅合金层的n型硅系薄膜层4na。根据本发明，在晶体i型硅光电转换层4ic和n型硅系薄膜层4na的界面产生强的电场，因此即使晶体i型硅光电转换层4ic在该界面附近包含大量的缺陷的情况下，也能够得到具有高光电转换特性的薄膜太阳能电池。因此，晶体i型硅光电转换层4ic的高速制膜成为可能，能够以低成本提供高效率的硅系薄膜太阳能电池。
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