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公开(公告)号:CN114464734A
公开(公告)日:2022-05-10
申请号:CN202210133874.9
申请日:2022-02-14
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种改善氧化铈基忆阻器阻变参数散布性的方法,属于忆阻器件及应用技术领域。所述方法包括以下步骤:将氧化铈基忆阻器件在空气环境中,以370~430℃的温度快速退火处理1.5~5min。所述氧化铈基忆阻器件为TiN/HfO2/CeOx/TiN/SiO2/Si器件或TiN/CeOx/TiN/SiO2/Si器件。本发明通过对氧化铈基忆阻器进行快速退火处理,使阻变参数散布性低。通过快速退火减少氧化铈阻变层中的氧空位浓度和增大氧化铈的晶粒尺寸,减小晶界,促进氧化铈阻变层中的重新再分布和聚集在变小的晶界处,减少氧空位通道的形成路径,获得VSET和VRESET,RLRS和RHRS散布性更小的器件。
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公开(公告)号:CN220860148U
公开(公告)日:2024-04-30
申请号:CN202321897194.0
申请日:2023-07-19
Applicant: 桂林医学院
Abstract: 本实用新型公开了一种手术导航用短针工具,涉及医疗器械技术领域。本实用新型包括底座、锁定组件、短针组件、消毒组件和堵头塞,底座的上侧壁中螺纹连接有负压管,底座的上侧壁的两端均安装有锁定组件,底座的内部、锁定组件的下方安装有短针组件,底座的前后两侧均安装有消毒组件,底座的后侧壁中心处安装有堵头塞。本实用新型通过负压管可实现对短针组件中短针本体的吸附连接,并且短针组件卡接在底座的内部,装配方式简单便捷,通过消毒组件可对短针本体进行消毒确保其洁净程度。
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