一种人工关节假体材料LP01-PS及其制备方法

    公开(公告)号:CN117180509A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311395888.9

    申请日:2023-10-25

    Abstract: 本发明提供了一种人工关节假体材料LP01‑PS及其制备方法,属于人工关节假体材料技术领域。本发明提供的人工关节假体材料LP01‑PS,由聚醚醚酮、LP01和聚多巴胺合成。本发明的富载LP01的LP01‑PS,具有良好的弹性模量、细胞和动物生物相容性,对大肠杆菌和金黄色葡萄球菌的增殖、代谢、扩散等有直接的抑制作用,增强巨噬细胞对S.aureus和E.coli增殖、代谢、扩散等的抑制作用。另外,本发明的LP01‑PS具有促骨髓间充质干细胞成骨分化的作用,能够提高大鼠骨髓间充质干细胞矿化能力、成骨相关基因表达。

    一种季铵盐抗菌纤维的制备方法及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN116695286A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310764457.9

    申请日:2023-06-27

    Abstract: 本发明涉及抗菌材料制备技术领域,尤其涉及一种季铵盐抗菌纤维的制备方法与应用。本发明提供了一种季铵盐抗菌纤维的制备方法,包括如下步骤:(1)将甲醇与环氧溴丙烷混合得溶剂1;将季铵盐与甲醇混合得溶剂2;(2)将所述溶剂1逐滴加入到溶剂2中一次反应,除去甲醇得产物,将产物重结晶后真空干燥得季铵盐中间体;(3)将所述季铵盐中间体、葡聚糖、NaOH和水混合二次反应,调节pH后透析、冻干即得季铵盐抗菌纤维。本发明将QAS连接到Dextran分子骨架上,形成新型QAS聚合物,提高抗菌聚合物的血液相容性、生物相容性和抗菌性,是一条开发新型抗菌材料行之有效的途径。

    一种通过快速退火改善氧化铈基忆阻器阻变参数散布性的方法

    公开(公告)号:CN114464734B

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202210133874.9

    申请日:2022-02-14

    Abstract: 本发明公开了一种改善氧化铈基忆阻器阻变参数散布性的方法,属于忆阻器件及应用技术领域。所述方法包括以下步骤:将氧化铈基忆阻器件在空气环境中,以370~430℃的温度快速退火处理1.5~5min。所述氧化铈基忆阻器件为TiN/HfO2/CeOx/TiN/SiO2/Si器件或TiN/CeOx/TiN/SiO2/Si器件。本发明通过对氧化铈基忆阻器进行快速退火处理,使阻变参数散布性低。通过快速退火减少氧化铈阻变层中的氧空位浓度和增大氧化铈的晶粒尺寸,减小晶界,促进氧化铈阻变层中的重新再分布和聚集在变小的晶界处,减少氧空位通道的形成路径,获得VSET和VRESET,RLRS和RHRS散布性更小的器件。

    一种DMPC-SPIONs纳米粒子、功能性修饰神经电极及制备方法与应用

    公开(公告)号:CN118549504A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202410403477.8

    申请日:2024-04-03

    Abstract: 本发明涉及神经电极技术领域,尤其涉及一种DMPC‑SPIONs纳米粒子、功能性修饰神经电极及制备方法与应用。本发明首先合成了聚乙二醇和聚乙烯亚胺修饰的氧化铁纳米粒子PEG/PEI,并将其接枝DMPC,制备了DMPC‑SPIONs纳米粒子。随后利用电化学工作站将DMPC‑SPIONs纳米粒子沉积在镍铬合金电极上,构建了新型神经电极。本发明在研发纳米粒子PEG/PEI‑SPIONs的基础上,构建新型DMPC‑SPIONs神经电极。性能测试结果提示,新型DMPC‑SPIONs神经电极对小鼠主要器官没有明显影响,能提高采集小鼠海马体神经元电位能力,且峰电位达171μV。显示出了优异的生物相容性、电化学性能和电信号采集能力。其特点是电荷存储能力增强,阻抗水平降低。

    一种人工关节假体材料LP01-PS的应用

    公开(公告)号:CN117398520A

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202311396050.1

    申请日:2023-10-25

    Abstract: 本发明提供了一种人工关节假体材料LP01‑PS的应用,属于人工关节假体材料技术领域。本发明提供了人工关节假体材料LP01‑PS在制备人工关节假体、诱导骨髓间充质干细胞成骨分化产品、促进植入材料周围新生骨生长产品或促进巨噬细胞抗菌产品中的应用。本发明人工关节假体材料具有良好的弹性模量、细胞和动物生物相容性,对大肠杆菌和金黄色葡萄球菌的增殖、代谢、扩散等有直接的抑制作用,通过TLR2/p65信号通路促进巨噬细胞有效抗菌,进一步增强其抗菌效果。通过Wnt/β‑catenin信号通路促进骨髓间充质干细胞成骨分化和植入材料周围新生骨的生长,具有良好临床转化前景。

    一种基于套刻技术的顶栅结构全固态记忆晶体管多变量掩膜版

    公开(公告)号:CN113917784A

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN202111181021.4

    申请日:2021-10-11

    Abstract: 本发明涉及半导体器件制造领域,具体涉及一种基于套刻技术的顶栅结构全固态记忆晶体管多变量掩膜版;所述一种掩膜版,包括3块子掩膜版,具体为沟道掩膜版、源漏电极掩膜版以及栅极掩膜版;其中,沟道掩膜版包括8种不同的器件尺寸,每种器件尺寸对应2种沟道区域和源漏电极区域接触方式,构成16种可形成对比的器件。本发明掩膜版采用设备简单、易于控制、成膜效果好的磁控溅射法制备所需薄膜,制膜工艺兼容CMOS工艺,利于器件批量生产。本发明各部分材料为全固态材料,可优化有机材料和液态材料固有的降解和难封装问题。

    一种内嵌Ti或Al纳米岛阵列的氧化钨基忆阻器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112951988A

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN202110128328.1

    申请日:2021-01-29

    Abstract: 本发明公开了一种内嵌Ti或Al纳米岛阵列的氧化钨基忆阻器的制备方法,采用磁控溅射法,以Pt金属为靶材,沉积100nm厚度的Pt为底电极。采用电子束蒸发法沉积5nm厚度的Ti或Al,借助超薄AAO模板制备出了高度有序的Ti或Al纳米岛阵列。Ti纳米岛平均直径为57.7nm,岛之间中心间距平均距离为100.2nm。再用磁控溅射法,以WOy(y=2.7~2.9)为靶材,沉积30nm厚度的WOx(x=2.2~2.5)制得WOx/Ti NI/Pt和WOx/Al NI/Pt器件。本发明提供了一种内嵌Ti或Al纳米岛阵列的氧化钨基忆阻器的制备方法,无Forming(电铸)过程且阻变电压散布性低,相比光刻技术而言,成本更低。

    基于全卷积神经网络的病理切片图像癌症区域分割系统

    公开(公告)号:CN114266794B

    公开(公告)日:2022-06-10

    申请号:CN202210183367.6

    申请日:2022-02-28

    Abstract: 本发明公开了一种基于全卷积神经网络的病理切片图像癌症区域分割系统,该系统的实现包括:提取病理切片图像中组织区域的掩码,去除空白背景;将组织区域与病理切片图像中标注的癌症区域结合,对全视野的病理切片图像切割获得训练样本数据;对样本数据进行扩充;构建以Resnet50为编码器的Unet分割网络,将第一级编码器的卷积单元替换成组合卷积单元,提取输入图像中不同尺度的信息,在解码器引入特征融合模块,充分利用每一级解码器输出的信息;分割网络在经过数据增强的数据集上训练并调优;采用网格处理算法对整张病理切片图像进行预测,识别其中的癌症区域。本发明在特征提取阶段引入多尺度信息,提高了对癌症区域的分割精度。

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